[传感技术]1700V IGBT/SiC MOSFET专用驱动电源R3系列
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202204/433643.htm一、产品介绍随着新能源汽车和光伏行业不断发展，半导体器件的应用不断扩宽，IGBT/SiC MOSFET作为充电桩设备、光伏SVG系统中的关键半导体器件组成部分，市场对其应用条件和性能提出了更高的要求，随之也带来了对驱动方案的高要求。金升阳基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级开发IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3/QA_C-R3系列产品。同时为满足更加严苛的应用需求，打造了全新的爬电距离满足1700V系统电源应用的驱动电源QA_H-R3/QA_HC-R3系
[传感技术]LM25180是具有 65V、1.5A 集成 MOSFET 的 42Vin 无光反激式转换器
产品详情描述：LM25180 是一款初级端稳压 (PSR) 反激式转换器，在 4.5V 至 42V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压从初级端反激电压采样，无需光耦合器，电压参考，或来自AD5392BCPZ-3变压器的第三绕组用于输出电压调节。高集成度实现了简单、可靠和高密度的设计，只有一个组件穿过隔离栅。边界导通模式 (BCM) 开关可实现紧凑的磁性解决方案以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。一个集成的 65V 功率 MOSFET 提供高达 7W 的输出功率，并为线路瞬态提供了增强的裕量。LM25180 反激式转换器采用 8 引脚、
[传感技术]英飞凌多重手段巩固SiC市场地位，如今服务客户已超3000
英飞凌在 20 多年前就开始碳化硅 (SiC) 的生产，并长期以来将这种材料视为电力电子的未来。现在，更多的公司正在进入这一领域。目前，包括通用和特斯拉等汽车制造商正在转向采用 SiC 芯片，以制造电动汽车 (EV)，SiC可以使汽车充电后可以行驶更远，并且充电更快。英飞凌 SiC 业务副总裁 Peter Friedrichs 表示，SiC是非常适合在 650 V 或更高电压下的电源管理应用，尤其是在汽车等高温和恶劣环境下。他指出，SiC器件具有独特的物理特性，使客户能够将更多功率转换集成到更紧凑，更轻便，更少散热的外壳中，从而
[传感技术]不用第三代半导体，如何实现更高的功率密度？
1984 年，我有幸与尊敬的 Rudy Severns 一起环游了欧洲，为 Siliconix 传授新技术。我是一名年轻的应用工程师，当时的新技术是硅功率 MOSFET。工程师那时在他们的开关电源中使用双极晶体管，Rudy 在他的“先进功率 MOSFET 研讨会”上指出了硅 (Si) MOSFET 的许多优点，它可提高开关频率并降低功耗。Rudy 讨论了如何正确使用和应用它们，以及在切换电感负载时如何处理各种 dV/dt 故障模式。 那是 37 年前的事了。快进到 2021 年：我们也遇到了类似的情况，多家初创型公司和大型
[传感技术]瑞森 SGT MOSFET 介绍及应用
最近，瑞森研发部对功率MOSFET的技术进行了更新换代，这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202204/433055.htm这全新的MOSFET技术就是SGT（Shielded Gate Trench屏蔽栅沟槽）技术。目前瑞森新一代的中低压的功率MOSFET已广泛的采用这种SGT技术，如最新推出的：RS100N60G，RS100N85G，RS100N150G等。图1：Trench MOS和SGT MOS器件结构MOSFET大致可以分为以下几类：
[传感技术]扬杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用SGT工艺
4月8日消息，扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT (Shield? Gate? Trench? MOSFET) 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202204/433065.htmN80V-N85V系列MOSFET产品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等，是其核心的功率控制部件。扬杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-
[传感技术]同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS?”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202204/432890.htm近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，
[传感技术]同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS?”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202204/432858.htm近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，
[传感技术]东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3],从而实现了优异的低损耗特性。此外,开关操作时漏极
[传感技术]Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
2022年3月24日：基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。?这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。模型还有
[传感技术]英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET，树立技术新标准
