[场效应管]说说耗尽型MOSFET的主要参数和等效数学模型
我们讲到增强型MOSFET的特点是，N沟道的建立是Ugs的贡献，没有Ugs>Ut，导电沟道就无法建立，D、S就不会有导通电流。这边我们要说的是另一种MOSFET，称为耗尽型MOSFET。N沟道耗尽型MOSFET结构示意图以N沟道耗尽型MOSFET来说明，它在制造过程中，在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子，形成了一个正电中心，产生了指向P型硅表面的垂直电场，这样一来，在Ugs=0时，D、S之间已经有N沟道形成，若Ugs大于零，导电沟道加宽，当Ugs为负值，负到一定值，正电中心形成的垂直电场被抵消，导电沟道消失。那么，此时的Ugs被称为夹断电压Up。耗尽型
[场效应管]看一下MOSFET场效应管的相关知识内容和典型的使用方法
1.MOSFET的基本概念相关的知识 场效应管与三极管比较类似，都是三端元器件，但是三极管是一种流控型的半导体器件，而场效应管是一种压控型的半导体器件，按照结构分类，场效应管可以分为结型场效应管JFET和 金属-氧化物半导体场效应管MOSFET，本文主要介绍MOSFET。 1-MOSFET MOSFET根据沟道材料的不同可以分为N沟道NMOS和P沟道PMOS，按照导电方式又可以分为耗尽型和增强型，所以MOSFET有四种：1)N沟道耗尽型；2)N沟道增强型；3)P沟道耗尽型；4)P沟道增强型。 不管是NMOS还是PMOS都具有三个电极，分别为栅极Gate、源极Sourc
[场效应管]MOSFET是如何成为一个电流源的呢
当VGS>VTH时，MOSFET表现为一个压控电阻；但是，能让MOSFET成为现在集成电路中的翘楚，肯定不是只是压控电阻这么简单呢。 当漏极电压逐够大的时候，MOS管会表现为一个压控电流源。这使得MOSFET可以成为一个放大器。 ? 那到底是什么让MOSFET可以成为一个压控电流源呢？ 我觉得是MOSFET的通道夹断效应(channel Pinch-off)。 ? 那什么是通道夹断效应呢？ （1）当栅极和P型衬底接触面之间的电势差大于VTH时，开始形成沟道。如果VD=VS=0时，虽然沟道形成，但是还是没有电流，因此沿着沟道长度处的电势相等。 （2）加大VD的电压，使得VD>
[场效应管]盘点场效应管在电路中应用
场效应管MOSFET 通常被认为是一种晶体管，并用于模拟和数字电路。MOS管基础请移步:MOS场效应管基本知识。 下文介绍场效应管MOSFET的应用。 一、场效应管MOSFET用作开关 MOSFET很容易饱和，这就意味着说，MOSFET完全打开，且非常可靠，可以在饱和区域之间进行非常快速的切换，这就意味着MOSFET可以用作开关，尤其是适用于电机、灯等大功率应用。 在实际应用中，可以使用与大功率设备相同的电源来操作MOSFET，使用机械开关施加栅极电压。如下图所示，使用的是N沟道MOSFET。 或者也可以使用电子信号，例如微控制器激活MOSFET。
[场效应管]聊聊二合一加强版的IGBT以及前身半导体器件
基于Si半导体，从物理性质→pn结→pin结→BJT(晶体管)→SCR(晶闸管)→MOSFET→IGBT的概述，以载流子的工作机理贯穿，重新聊聊作为“二合一”加强版的IGBT以及前身半导体器件的整个路径。 “一千个人眼里有一千个哈姆雷特”，任何一个事物从不同的方向深入都会有不同的见解，更何况IGBT这么一个横向纵向都涉及得太多太多的器件。我们不止一次地聊它，当然，今天也肯定不会是最后一次。 从p型和n型半导体，到最基础的pn结，到pnp/npn的BJT，到pnpn的晶闸管，再到单极性器件MOSFET，再到最终的IGBT，一步步折中优化，使IGBT成为当今功率
[场效应管]讲一讲增强型MOSFET器件结构和原理
今天我们开始讲一讲MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），MOS-FET从本质上来看和J-FET一样也属于“多子”器件，但从控制机理上有所不同。增强型MOSFET器件结构和原理控制机理上MOS-FET的栅极与管子的其余部分绝缘，靠栅源极电压来控制载流子运动。N-MOSFET是一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，并在源极S和漏极D两个区域制作两个掺杂浓度较高的N型半导体区域，通过欧姆电极与源极和漏极相连。由上图可以看出，栅极G和S、D极之间是有一层二氧化硅，因此，栅极与管子的其余部分绝缘。所以，这种FET称为绝缘栅
[场效应管]碳化硅功率MOSFET B1M080120HC降低电机驱动功率损耗
据评估，世界上超过一半的电能消耗用于各种电动机。因此，降低电动机的功率损耗并提高电力转换的效率显得尤为重要。 电动机驱动电路一般原理图 本文推荐基本半导体的一款碳化硅功率MOSFET B1M080120HC，该器件具有延迟极短、超高耐压、低导通阻抗、小封装等优势，可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、罗姆的SCT2080KE、英飞凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1型号实现pin to pin替换，为电动机驱动提供解决方案，具有巨大的市场前景。 具体应用优势如下： 1、在电气特性方面，B1M080120HC可承受的最高电压
[电源管理]HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究
品慧电子讯：相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管续流，当完成了对结电容的充放电之后，再打开MOSFET以降低器件的损耗。 细心的工程师可能就会发现一个有趣的问题，我们这里拿IPW60R024CFD7举例说明，假设死区时刻，流过二极管的电流为50A (125℃结温），那么此刻MOSFET源漏极压降Vsd=0.96V；（如下图所示） 当死区结束，给到驱动信号，打开MOSFET，假设电流完全流过沟道，那么此刻Vsd=50*0.024*1.9=2.28V。（备注：1.9为125℃下电阻标准化比
[电源管理]详解高效散热的MOSFET顶部散热封装
