[传感技术]意法半导体发布五款新一代SiC MOSFET功率模组
近日，意法半导体（ST）宣布，再度扩展碳化硅（SiC）产品线，推出了五款新一代SiC MOSFET 功率模组，其涵盖多种不同额定功率，且支持电动汽车电驱系统的常用运作电压。目前新的模组已被用于现代汽车（Hyundai）的E-GMP 电动汽车平台，以及共用该平台的起亚汽车（KIA） EV6 等多款车型。相较于传统硅基功率半导体，碳化硅元件尺寸更小，可以处理更高的工作电压，还有更快的充电速度及卓越的车辆动力性能。除此之外，碳化硅还能提升性能及可靠性并延长续航里程。电动汽车多个系统皆可使用大量的碳化硅
[传感技术]半导体繁荣之后是萧条？锴威特科创板之路要怎么走
图片来源@视觉中国文｜万点研究，作者｜林小白，编辑｜陈默默全球芯片产业至关重要，却非常脆弱，令人担忧。根据机构数据，整个芯片业在2021年的资本支出总共增加了35%-40%，是2017年以来的最大增幅。对两年来一直苦于芯片短缺的客户来说，这样的资金洪流是好消息。而对芯片业本身来说，这只是一个熟悉的模式再度上演。丰厚的收入驱使公司扩大产能，但建造一座芯片工厂至少要两年时间，而需求变化会快得多，因此这样的繁荣往往以萧条告终。美国半导体协会（SIA）发布的最新数据显示，2022年第三季度，
[传感技术]MOSFET恐将面临价格压力
PC、消费性市况在2022年第四季需求持续疲弱，且今年第一季客户端仍旧处于保守态度，使得MOSFET库存去化速度将比原先预期更加缓慢，供应链预期，最差情况可能要延续到今年第三季才可能逐步结束库存去化阶段。PC、消费性市况在历经2022年下半年的景气寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市场库存去化速度缓慢。供应链指出，先前晶圆代工产能吃紧，客户端重复下单情况在2022年下半年全面浮现，即便MOSFET厂已经大幅缩减投片量，但先前下单投片的晶圆仍需按照合约持续交货。在投片持续产出，加上客户
[传感技术]MOSFET恐将面临价格压力
?PC、消费性市况在2022年第四季需求持续疲弱，且今年第一季客户端仍旧处于保守态度，使得MOSFET库存去化速度将比原先预期更加缓慢，供应链预期，最差情况可能要延续到今年第三季才可能逐步结束库存去化阶段。?PC、消费性市况在历经2022年下半年的景气寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市场库存去化速度缓慢。供应链指出，先前晶圆代工产能吃紧，客户端重复下单情况在2022年下半年全面浮现，即便MOSFET厂已经大幅缩减投片量，但先前下单投片的晶圆仍需按照合约持续交货。?在投片持续产
[传感技术]如何为汽车智能配电系统选择功率开关管
今天，车企正在加快汽车技术创新步伐，开发出了电动汽车、网联汽车、自动驾驶汽车、共享汽车等全新的汽车概念。汽车电动化和数字化的大趋势包括区域控制架构、功率芯片驱动数字化、电池管理系统、功率电子和电源/能源管理。电控单元 (ECU)对更大功率、更高安全性的需求日益增长，推动系统设计人员去开发智能配电解决方案。 智能配电概念是一项非常成熟的技术，已经被传统燃油车配电解决方案所采用。智能配电子系统开始用于开发高可靠性、高能效的配电解决方案，这极大地影响了 ECU电控
[传感技术]英飞凌推出PQFN封装、双面散热、25-150V OptiMOS?源极底置功率MOSFET
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202301/442
[传感技术]电动车为什么需要前装应急电源？用什么实现？
尽管车辆母线电压在不断提高，汽车级认证耐压高达900V的器件也已接踵而至，而且不使用光耦器，可以实现更高输出精度，动态响应特性又非常好，有助于满足有功能安全要求的牵引逆变器电源" target="_blank">应急电源的需求。凡是驾龄长些的老司机都遇到过电瓶没电或电压太低打不着车的尴尬，要么需要叫救援，要么找人搭电。不管是燃油车还是电动车都会发生这样的情况。即使是特斯拉，也和所有汽油车一样，有一个12V小电池（俗称电瓶）。看看特斯拉的手册即可知道，那是一块铅酸
[传感技术]瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
2023 年 1 月 30日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔
[传感技术]瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快
[传感技术]Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计
Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET?Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR?3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。日前发布的双通道MOSFET可用来取代
[传感技术]瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。?栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75k
[传感技术]英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS?源极底置功率MOSFET
【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统
[传感技术]Vishay推出的新款对称双通道MOSFET 可大幅节省系统面积并简化设计
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET? Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202302/442870.htm日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个
[传感技术]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器
[传感技术]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202302/443002.htm近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL?封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，
[传感技术]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
?东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。???近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGLTM封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，通过引入一个铜夹片将源极连接件和外部引脚一
[传感技术]UCC5880-Q1是具有高级保护功能的汽车类 20A 隔离式可调 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器
产品详情描述：UCC5880-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调转换率栅极驱动器，旨在驱动EV/HEV应用中的高功率SiC MOSFET和IGBT。功率晶体管保护，如基于分流电阻器的过流、过热（PTC、NTC或二极管）和DESAT检测，包括在这些故障期间可选择的软关闭或两级软关闭。为了进一步减小应用尺寸，UCC5880-Q1集成了有源米勒钳位和有源栅极下拉，同时驱动器未通电。集成的10位ADC可监控多达2个模拟输入、VCC2、DESAT和AD7542KN栅极驱动器温度，以增强系统管理。集成了诊断和检测功能，以简化ASIL兼容系统的设计。这些功能的
[传感技术]东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。???近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL?封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，通过引入一个铜
[传感技术]集成四个MOSFET的南芯SC8721，一颗高效同步升降压变换器
前言上海南芯半导体科技有限公司，秉承不断创新的产品文化，致力于为业内提供高性能、高品质与高经济效益的IC解决方案。作为一家深耕DC-DC电源芯片领域的本土企业，南芯半导体以Buck-Boost为核心，为用户提供灵活、多用途、高品质且价格适中的电源管理方案，凭借其优秀的产品性能，已进入华为、三星、小米、Anker、mophie、OPPO、魅族、联想、南孚、努比亚、飞宇等国际化知名客户的供应链，成为中国电源界的一颗新星。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202302/443502.htm南芯针对升降压应用需求，推出了一
[电源管理]正确选择MOSFET以优化电源效率
【导读】优化电源设计以提高效率十分重要。提高效率不仅可以节省能源，减少热量产生，还可以缩小电源尺寸。本文将讨论如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的数量比，以提高电源设计的效率。 图 1 显示了一个具有 HS-FET 和 LS-FET 的简化电路。 图 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的电路 选择 MOSFET 时，如何恰当分配 HS-FET 和 LS-FET 的内阻以获得最佳效率，这对电源工程师来说是一项挑战。 MOSFET的结构和损耗组成 MOSFET 的选择关乎效率，设计人员需要在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 关闭
