[电源管理]充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们
【导读】如今，碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体风头正盛。但在此之前，绝缘栅双极晶体管 (IGBT)才是电力电子行业的主角。本文将介绍IGBT在哪些应用中仍能发挥所长，然后快速探讨一下这些多用途器件的未来前景。 焊接机 许多现代化焊接机使用逆变器，而非焊接变压器，因为直流输出电流可以提高焊接工艺的控制精度。更多优势还包括直流电流比交流电流更安全，并且采用逆变器的焊接机具有更高的功率密度，因此重量更轻。 图 1：焊接机框图 焊接逆变器常用的开关拓扑结构包括全桥、半桥和双管正激，而恒定电流是最常用的控制方案。
[电源管理]能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块
【导读】随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。 自推出以来，绝缘栅双极晶体管（IGBT）由于其高电压、大电流、低损耗等优势特点，被广泛应用于马达驱动，光伏，UPS，储能，汽车 等领域。 变频器 变频器由于“节能降耗”等优势，广泛的使用在电机驱动的各个领域。让我们先来走进变频器，看看变频器的典型电路。 “交—直—交”电路是
[光电显示]高集成度智能栅极驱动光耦通吃MOSFET和IGBT
【导读】光耦也叫光电耦合器，是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。光耦由发光源和受光器两部分组成，密闭于同一壳体内，彼此用透明绝缘体隔离。 东芝扩展了智能栅极驱动光耦产品线，近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦TLP5222。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器，光伏逆变器等的智能控制，有助于简化外围电路设计。 器件的基本特性 东芝TLP5222多功能栅极驱动光耦 TLP5222的主要特性如下： （1）内置保护操作
[电路保护]使用SiC MOSFET和Si IGBT栅极驱动优化电源系统
【导读】在电动汽车 (EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC) 逆变器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要精确的驱动电压（具体取决于所使用的器件）。 在电动汽车(EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC)逆变器中，碳化硅 (SiC)MOSFET和硅 (Si)IGBT是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要
[电路保护]具有反向阻断功能的新型 IGBT
【导读】新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型电路中的个样本进行了测量。新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型电路中的个样本进行了测量。简介：应用需要具有反向阻断能力的单向电流可控开关的典型电路可分为：传统电流源逆变器如图1所示具有电流源的谐振转换器如图 2
[电路保护]IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
【导读】本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极
[电源管理]IGBT如何选择，你真的了解吗？
【导读】最近，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多，受到广泛关注。然而，在这些新技术出现之前，许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，事实上，许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构，然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。 IGBT 器件结构 简而言之，IGBT 是由 4 个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (MOS) 栅极的电压进行控制。这一基本结构经过逐渐调整和
[电源管理]深度剖析IGBT栅极驱动注意事项
【导读】IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。 图 1. IGBT的等效电路 图 2. IGBT的导通电流 为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双极型晶体管的基极到其发射极的低阻抗路径。这会使晶
[电源管理]IGBTs给高功率带来了更多的选择
【导读】绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合（GaN和SiC），Nexperia （安世半导体）正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。 系统电气化和可再生能源的不断
[电源管理]了解这些 就可以搞懂 IGBT
【导读】绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。 图1. IGBT 电路图符号 01 IGBT特点 IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。IGBT与MOSFET一样通
[电源管理]IGBT单管数据手册参数解析——下
【导读】IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。 在上篇《IGBT单管数据手册参数解析——上》中，我们介绍了IGBT的命名、最大额定值及静态参数。今天我们介绍动态特性、开关特性及其它参数。 4.动态特性 ● 输入电容，输出电容和反向传输电容Cies，Coes和Cres 输入电容Cies，是Cres同CGE之和，是设计驱动的一个关键参数。它在每个开关周期进行充电和放电，它定义了栅极驱动损耗。另一方面，CGE减少了在半桥拓扑中
[互连技术]绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