品慧电子讯：电源应用中的 MOSFET 大多是表面贴装器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封装。通常选择这些 SMD 的原因是它们具有良好的功率能力，同时尺寸较小，从而有助于实现更紧凑的解决方案。尽管这些器件具有良好的功率能力，但有时散热效果并不理想。由于器件的引线框架（包括裸露漏极焊盘）直接焊接到覆铜区，这导致热量主要通过PCB进行传播。而器件的其余部分均封闭在塑封料中，仅能通过空气对流来散热。因此，热传递效率在很大程度上取决于电路板的特性：覆铜的面积大小、层数、厚度和布局。无论电路板是否安装到散热器上，
[传感技术]英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET系列 带来最佳可靠性和性能水平
英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监Steffen Metzger表示，“这凸显了我们在市场中的独特地位：英飞凌是市场上唯一一
[传感技术]英飞凌650 V CoolSiC MOSFET系列 更具有可靠性和性能水平
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC? MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监Steffen Metzger表示，“这凸显了我们在市场中
[电路保护]MOSFET选得好，极性反接保护更可靠
品慧电子讯：当车辆电池因损坏而需要更换时，新电池极性接反的可能性很高。车辆中的许多电子控制单元 (ECU) 都连接到车辆电池，因而此类事件可能会导致大量 ECU 故障。ISO（国际标准化组织）等汽车标准定义了电气电子设备的测试方法、电压水平、电磁辐射限值，以确保系统安全可靠地运行。与极性反接保护 (RPP) 相关的一种标准是 ISO 7637-2:2011，它复制了实际应用中的各种电压场景，系统需要承受此类电压以展示其能够防范故障的稳健性。这使得极性反接保护成为连接电池的 ECU/系统的一个关键组成部分，所有汽车制造商都需要。本文将首先介
[电源管理]车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力
品慧电子讯如今，出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战，特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外，随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能，必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。 高端车辆使用多达数百个ECU，这要求电源管理必须更高效，汽车电池和负载点之间的电源路径更安全，以减少电子器件失效情况发生。用电子保险(eFuse)代替传统保险丝，可以提高电气安全性。传统保险丝在导体过载时就会过热熔化，而电子保险则是控制输出电压，限制输出电流，为负载提供正确的电压和电流；在失效持续
[场效应管]Allegro面向48V电池系统的ASIL BLDC MOSFET栅极驱动器
AMT49100和AMT49101是Allegro针对48V电池系统而开发的N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以三相桥式布局设置的MOSFET，可用于具有高功率电感性负载的48V汽车功率应用。 AMT49100和AMT49101技术优势 AMT49101专为需要本地微处理器的系统而设计，能够针对控制器或传感器电路电源提供合适的低压稳压输出，并通过小型48L 7x7 QFP封装来优化系统PCB占位面积。 AMT49100和AMT49101可通过编程与固定频率降压稳压器一起工作，产生主稳压电压VREG，或通过外部产生的稳压电源驱动VREG端子。集成式诊断功能可提供对于多种内部故障、系统故
[互连技术]功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。功率MOSFET开关损耗有2个产生因素：1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。图1 功率MOSFET开通过程2）功率MOSFET输出电容COSS储存能量在开通过程中放电，产生开关损耗，高压应用中，这部分损耗在开关损耗中占主导作用。功率MOSFET零电压开关ZVS是其最常用的软开关方式
[电源管理]高压SiC MOSFET研究现状与展望
品慧电子讯碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压 SiC MOSFET 器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。1 引言电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域，高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。特高压交直流输电、新能源并网、电动
[电源管理]英飞凌推出PQFN封装的源极底置功率MOSFET
品慧电子讯未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。
[电源管理]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET
品慧电子讯中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL?封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，通过引入一个铜夹片将源极连接件
[电源管理]Vishay推出的新款对称双通道MOSFET
品慧电子讯美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET? Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。 日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板
[电源管理]瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
品慧电子讯2023 年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置