英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中，应用于小型无刷电机的ESC(电子速度控制)模块。众所周知，无人机通常需要尺寸小、重量轻的元器件。本文引用地址：http://www.eepw.co
[传感技术]罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势
“近年来，为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车（xEV），从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。 ” 引言近年来，为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车（xEV），从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车（EV）领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，
[传感技术]重磅发布！30家国产功率器件和第三代半导体厂商调研分析报告
关注传感器专家网公众号，获取传感器热点资讯、知识文档、深度观察作为传感器产业链的上下游，功率半导体器件和第三代半导体（SiC、GaN）等器件，想必许多人都不陌生。本文统计了30家国产功率器件和第三代半导体厂商的核心技术、主要产品、关键应用和主要竞争力等信息，数据来自于著名的AspenCore分析师团队。概要AspenCore分析师团队从众多功率器件和第三代半导体厂商中精心挑选30家最具代表性的企业，按照基础功率器件、MOSFET、IGBT、SiC和GaN这五大类别进行分类，并对每家公司按照核心技术、关键产品、主要应用和竞
[传感技术]安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信
新器件提供卓越的开关特性，使电源能符合80 PLUS Titanium能效标准 2021年12月8日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，发布新的600 V SUPERFET? V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。 600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低
[传感技术]盘点国内23家IGBT企业！
导读：IGBT是半导体器件的一个分支，虽然并不属传感器范畴，但与传感器有着千丝万缕的关系。现在许多IGBT模块本身也集成了温度传感器、电流传感器等元件，使IGBT模块能适应更多复杂环境。本文简单介绍了IGBT器件的原理，并深扒了IGBT相关IDM、设计、制造、模组企业，收藏！ #盘点国内IGBT企业# 功率半导体是半导体行业的细分领域，虽不像集成电路一样被大众熟知，但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种，作为电子电力装置和系统中的“CPU”，高效节能减排的主力军。回顾IGBT的技术发展，IGBT主
[传感技术]隔离式栅极驱动器：能完全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态，以免产生过多的耗散功率。这款驱动器有双两个输入引脚，让设计人员可以定义栅极驱动信号的极性。STGAP2SiCS在输入部分和栅极驱动输出之间设计6kV电气隔离，电隔离有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。4A吸电流/拉电流驱动能力使其适用于高端家用电器、工业驱动装置、风扇、电磁炉、电焊机、UPS不间断电源等设备的高功率变
[传感技术]安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
2021年2月18日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。 安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效
[传感技术]第96届中国电子展邀您共同探讨功率半导体未来趋势八大看点
深秋时节，有没有感受到从国内科技板股市传来的这股热流?11月3日，科技板块的第三代半导体再度领涨，聚灿光电、民德电子、立昂微、新洁能、派瑞股份涨停。另外，功率半导体股市又迎来一家新上市公司即无锡新节能。分析人士称，第三代半导体行业的火爆，驱动力来自两个方面，一个是国家政策层面的影响，国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向;另一个是5G、汽车、人工智能等产业发展向好，支撑了板块内相关细分行业的表现。 功率半导体一直保持平稳发展态势，而在最近却显著增温
[传感技术]首片国产6英寸碳化硅晶圆正式发布
根据东方卫视的报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)晶圆于 10 月 16 日在上海正式发布。 据介绍，国产 6 英寸碳化硅 MOSFET 晶圆，基于碳化硅(第三代半导体材料)制成，用于新能源车、光伏发电等新能源产业。 上海瞻芯电子创始人兼总经理张永熙表示：“如果用了碳化硅 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)新能源汽车作电驱动的话，续航里程可以有 5% 到 10% 的提升;比如说用了碳化硅工艺器件的光伏逆变器的话，效
[传感技术]Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型 200V n 沟道 MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S 封装，10 V 条件下典型导通电阻达到业内最低的 61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 开关应用重要优值系数（FOM）为 854 mΩ*nC。节省空间的 Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度，占位面积比采用 6mm x 5mm 封装相似导通电阻的器件减小 65 %。 日前发布的 TrenchFET? 第四代功率 MO
