[电源管理]新型SiC功率模块以之Si IGBT，在更小的封装内提供更高的功率密度
品慧电子讯：随着包括发电、储能和交通运输在内的众多应用转向电力驱动，需要构建更高性能的电力转换和控制系统，推进以电力驱动的系统的未来发展。为此，对于更紧凑、更高功率密度和可高温工作电源模块的需求变得越来越大。直到最近，功率模块市场仍被硅（Si）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）把持。需求的转移和对更高性能的关注，使得这些传统模块不太适合大功率应用，这就带来了 SiC 基功率器件的应运而生。新型 SiC 基器件比之 Si 基器件，能够在更小的空间内提供更高的电压和电流性能（功率），从而催生了具有最小寄生效应和可高温工作的
[互连技术]IGBT的开关频率上限有多高？
品慧电子讯首先，开关频率是指IGBT在一秒钟内开关次数。而在确定的母线电压和导通电流下，IGBT每次开关都会产生一定的损耗，开通损耗是Eon，关断损耗是Eoff，还有二极管反向恢复也有损耗Erec。首先，开关频率是指IGBT在一秒钟内开关次数。而在确定的母线电压和导通电流下，IGBT每次开关都会产生一定的损耗，开通损耗是Eon，关断损耗是Eoff，还有二极管反向恢复也有损耗Erec。IGBT的开关频率越高，开关次数就越多，损耗功率就也高，那乘以散热器的热阻后，IGBT的温升也越高，如果温度高到超出了IGBT的上限，那IGBT就失效了。
[电源管理]一文看懂IGBT相关知识
品慧电子讯IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。本文将为大家详细介绍IGBT相关知识。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT是能源转换与传输
[电源管理]识别MOS管和IGBT管的方法
品慧电子讯MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。以下为大家介绍识别MOS管和IGBT管的方法。MOS管MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。IGBT管IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组
[电源管理]堪称工业中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
品慧电子讯IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“
[互连技术]解析高压IGBT模块在湿度影响下的寿命预估模型
品慧电子讯本文介绍了高压IGBT模块在湿度影响下的寿命预估模型。此模型涉及的湿度加速因子是从温湿偏置试验中提取的；高压IGBT的温湿偏置试验在不同的湿度和不同的电压下进行测试，目的是为了找出湿度和电压对高压IGBT寿命的影响。最终，我们把湿度和电压对高压IGBT寿命的影响以及温度因数都集成到寿命预估模型中。通过试验，我们同时发现湿度对高压IGBT模块的寿命有很大影响。1、引 言在一些电力电子应用场合，不仅需要高压IGBT模块有优异的性能，还需要具有相当高的可靠性；为了满足实际需求，希望高压IGBT模块的寿命能达到30年，
[互连技术]高效能IGBT为高功率应用加把劲
品慧电子讯IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是电源应用中相当常见的器件，可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体（ON Semiconductor）所推出的TO247-4L IGBT将可为相关应用提供更高的效能与更佳的成本效益，究竟它是如何办到的？让我们来进一步深入了解。通过TO-247-4L IGBT封装减少Eon损耗IGBT是主要用作电子开关的三端子功率半导体器件，正如其开发的目的，结合了高效率和快速的开关功能，它在许多应用中切换电力，像是变频驱动（VFD）、电动汽车、火车、变速冰箱、灯镇流器和空调。传统的双极结型晶体管（Bipola
[发光二极管]IGBT晶体管基础知识
IGBT晶体管基础知识 在技术讲解之前的。回答下列的重要问题，将有助于为特定的应用选择适当的IGBT。 非穿通（NPT）和穿通(PT)器件之间的差异，以及术语和图表将稍后解释。1. 什么是工作电压？ IGBT的关断电压最高应不超过VCES的80%。2. 这是硬或软开关？PT器件更适合于软开关，因其可以减少尾电流，但是，NPT器件将一直工作。3.流过IGBT的电流都有什么？首先用简短的语言对用到的电流做一个大致的介绍。对于硬开关应用，频率—电流图很有用，可帮助确定器件是否适合应用。在应用时需要考虑到数据表由于测试条件不同而存在的差异，如何
[电容器]基于IGBT的缓冲电路怎样选择电容？电容大小不同导线该如何选择？
不同的电容该如何选择导线？我们就来具体介绍一下。绝缘导线是指在导线外围均匀而密封地包裹一层不导电的材料，如：树脂、塑料、硅橡胶、PVC等，形成绝缘层，防止导电体与外界接触造成漏电、短路、触电等事故发生的电线叫绝缘导线。 导线根据其截面面积可分为2.5、4、6、10、16、25、35、50、70、95、120、150、185平方毫米等规格，不同截面的导线所能承受的电流值是不相同的，我们可以通过以下公式，来计算出电流值，再根据表1对照选择合适截面面积的导线。I=Q/1.732UI---电流 Q---电容容量 U---电压表1 不同规格绝缘BV线的
[电感器]EMC电路中电感有什么作用？IGBT凌乱电感排列规则
EMC电路中电感有什么作用？EMC电感用在输入和输出滤波器可以用来减少传导干扰，用于低于EMc标准的限制设计。所有的电感器都需要铁粉磁心而非铁氧体。在它饱和前，可以处理更大电流，需要依据负载选择合适的电流值。制作滤波电感选用何种磁心材料，除了必须注意防止磁心饱和问题外，还必须考虑到磁心的恒磁导电特性。需要指出的是，有些设计人员往往只注意电感量的指标，选择磁导率高的材料，以减少线圈的匝数，而对于电感额定电流较大时，电感量是否减少，减少到什么程度，会不会达到饱和，对这些因素考虑较少，这是应该注意避免的。
[电阻器]正弦交流电电路中电阻有何作用？IGBT电路中栅极电阻的选取规则及工作原理
