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[传感技术]吉利也要自制IGBT功率模块，一期年产60万套

吉利招标平台发布了一则《晶能微电子一期工厂改造项目监理工程招标公告》。该公告指向，吉利加入IGBT封装的自制队伍。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202212/441417.htm从开发走向制造晶能微电子一期工厂改造项目租赁乐坤产业园 A-3 的314单元约 5000 平万米，建设年产60万套IGBT 功率模块的一期工厂，主要包括 3000 平方米的万级洁净室及实验室，1000平方米的动力站，1000 平方米的仓库及办公区。本项目位于杭州市余杭区钱江经济开发区，杭州钱江经济开发区于2006年3月6日经浙江省人民政府批准设立，是

[传感技术]谁将成为中国的车用IGBT龙头？

?回顾中国IGBT的发展历史，会发现有三个时间节点。 2005年，斯达半导体在浙江嘉兴成立，中车时代电气在湖南省工商行政管理局登记成立，中国IGBT刚刚起步。 2008年10月，比亚迪以1.7亿元收购宁波中纬，月底，中车时代电气收购丹尼克斯75%的股权，国产IGBT进入蓄力阶段。进入2021年之后，新能源汽车爆发，斯达、中车时代以及比亚迪半导体已经有了技术沉淀，车用IGBT竞争正在加剧。新能源汽车一超多强2022年，新能源汽车爆发，市

[传感技术]车规级IGBT模块持续放量头部公司订单饱满纷纷扩产

?虽然半导体周期出现阶段性调整，但受益于新能源汽车、新能源发电等需求推动，以IGBT（绝缘栅双扱晶体管）为代表的功率器件强势增长，A股相关IGBT公司订单量饱满，产能供不应求。车规级IGBT模块持续放量作为IGBT龙头，斯达半导体今年前三季度实现净利润达到5.9亿元，同比增长1.21倍，增速超过营业收入，销售毛利率达到41.07%，环比提升。在12月5日斯达半导三季度业绩说明会上，公司高管介绍，近几个季度营收增长主要驱动力来自公司产品在新能源汽车、光伏、储能、风电等行业持续快速放量，市场份额不断

[传感技术]IGBT在新能源汽车的应用

IGBT是开关半导体器件，可以说是新能源汽车的核心零部件，被称为新能源汽车的“大脑”是电力电子装置中最基本、最重要、也是用途最广的功率半导体器件。一、它具有沟道长度短、反向恢复电流大而漏电流小的特点，因此有很高的开关速度；在通态时它的导通电压为50V，关断时为30V。IGBT的特点是具有大电流密度、高抗压强度和高可靠性以及较宽的工作温度范围等特性；主要应用于大功率电源电路中的整流、逆变、变频等电路中。其工作原理是由 IGBT串联二极管构成双二极管桥式整流电路；其特性与功率

[电源管理]英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT

【导读】英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技术，具有最低的导通损耗和开关损耗，这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc。 120-200A 750V EDT2工业级分立IGBT，采用可回流焊，电阻焊的TO-247PLUS SMD封装产品型号： ?? IKQB120N75CP2 ?? IKQB160N75CP2 ?? IKQB200N75CP2 采用750V EDT2 IGBT技术，具有最低的导通损耗和开关损耗，这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc。高可靠的产品，采

[电源管理]针对电动马达控制，在指定绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 时的考虑

【导读】针对所有的应用，人们越来越注意电动马达的运作效率；因此，对高效率驱动器的需求变得日益重要。此外，使用马达驱动的设计，例如电动马达、泵和风扇，需要降低整体成本，且需要减低这些电动马达应用中的能耗；因此，为电动马达及其的驱动指定高效率的设计，以适合每项特定应用变得更加重要。面对今日要求更高的电压或更高的电流以及更低频率的电动马达驱动应用，广为人知且被广泛使用的开关组件解决方案绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 即是一项绝佳的选择。因为多数马达在较低频率运作，要求可靠的安全工作区（SOA）和短路额定值，且需要

[电源管理]相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？

【导读】随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势，因为使用更高的电压意味着系统可以在更低的电流下运行，同时实现相同的功率输出。较低电流的优点是损耗较低，需要管理的热耗散较少，还有利于使用更小的电缆为整个车辆供电。不断发展

[互连技术]快速开关TRENCHSTOP 5 IGBT

【导读】紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数(PF)。特别是空调，其额定功率为1.8kW或更大，是最耗电的设备之一。在这里，功率因数校正(PFC)是强制性的，对于PFC，设计者认为IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是具有最高性价比的开关器件。紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数(PF)。特别是空

[互连技术]IGBT模块是如何失效的？

【导读】IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装。1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。从上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金属散热板（通常选用铜）三部分组成。DBC由三层材料构成，上下两层为

[电路保护]为什么IGBT是适合斩波应用的器件

【导读】斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和可靠性，因此，如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和可靠性，因此，如何选择斩波电路和斩波器件十

