[传感技术]MOSFET厂商因晶圆产能吃紧发布涨价通知
近期，关于晶圆代工产能紧张的消息绵绵不断。受疫情影响，不少品牌的新产品都延期至下半年发布。由于客户订单堆积，使得8寸晶圆代工产能瞬间不足，晶圆代工交期也不断拉长到3个月甚至半年以上。 而LCD驱动IC和MOSFET芯片等一些毛利率较低的芯片，由于量小、价格低等原因，在晶圆代工产能的争夺中往往属于较弱的一方，在产能供不应求的情况下，上游晶圆代工厂自然有本钱来挑选优质大单。 LCD驱动IC及MOSFET芯片产能受到排挤，往往只能加价抢产能，这一部分成本相对应的也分摊到下游客户身上，MOSFET的价格也开
[传感技术]罗姆的节能SiC-MOSFET如何减少开关损耗？
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。 通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应用尤其具有吸引力。特别是随着先进AI和IoT的
[传感技术]Vishay 推出首款-30 V P沟道MOSFET
Vishay Intertechnology推出了首款-30 V p沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），在10 V时可提供1.7mΩ的导通电阻。 Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV SiRA99DP专为增强功率密度而设计，采用6.15 mm x 5.15 mm耐热增强型PowerPAK SO-8单封装。 MOSFET的低导通电阻与市场上第二好的产品相比，降低了43％，可降低电压降并将传导功率损耗降至最低，从而实现更高的功率密度。 资料来源：Vishay Intertechnology Inc. 结合84 nC的超低栅极电荷，SiRA99DP提供了同类最佳的栅极电荷时间导通电阻，这
[电容器]超级电容器自动平衡 (SAB) MOSFET在工业中的应用
超级电容器自动平衡 (SAB) MOSFET 系列适合工业应用，以调节和平衡泄漏电流，同时最大限度地减少用于平衡两个或多个串联堆叠的超级电容器电池的能量。这些器件面向需要 –40° 至 85°C 工作温度范围的工业级储能应用。 它们适用于各种应用，例如远程监控应用、汽车系统、备用电源、运输、自动化，或任何暴露在恶劣环境中并需要承受极端气候条件的应用。 新器件系列涵盖 1.6V 至 2.7V 的广泛工作电压范围，漏电流范围为 3000 μA。 在户外工业储能中，堆叠中使用的超级电容器的泄漏电流通过在每个电池上连接一个或多个 SAB MOSFET 来
[电源管理]东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET
品慧电子讯：东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开关电源等应用。它们是漏源导通电阻为14.1ｍΩ的“TPH1400CQH”和漏源导通电阻为48mΩ的“TPN4800CQH” 。两款产品均采用表面贴装封装。 与采用前一代工艺的U-MOS VIII-H系列150V产品相比，新产品降低了漏源导通电阻。同时，器件结构的优化改善了漏源导通电阻与输出电荷之间的平衡[1]，并且具有业界领先[2]的低功耗。此外
[传感技术]瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器
2020 年 6 月 29 日，全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器――HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品；新款HIP2210提供三电平PWM输入，以简化电源和电机驱动器设计。HIP2211和HIP2210非常适用于48V通讯电源、D类音频放大器、太阳能逆变器和UPS逆变器。该产品坚固耐用，可为锂离子电池供电的家用和户外产品、水泵及冷却风扇中的48V电机驱动器供电。 HIP221x驱动器专为严苛工作条件下的可靠运行而设计，其高速、高
[传感技术]罗姆开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET
日前，全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40％。
[传感技术]东芝面向汽车ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布，推出栅驱动器开关IPD“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元(ECU)的供电电流的通断，并计划于开始出货。TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET，适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关，这种新型IPD能够避免机械继电器的触头磨损，有助于缩小车载ECU的尺寸并降低功耗，同时还提供免维护功能。通过提供增强功能(自我保护功能和输出到微控制器的各种内置诊断功能)以支持车载ECU所需的高可靠性。这款新型IPD能够监控负载运行和
[传感技术]东芝推出采用其最新一代工艺的新型MOSFET
日前，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。 新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。 由于采用了其最新一代的工艺制造半导体技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与
[场效应管]场效应管的基础知识
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 1.结型场效应管 (1) 结型场效应管结构 N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道
[场效应管]SiC MOSFET必不可少的可靠性测试
作为目前碳化硅MOSFET型号最丰富的国产厂商派恩杰，不仅在功率器件性能上达到国际一流厂商水平，在AC BTI可靠性上更是超越国际一流厂商。总裁黄兴博士用高性能和高可靠性的产品证明派恩杰是国产碳化硅功率器件的佼佼者，展现了超高的碳化硅设计能力和工艺水平。 背景 在功率器件半导体领域，越来越需要高频高功率耐高温的功率器件，随着时间发展，硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限，碳化硅凭借其材料的优越特性开始大放异彩，然而新材料带来的可靠性问题是急需解决的。其中AC BTI（Bias Temperature InstabiliTIes）即
