[电源管理]SiC MOSFET的短沟道效应
【导读】Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。 Si IGBT/MOSFET与SiC MOSFET，尽管衬底材料不一样，但是形成栅极氧化层的材料却是一样的——都是SiO2。SiC-SiO2界面缺陷大于Si-SiO2界面，界面缺陷
[互连技术]串联连接的 MOSFET 可提高电压和功率处理能力
【导读】当电源驱动大容性负载时，浪涌电流如果不加以限制，对于高压电源来说可以达到几十或几百安培。一般来说，电源的额定值可能会瞬态超过许多倍，但当瞬态持续几个交流线路周期时，这通常是可以接受的。这对于高达几百微法的负载电容是典型的，但对于数千微法的负载电容，浪涌电流限制器是必须的。此设计理念提供了一种简单、经过验证、可靠且稳健的方法来为大型电容器组充电，使用串联连接的功率 MOSFET 将击穿电压提高到高于单个 MOSFET 的击穿电压。当电源驱动大容性负载时，浪涌电流如果不加以限制，对于高压电源来说可以达到几十
[三极管]完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。随着技术的发展，MOSFET功率器件能够以更低的系统成本提供优异的故障保护。图1显示了完全自保护MOSFET的一般拓扑结构。这些器件常见的其他特性包括状态指示、数字输入、差分输入和过压及欠压切断。高端配置包括片上电荷泵功能。但是，大多数器件都具备三个电路模块，即电流限制、温度限
[三极管]低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。便携式产品(如手机、数码照相机、数码摄像机、DVD播放器、MP3播放器和个人数字助理)的设计人员一直面临着压力，既要缩减材料成本，又不能影响产品的性能，这对设计人员而言是真正的挑战，因为他们既要增加产品新特性，又不能对电池使用寿命产生负面影响。大多数便携式产品正向着集成电源管理单元(PMU)电路的方向发展，这种电路专为控制产品中的不同功能
[二极管]快速恢复二极管CMF02A应对车载电源设计挑战
快速恢复二极管 模拟工程师们都知道，在使用MOSFET搭建电路时，常常需要搭配使用快速恢复二极管（FRD），因为该二极管的反向恢复时间几乎为零，瞬间内即可使开关截止，能够防止由于关断反应速度过慢带来的上下管同时导通而出现的烧片现象。 针对电子设计需要的高电压、高效率、低功耗、反向恢复快的应用需求越来越广泛，东芝推出的采用硅扩散结工艺的快速恢复二极管CMF02A，符合AEC-Q101车规级认证标准，采用表面贴装封装，可以满足小空间的安装要求，实现更高的功率密度。 FRD 器件的基本特性 CMF02A是一款具有高速开关用途的
[电源管理]使用集成MOSFET限制电流的简单方法
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。因此，通常需要将电流限制在一个特定值。大多数功率转换器都有过流限制器，以保护其免受额外电流造成的损坏。在一些DC-DC转换器中，甚至可以调整阈值。 图1. 每个端口输出电流为1 A的充电宝中的电流限制。在图1中，还可以使用具有内置甚至可调节限流器的DC-DC升压转换器。在这种情况下，无需额外的限流器模块。不过，也有许多应用在电源通
[传感技术]Nexperia（安世半导体）发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级 DSN1006 封装，具有市场领先的 RDS(on) 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。新型 MOSFET 非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。RDS(on) 与竞争器件相比性能提升了 25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能
[传感技术]Nexperia鍙戝竷鍏峰甯傚満棰嗗厛鏁堢巼鐨勬櫠鍦嗙骇12鍜?30V MOSFET
濂堟浜紝2022骞?7鏈?27鏃ワ細鍩虹鍗婂浣?鍣ㄤ欢棰嗗煙鐨勯珮浜ц兘鐢熶骇涓撳Nexperia浠婂ぉ瀹ｅ竷鎺ㄥ嚭PMCB60XN鍜孭MCB60XNE 30V N娌熼亾灏忎俊鍙稵rench MOSFET锛岃浜у搧閲囩敤瓒呯揣鍑戞櫠鍦嗙骇DSN1006灏佽锛屽叿鏈夊競鍦洪鍏堢殑RDS(on)鐗规?э紝鍦ㄧ┖闂村彈闄愬拰鐢垫睜缁埅杩愯鑷冲叧閲嶈鐨勬儏鍐典笅锛屽彲浣跨數鍔涙洿涓烘寔涔呫?? ?RFNOMTAxMCAtIHYwMi5qcGc=" width="500" height="357" border="0"
[传感技术]Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202207/436697.htm新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。?RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负
[传感技术]Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
? ? ? ?2022年7月27日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。? ? ? ?新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负
[传感技术]Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括： 本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202207/435954.htm?新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外
[传感技术]Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
? ? 基础半导体器件领域的高产能生产zhuan家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括： ? ? 新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着功耗的
[传感技术]豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
? ? 电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内zui低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。? ? WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计? ? 近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热
[传感技术]豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202206/435677.htm??WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能
[传感技术]豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。WNMD2196A超低Rss（ON），专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。双N沟道增强型M
[传感技术]意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性
? ? 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 ? ? 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效率高的
[传感技术]意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202206/435479.htm意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空
[传感技术]马来西亚缺工1.5万！功率元件大厂被迫停工，订单流失
随着疫情影响层面不断扩大，马来西亚大闹缺工，当地芯片业人力缺口更高达1.5万人，厂商被迫停接新订单，MOSET等功率元件供应更吃紧。路透报导．由于严重缺工，马来西亚芯片业人力缺口估计达1.5万人，对全球芯片短缺情况有如雪上加霜。相关业者和外交人员则说，马来西亚因新冠肺炎疫情而缓召外借劳工的禁令，虽已于2月解除，但政府核准进度迟缓，与印尼和孟加拉就劳工保障的谈判又一再拖延，外借移工迟迟无法大量回流，导致马来西亚大缺工。业界周知，马来西亚是全球半导体生产重镇，英飞凌、安森美及意法半导体、恩智浦