[传感技术]基于TRENCHSTOP? IGBT7 PrimePACK? 的兆瓦级T型三电平桥臂模块组

新品?基于TRENCHSTOP? IGBT7的PrimePACK? 1500V直流NPC2三电平桥臂模块组，风冷条件下系统功率1.8MW。?产品描述：??? FF1800R23IE7，FF1800R23IE7P 1800A 2300V 半桥?? FF2400RB12IP7，FF2400RB12IP7P 2400A 1200V 共集电极双管*有带预导热材料型号?新的PrimePACK? 2300V IGBT模块主要是为1500V逆变器开发的。它的特点是在1500V工作电压下，直流稳定性比较好，即在宇宙辐射下具有很高的鲁棒性，以及175℃的过载结温可以支持LVRT等故障模式。此外，与IGBT4解决方案相比，该模块实现了更高的功

[传感技术]IGBT依旧火热，国内企业崛起有望替代国外

? ?　功率半导体是半导体行业的细分领域，虽不像集成电路一样被大众熟知，但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种，作为电子电力装置和系统中的“CPU”，高效节能减排的主力军。　　IGBT是一个MOSFET和一个BJT(双极型三极管)混合形成的器件，但相比于MOSFET制造难度更高、结构更复杂，可承受的电压也更大。一般MOSFET器件或模组的可承受电压范围为20-800V，而IGBT可承受1000V以上的高电压，因而是电力电子领域较为理想的开关器件。　　主要功能:　　IGBT通过脉宽调制，可以把输入的直流

[传感技术]欧洲43家机构联手，打造了新型IGBT

?近日，英飞凌科技股份公司宣布，欧洲合作项目 Power2Power 已成功完成。据介绍，三年来，欧洲43家产学研合作伙伴共同开发了具有更高功率密度和能效的新型功率半导体。功率半导体在能量转换的所有阶段都是必不可少的：电流的产生、传输和使用。尽管全球能源需求不断增加，但更高效的半导体为减少二氧化碳排放做出了重大贡献。大学、研究机构、中小企业和跨国公司参与了这个由 Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG 协调的项目。?“气候变化是我们这个时代面临的巨大挑战，”英飞凌科技股份公

[传感技术]2022年半导体行业回顾之IGBT：终端导入国产IGBT产品加速，供应仍然紧张

　　2022年只剩下几天的时间了，今年发生了太多的事情，半导体行业也不例外，在经历了去年轰轰烈烈的供应紧张之后，今年不少半导体器件出现了供应过剩的情况。11月中旬的时候，电子发烧友网与一些行业内人士交流的时候，有人透露有些元器件的库存超过了1年，当然，这不包括这几年需求一直都很坚挺的IGBT器件。　　1982年，通用电气的B?贾扬?巴利加发明了IGBT，它集合了双极型功率晶体管(BJT)和功率MOSFET的优点，一经推出，便引起了广泛关注，各大半导体公司都投入巨资开发IGBT器件。随着

[传感技术]博敏电子拟投建IGBT陶瓷衬板及IC封装载板生产基地

博敏电子1月3日发布公告称，公司于 2022 年 12 月 30 日召开第四届董事会第二十五次会议，审议通过了《关于公司对外投资的议案》，公司拟与合肥经开区管委会签署《投资协议书》，拟在经开区内投资博敏陶瓷衬板及 IC 封装载板产业基地项目，项目投资总额约 50 亿元人民币，投资建设 IGBT 陶瓷衬板及 IC 封装载板生产基地。项目投资总额约 50 亿元人民币，选址位于合肥新桥科技创新示范区，占地约 190 亩(具体面积以实测为准)，主要从事 IGBT 陶瓷衬板，以及针对存储器芯片、微机电系统芯片、高速通信市场及 Mini LED

[传感技术]博敏电子拟投建IGBT陶瓷衬板及IC封装载板生产基地

[传感技术]瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

2023 年 1 月 30日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔

[传感技术]瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快

[传感技术]瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。?栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75k

[传感技术]新品 | IMI111T - iMOTION?带有微控制器、栅极驱动器和IGBT的IPM智能功率模块

集成了电机控制器、三相栅驱动器600V/2A和600V/4A IPM, 在没有散热器情况可以驱动50W/70W电机，目标应用为大小家电和风机水泵。?产品型号：IMI111T-026H：2A 600V IPMIMI111T-046H：4A 600V IPM?iMOTION? IPM集成了电机控制器、三相栅驱动器和600V/2A和600V/4A IGBT，采用DSO-22封装。?IMI111T器件不需要散热器，可用于风扇的电机驱动，风扇应用的典型输出功率为50W/70W。最大器件耐压为600V，根据系统的设计情况，输出更高的功率也是可能的。?英飞凌经过实际客户产品验证的MCE在无传感器