[场效应管]分别说说VMOSFET的VVMOS和VDMOS两种结构
MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培，漏源电压可以达到100V以上，但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点，使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后，VMOSFET的耐压可达到1000V以上，电流处理能力可达到几百安培。这得益于VMOSFET短沟道、高电阻漏极漂移区和垂直导电电路等特点。VMOSFET具有VVMOS和VDMOS两种结构，下面分别来说说。VVMOS结构介绍VVMOS结构示意图如上图所示，这种结构是在N+衬底和N-漂移层上，先后进行P型区N+型区两次扩散，然后利用晶体硅的各向异性刻蚀技术，造出V型槽。
[场效应管]一文详解MOSFET导通状态漏源电阻
分立MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和漏极之间的电阻非常高 - 我们假设零电流流动。当FET的栅极 - 源极电压（V GS）超过阈值电压（V TH）时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于R DS（on）的通道连接。但是，如果您熟悉MOSFET的实际电气特性，您应该很容易认识到该模型不符合事实。 首先，FET实际上没有“导通状态”。当没有截止时（我们忽略了亚阈值导通），FET可以处于三极管区域或饱和区域。这些区域中的每一个都具
[场效应管]彻底了解MOS管，我们应从两点入手
?MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。 ?MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用中，N沟道MOS管占绝大多数，所以下面以N沟道MOS管为例进行讲解（如图1中Q3，栅极-G；漏极-D；源极-S）。 ?MOS管的使用通常可以分为两种情形： ①参与普通的逻辑控制，和三极管一样作为开关管使用，电流可达数安培，如图1为MOS管驱动直流电机电路。R6下拉电阻是必须的（取值一
[场效应管]常见的MOSFET驱动方式，驱动电路的参数计算
在简单的了解MOS管的基本原理以及相关参数后，如何在实际的电路中运用是我们努力的方向。比如在实际的MOS驱动电路设计中，如何去根据需求搭建电路，计算参数，根据特性完善电路，根据实际需求留余量等等，在这些约束条件下搭建一个相对完善的电路。参考了一些资料后，就我目前的需求和自身的理解力分享相关的一些笔记和理解。 1. 常见的MOSFET驱动方式 直接驱动 最简单的驱动方式，比如用单片机输出PWM信号来驱动较小的MOS。使用这种驱动方式，应注意几点；一是实际PWM和MOS的走线距离必定导致寄生电感引起震荡噪声，二是芯片的驱
[场效应管]什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？
? 美国计划禁止用于Gate-all-around?GAA新技术制造芯片所必需的EDA软件出口到中国大陆，GAA（环绕栅极）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？ 数字芯片最基本单元是MOSFET，其工艺发展到7nm、3nm、2nm，这个半导体工艺尺寸是MOSFET栅极（沟槽）宽度。早期MOSFET使用平面结构，沟槽宽度越小，漏极到源极距离越小，载流子流动跨越沟道导通时间减小，工作频率越高；同时，沟道完全开通所加栅极电压越低，开关损耗越低；而且，沟道导通电阻降低，导通损耗也降低。 但是，工艺尺寸越低，短沟道效应越明显。短沟道
[场效应管]MOSFET晶体管的制造工艺
MOSFET晶体管的制造工艺 MOS场效应管（MOSFET）是金属-氧化物-半导体场效应管的简称，是一种表面场效应器件，是靠多数载流子传输电流的单极型器件。 MOS场效应管可以是半导体材料Ge（锗zhě）、Si（硅）为材料，也可以用化合物半导体GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟yīn）等材料，以Si使用最多， MOS器件栅下绝缘层可以选用：SiO2和Si3N4等绝缘材料，其中SiO2最为普遍。MOS场效应管的基本结构一般是一个四端器件。 ? ? MOS场效应管（以下简称MOS管）中间是部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，是上图中的中间栅
[场效应管]讲一讲MOS的概念、工作原理、分类以及相关应用
集成电路按照所使用的半导体材料，分为硅IC和化合物IC两大类，硅IC可以分为MOS型和双极结型晶体管，两者都既可以用自由电子位载流子，又可以用空穴为载流子。MOS中有不同的类型，如以电子（负：negaTIve）为载流子的“nMOS”，以空穴（正：posiTIve）为载流子的“pMOS”,还有以双方组合（complementary）而成的“互补金属氧化物半导体晶体管（CMOS）” 今天我们围绕MOS这个概念展开，讲一讲MOS的概念、工作原理、分类以及相关应用。 一、什么是MOSFET？ MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是场效应晶体管(Field Effect Transist
[场效应管]使用场效应管时，这些注意事项要记住了
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。 1、场效应管的分类 按结构场效应管分为：结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类。 按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。 按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应
[场效应管]MOSFET到底承受了什么导致发热呢？
MOSFET工作原理 什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。 它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。如图1所示，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管，如图2所示，其源极和漏极则接在P型半导体上。 无论N型或者P型MOS管，其工作原理是一样的，都是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流 (或称输入回路的电场效应)，故可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有
