[传感技术]通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。?在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V?SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额
[传感技术]车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇
中国汽车工业协会最新数据显示，2022年1月至11月，新能源汽车产销分别完成625.3万辆和606.7万辆，同比均增长1倍，市场占有率达到25%。由此可见新能源汽车的发展已经进入了快车道。在这里我们注意到，由于里程焦虑和快速充电的要求，800V 电池母线系统获得了不少的OEM或者Tier1的青睐。谈到800V母线系统，让我们聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模块，由于碳化硅得天独厚的优势，使得它非常适合用来制造高耐压、高结温、高速的MOSFET，这三高恰好契合了800V母线系统对于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非常看好
[传感技术]如何为汽车智能配电系统选择功率开关管
今天，车企正在加快汽车技术创新步伐，开发出了电动汽车、网联汽车、自动驾驶汽车、共享汽车等全新的汽车概念。汽车电动化和数字化的大趋势包括区域控制架构、功率芯片驱动数字化、电池管理系统、功率电子和电源/能源管理。电控单元 (ECU)对更大功率、更高安全性的需求日益增长，推动系统设计人员去开发智能配电解决方案。智能配电概念是一项非常成熟的技术，已经被传统燃油车配电解决方案所采用。智能配电子系统开始用于开发高可靠性、高能效的配电解决方案，这极大地影响了 ECU电控单元中的配电概念，意味
[电源管理]三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品
【导读】三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。该产品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德国纽伦堡）上展出。 3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模块 近年来，为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合，特别是在重工业中，这些器件被用于变流器设备，如轨道牵引中的变流系统和直流输电系
[电源管理]基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
【导读】5月9-11日，基本半导体再度亮相全球最大功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低
[电源管理]英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列
【导读】英飞凌科技股份公司推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创
[电源管理]东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET
【导读】中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。 锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。 SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采
[电源管理]SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势
【导读】SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。 ISOPLUS - SMPD 及其优势 SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device)，是先进的顶部散热绝缘封装，由IXYS（现在是Littelfuse公司的一部分）在2012年开发。SMPD只有硬币大小，具有几项关键优势： · 集成DCB绝缘，可在功率和温度循环下提供最佳的可靠性。 · IXYS专有DCB结构具有最低2.5kV绝缘电压。 ·
[电源管理]如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？
【导读】要能快速高效地为电动车更大的电池充电，电动车才能在市场普及并发展。2021 年，市场上排名前 12 位的电动汽车的平均电池容量为 80 kW-hr。消费者主要在家中使用车辆的车载充电器(OBC) 进行充电。为确保合理的车辆充电时间，OEM 还将 OBC 的功率容量从 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高达 22 kW。使用 6.6 kW OBC 时，这些电动汽车需要 12.1 小时才能充满电。而将 OBC 功率增加到 11 kW 后，充电时间缩短至 7.3 小时，而使用 22 kW OBC 时，只需 3.6 小时即可充满电。 早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机
[互连技术]采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
【导读】近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 “引言” 近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 文：英飞凌科技高级应用工
[电源管理]MOSFET电路不可不知
【导读】MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。 它们非常小，制造过程非常简单。由于MOSFET的特性，模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路，MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。 大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化的基础上推导出来。截止区、三极管区和饱和区是MOSFET的三个工作区。当栅源电压(VGS)小于阈值电压(Vtn)时，器件处于截止区。当MOSFET用作放大器时，它工作在饱和区。
[电源管理]采用SiC MOSFET的3kW图腾柱无桥PFC和次级端稳压LLC电源
【导读】节能标准和客户需求正在推动更高效率和更小尺寸的电源解决方案，对标准ACDC电源进行功率因数校正 (PFC) 的要求日益普遍，通过减少谐波含量引起的电力线损耗，从而降低对交流电网基础设施的压力。而设计紧凑高效的 PFC 电源是一个复杂的开发挑战。 节能标准和客户需求正在推动更高效率和更小尺寸的电源解决方案，对标准ACDC电源进行功率因数校正 (PFC) 的要求日益普遍，通过减少谐波含量引起的电力线损耗，从而降低对交流电网基础设施的压力。而设计紧凑高效的 PFC 电源是一个复杂的开发挑战。 本文将讨论3kW PFC单相交流输入电源的
[电源管理]Nexperia推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS(on)和强大线性模
[电源管理]ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechn
[电源管理]东芝推出150V N沟道功率MOSFET，有助于提高电源效率
【导读】中国上海，2023年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44%，上述指标是体
[电源管理]ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET*1“PrestoMOS?”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。 有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET*1“PrestoMOS?”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电
[电源管理]SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性
【导读】碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。 先进的器件设计都会非常关注导通电阻，将其作为特定技术的主要基准参数。然而，工程师们必须在主要性能指标（如电阻和开关损耗），与实际应用需考虑的其他因素（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。 优秀的器件应该允许一定的设计自由度，以便在不对工艺和版图进行重大改变的情况下适应各种工况的需要。然而，关键的性能指标仍然是尽可能低的比电阻，并结合其他重要的参数。图1显示了我们认为必不可少的
[电源管理]Diodes推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
【导读】Diodes 公司 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应
[电源管理]ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。 新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以
[传感技术]罗姆的第 4 代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202212/441854.htm在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为