【导读】尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件感到兴奋，但硅基绝缘栅双极晶体管(IGBTs)在今天比以往任何时候都更加重要。在我们10月份发布的电动汽车电力电子报告[2]中，TechInsights预测，xEV轻型汽车动力总成的产量将从2020年的910万增长到2026年的4310万，这使得其复合年增长率(CAGR)达到25%。SiC MOSFET目前预计占市场的约26%，到2029年预计将占市场份额的50%。 一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中，我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展[1]。 尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件
[电源管理]1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用
【导读】英飞凌TRENCHSTOP? IGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化，并配备了全电流EC7 rapid二极管。凭借极低的开关损耗、导通损耗和丰富的产品系列，H7单管正在成为光伏和储能应用的新星。 产品特点 ● 按照应用需求去定义产品，去掉短路能力从而获得更低的开关损耗和导通损耗，如图1所示。完美适配于不需要短路能力的光储等应用。 ● 1200V H7系列有四种封装，电流规格覆盖40A-140A。其中140A的电流规格为市场首发，如图2
[传感技术]天龙股份：开发的IGBT功能承载模块目前已收到日立集团小批量订单
证券时报e公司讯，天龙股份近日在投资者互动平台表示，公司为客户开发的定制化的IGBT功能承载模块，是应用于新能源汽车PCU动力控制单元核心部件之一，目前已收到日立集团小批量订单，已顺利量产，该项目目前间接供货于本田下一代混动类新能源汽车，同时公司上半年也顺利开发了标准化的IGBT功能承载模块，应用于新能源汽车主驱动，并拿到了客户的项目定点，预计明年3月份开始量产，间接供货给江淮等新能源汽车。
[传感技术]重磅！发现英飞凌大量IGBT缺陷产品，扰乱现代汽车供应链
重磅！发现英飞凌大量IGBT缺陷产品，扰乱现代汽车供应链 导语：IGBT是电源转换的核心器件，由双极型三极管和MOSFET组成，适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统。目前，全球IGBT市场格局主要由英飞凌、安森美、意法半导体、富士电机、三菱电机等海外功率半导体厂商主导，尤其在中高端市场。不过，现在连龙头也开始“掉链子”了。刚刚最新消息，韩国现代汽车旗下IONIQ 5车型可能要面临一段时间的停产，原因是向其供应动力模块芯片（IGBT）的全球最大
[传感技术]一个器件卖出500亿！IGBT国产厂商纷纷加速“上车”
一个器件卖出500亿！IGBT国产厂商纷纷加速“上车” IGBT：功率器件领域最具发展前景的赛道IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极结型晶体管，即三极管）和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管）两种结构复合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT同时具备MOSFET输入阻抗高、开关速度快、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小以及BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。因此,IGBT驱动功率小而饱和压
[传感技术]汽车缺芯从MCU转到IGBT，碳化硅功率器件“解不了近渴”？
汽车行业分析公司AFS的最新数据显示，由于芯片短缺，今年全球汽车市场累计减产量约为281.02万辆。AFS预测，到今年年底，全球汽车制造商将减产368.06万辆。在过去的两年里，全球范围内的芯片短缺令所有人措手不及，其中最受影响的就是汽车芯片，导致各大汽车厂商陷入“停产待芯”的境地，纷纷放出了减产的消息。而近期，消费电子类的芯片需求大幅降低，出现减产砍单的现象，各大芯片厂商也将产能偏移向了更热门的汽车芯片，并且更多的厂商也加入了汽车芯片的生产行列，于是就有“汽车芯片已经不再紧缺”的消息传出。但据
[传感技术]英飞凌产品缺陷事件引发车用IGBT芯片市场震动！
近日有消息称，汽车功率半导体领域龙头老大英飞凌向韩国现代汽车IONIQ 5供应的IGBT芯片，出现大量缺陷产品。这将导致IONIQ 5近两个月的芯片全部报废，IONIQ 5的生产将有可能暂时停产，新车的交付时间预计将会延期一年以上。IGBT正是当下最为紧俏的汽车芯片，英飞凌作为全球第一的IGBT供应商，此次出现产品缺陷，可谓是让本来就紧张的IGBT市场雪上加霜。全球IGBT市场规模数据来源：根据公开资料整理赛迪顾问集成电路中心高级咨询顾问池宪念表示，英飞凌在IGBT领域的市场占比全球领先，此次产品缺陷会让全球IGBT供应变得
[传感技术]英飞凌产品缺陷事件引发车用IGBT芯片市场震动！
? ? 近日有消息称，汽车功率半导体领域龙头老大英飞凌向韩国现代汽车IONIQ 5供应的IGBT芯片，出现大量缺陷产品。这将导致IONIQ 5近两个月的芯片全部报废，IONIQ 5的生产将有可能暂时停产，新车的交付时间预计将会延期一年以上。? ? IGBT正是当下最为紧俏的汽车芯片，英飞凌作为全球第一的IGBT供应商，此次出现产品缺陷，可谓是让本来就紧张的IGBT市场雪上加霜。? ? 全球IGBT市场规模?? ? 数据来源：根据公开资料整理? ? 赛迪顾问集成电路中心高级咨询顾问池宪念表示，英飞凌在I
[传感技术]高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目在成都开工
“成都高新“消息，8月8日，高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目在成都高新西区开工。据介绍，项目总投资约10亿元，建成投产后将为包括森未科技在内的功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等，实现年营收9亿元、年税收7000万元。预计明年8月即可建成投产。项目运营方为成都高投芯未半导体有限公司，是成都高新投资集团有限公司与成都森未科技有限公司合资设立的法人企业，主要从事IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率半导体芯片及产品的设计、开发、销售，是我
