[传感技术]比亚迪半导体再获“新援” 国产IGBT迎机遇？
因为美国针对华为发布禁令，致使华为芯片供应链遭受巨大挑战的事件，现在国内外对于半导体议题都非常关注。近期，另一则关于半导体的新闻备受各方瞩目，并且这是好消息。据悉，比亚迪半导体将以增资扩股的方式引入30位战略投资者。 6月15日，比亚迪发布公告称，该公司控股子公司比亚迪半导体以增资扩股的方式引入30位战略投资者，投资者名单中包括了小米、联想、碧桂园等国内知名企业。公告表示，本轮投资者按照目标公司的投前估值人民币75亿元，拟向比亚迪半导体合计增资人民币8亿元，合计将取得比亚迪半导体增
[传感技术]国产功率器件的强大气势？华润微IGBT销售额增长45%
据悉，国内功率半导体公司龙头华润微 IGBT 产品去年实现销售收入约 6000 万元，销售额同期增长 45%，今年目标是维持去年同期增速；在晶圆产线方面，华润微已实现 6 英寸晶圆片国产化，12 英寸晶圆产线将在年内启动。 目前，华润微 IGBT 产品主要应用为逆变焊机、感应加热、UPS、逆变器、变频器、电机驱动、工业电源等，前五大应用分别是低速电动车、手机及附件、家电（黑白电及小家电）、照明及电动工具，其余应用范围有服务器、UPS、消防烟报、工业控制及汽车电子等。 华润微披露，生产模式上，目前公司的绝
[传感技术]IGBT市场巨头林立 比亚迪半导体突围不易
作为目前国内仅有的一家可独立研发制造车规级IGBT芯片的车企，比亚迪在新能源汽车用 IGBT市场的成绩无疑是令人羡慕的。然而放眼全球IGBT市场，比亚迪半导体所占据的市场份额却不足2%，与英飞凌、三菱、富士电机、安森美、ABB等跨国巨头相比，还有很大的差距。而且IGBT技术实力方面，比亚迪半导体也明显落后，这意味比亚迪在IGBT市场的向上之路并不好走。 比亚迪剥离半导体业务 IGBT外供提速 4月14日，比亚迪发布公告称近期通过下属子公司间的股权转让、业务划转，公司已完成了对全资子公司深圳比亚迪微电子有
[场效应管]聊聊二合一加强版的IGBT以及前身半导体器件
基于Si半导体，从物理性质→pn结→pin结→BJT(晶体管)→SCR(晶闸管)→MOSFET→IGBT的概述，以载流子的工作机理贯穿，重新聊聊作为“二合一”加强版的IGBT以及前身半导体器件的整个路径。 “一千个人眼里有一千个哈姆雷特”，任何一个事物从不同的方向深入都会有不同的见解，更何况IGBT这么一个横向纵向都涉及得太多太多的器件。我们不止一次地聊它，当然，今天也肯定不会是最后一次。 从p型和n型半导体，到最基础的pn结，到pnp/npn的BJT，到pnpn的晶闸管，再到单极性器件MOSFET，再到最终的IGBT，一步步折中优化，使IGBT成为当今功率
[传感技术]加强研究汽车级IGBT及其封装技术十分关键
新能源汽车区别于传统汽车最核心的技术是三电系统：电池、电机和电控（见图 1）。 电机控制系统是新能源汽车产业链的重要环节，电控系统的技术水平直接影响整车的性能和成本。其中， 电控系统应用的核心部件——IGBT 拥有高输入阻抗、高速开关和导通损耗低等特点，在高压系统中担负着极其重要角色： 在主逆变器（Main Inverter）中，IGBT 将高压电池的直流电转换为驱动三相电机的交流电； 在车载充电机（OBC）中，IGBT 将 220 V 交流电转换为直流并为高压电池充电； 在 PTC、DC/DC、水泵、油泵、空调压
[传感技术]Power Integrations推出SCALE-2即插即用型门极驱动器：简单易用，适用于压接式IGBT模块
中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations近日推出1SP0351 SCALE-2?单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器，新产品专为东芝、Westcode和ABB等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成，非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。1SP0351驱动器装备了动态高级有源钳位功能(DAAC)、短路保护、板载DC-DC电源、副方+15V开通电压稳压、DC-DC过载监控以及电源电压监控。此外，还提供有源米勒钳位特性。与传统
[传感技术]传感器专家网教您如何快速解决电磁炉igbt温度传感器故障
大家在平常生活里用电磁炉多吗?相信很多人会经常用到电磁炉的最普遍的原因都是煮火锅吧!电磁炉加热速度快，还便于控制温度，简直就是在家煮火锅的绝佳神器。但是如果igbt温度传感器故障的话，电磁炉就不能用了，那么接下来就让传感器专家网教您如何快速解决电磁炉igbt温度传感器故障吧! 电磁炉igbt温度传感器故障 造成电磁炉IGBT管损坏的主要原因是什么？ 在电磁炉的维修中，功率管(igbt)的损坏占有相当大的比例，若没有查明故障原因就贸然更换功率管，会引起再次损坏在此给出功率管的常见八大原因，
[电源管理]英飞凌推出带有微控制器、栅极驱动器和IGBT的IPM智能功率模块