正弦交流电电路中电阻有何作用？电阻元件两端的电压与通过它的电流之间关系受欧姆定律约束。当正弦电流流过电阻R时，如图所示，选定电压与电流的参考方向一致，则根据欧姆定律有： 若选电流i为参考正弦量，则，代入上式有： 电流与电压的波形示于图中。由上可见，当流过 电阻的电流为正弦函数时，电阻上的电压是与电流同频率的正弦量。电流与电压同相位，它们的有效值也服从欧姆定律，即： 如果用相量形式来表示，则有 上式是复数形式的欧姆定律表达式。该式同时表述了电阻元件上，正弦电压与电流之间的相位关系和
[互连技术]集成分流器的EconoDUAL? 3 IGBT模块有助于降低系统成本
品慧电子讯英飞凌科技股份公司将EconoDUAL™ 3模块集成度提升到一个全新水平：通过集成分流电阻，在交流路径上进行电流监测。这些器件的应用有助于逆变器制造商降低成本、提高性能并简化设计。集成分流器的EconoDUAL 3模块可广泛用于多种应用领域，如通用变频器、不间断电源和太阳能逆变器等。另外，也非常适合用于电动农业和商用车辆及电动客车。新一代逆变器旨在降低成本并增加功率密度，同时确保延长使用寿命。到目前为止，这方面的持续改进仍局限于IGBT电气性能、二极管及封装技术。EconoDUAL 3将逆变器相应功能集成于IGBT模
[通用技术]功率半导体，大涨价下的国产替代之路
品慧电子讯：功率半导体器件可以用来控制电路通断，从而实现电力的整流、逆变、变频等变换。一般将额定电流超过 1A 的半导体器件归类为功率半导体器件，这类器件的阻断电压分布在几伏到上万伏。常见的功率半导体器件有金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块等。半导体功率器件广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域，渗透进了人们生活的方方面面。从 2016 年下半年开始，功率半导体器件行情回暖，需求持续旺盛，但是受限于产能，原厂交货周期开始延长。一般来说 MOSFET、整流管和晶闸管的交货周
[电源管理]IGBT的结构与各种保护设计方法详解
GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。IGBT的结构IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶闸管的擎住作用。IGBT的低掺杂N漂移区较宽，因此可以阻断很高的反向电压。IGBT的结构、符号及等效电路IGBT的各种保护设计方法IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电
[三极管]绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS，额定电流密度100A/cm2，电压驱动，自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。 IGBT可以耐高压、大电流，常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上，下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。
[电源管理]小小一颗IGBT如何撬动电动汽车逆变器？
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求，其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制，面临诸多挑战。本文设计一种驱动供电电源，并通过实际测试证明其可用性。常见的驱动电源采用反激电路和单原边多副边的变压器进行设计。由于反激电源在开关关断期间才向负载提供能量输出的固有特性，使得其电流输出特性和瞬态控制特性相对来说都比较差。在100k
[电容器]Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月8日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块上，容量从0.047µF到10µF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰（EMI）的重要来源。典型应用包括
[电阻器]IGBT元件的构造与特征
IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以下种种特征。(1) MOSFET的基本结构 (2) IGBT的基本结构图 1-1 功率MOSFET 与IGBT 的构造比较1.1 电压控制型元件IGBT 的理想等效电路，正如图 1-2 所示，是对pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。因此，在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，pnp 晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻，从而使pnp 晶体管处于导通状态。此后，使门极—发射极之间的电压为0V 时，首先功
[马达控制]电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计及可用性测试
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求，其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制，面临诸多挑战。本文设计一种驱动供电电源，并通过实际测试证明其可用性。常见的驱动电源采用反激电路和单原边多副边的变压器进行设计。由于反激电源在开关关断期间才向负载提供能量输出的固有特性，使得其电流输出特性和瞬态控制特性相对来说都比较差。在100k
[电源管理]对比分析：DC-DC变换器的硬开关MOS和IGBT损耗对比
DC-DC变换器具有两种启动运行方式，分别是硬开关和软开关。但是硬开关的开关盒关断两种损耗是不同的。具体损耗的程度我们来看一下这两种损耗的对比分析。 DC-DC变换器目前有软开关和硬开关两种不同的启动运行方式，而MOS和IGBT在硬开关的前提下其开关损耗也是各有不同的。首先我们来看一下当DC-DC转换器处于硬开关条件下时，MOS和IGBT在开通损耗方面的不同之处。由于MOSFET 的输出电容大，器件处于断态时，输入电压加在输出电容上，输出电容储存较大能量。在相继开通时这些能量全部消耗在器件内，开通损耗大。器件的开通损耗和输出电容成正