集成了电机控制器、三相栅驱动器600V/2A和600V/4A IPM, 在没有散热器情况可以驱动50W/70W电机，目标应用为大小家电和风机水泵。 产品型号：（需要样品与详细资料可直接联系品慧电子） ● IMI111T-026H：2A 600V IPM ● IMI111T-046H：4A 600V IPM iMOTION? IPM集成了电机控制器、三相栅驱动器和600V/2A和600V/4A IGBT，采用DSO-22封装。 IMI111T器件不需要散热器，可用于风扇的电机驱动，风扇应用的典型输出功率为50W/70W。最大器件耐压为600V，根据系统的设计情况，输出更高的功率也是可能的。 英飞凌经过实际客户产品
[电源管理]英飞凌推出基于TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK的兆瓦级T型三电平桥臂模块
品慧电子讯基于TRENCHSTOP? IGBT7的PrimePACK? 1500V直流NPC2三电平桥臂模块组，风冷条件下系统功率1.8MW。 产品描述： ?? FF1800R23IE7，FF1800R23IE7P 1800A 2300V 半桥 ?? FF2400RB12IP7，FF2400RB12IP7P 2400A 1200V 共集电极双管 *有带预导热材料型号 新的PrimePACK? 2300V IGBT模块主要是为1500V逆变器开发的。它的特点是在1500V工作电压下，直流稳定性比较好，即在宇宙辐射下具有很高的鲁棒性，以及175℃的过载结温可以支持LVRT等故障模式。此外，与
[电源管理]瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
品慧电子讯2023 年 1 月 30日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置
[电源管理]为什么逆导型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC电路
品慧电子讯对于功率因数校正（PFC），通常使用升压转换器Boost拓扑结构。它可以最大限度地减少输入电流的谐波。同时IGBT是大功率PFC应用的最佳选择，如空调、加热、通风和空调（HVAC）以及热泵。 理论上，在连续导通模式（CCM）下，通过IGBT反向续流永远不会发生。然而，在轻负载或瞬态条件下，由于升压电感Lboost和IGBT的输出电容Coss之间的共振，会有反向电流流过。 这个谐振电流，iQN(t)是由以下公式给出的。 谐振期间IGBT两端的电压（VCE）可以得出： 当输入电压Vin低于输出电压的一半时（Vin<vout/2），开关管的电压VCE变为负
[电源管理]一文搞懂IGBT的损耗与结温计算
品慧电子讯与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。 本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。 损耗组成部分 根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断
[电源管理]如何手动计算IGBT的损耗
品慧电子讯现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。我们先来看一个IGBT的完整工作波形：IGBT的损耗可以分为开关损耗和导通损耗，其中开关损耗又分为开通和关断两部分，下面我分别来看一下各部分的计算推导过程。开关损耗-开通部分我们先来看一下
[通用技术]IGBT单管数据手册参数解析（上）
品慧电子讯IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。 英飞凌的IGBT数据手册通常包含以下内容： 1. 封面，包括器件编号，IGBT技术的简短描述，如果是带共封装续流二极管的器件，数据手册也会包括二极管的功能，关键参数，应用以及基本的封装信息。2. 最大额定电气参数和IGBT热阻/二极管热阻3. 室温下的电气特性，包括静态和动态参数4. 25°C和150°C或175°C时的开关特性5. 电气特性图表6. 封装图7. 关键参数的定义
[电源管理]新一代1700V IGBT7技术及其在电力电子系统中的应用优势
EconoDUAL?3是一款经典的IGBT模块封装，其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器（SVG）和风电变流器，覆盖了中功率和一部分大功率的应用场合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700V IGBT7技术开发了新一代的EconoDUAL?3模块，并率先推出了900A和750A两款新产品。本文首先分析了上一代最大电流等级600A的产品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型应用，然后介绍了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA?3模块的性能优化。通过与FF600R17ME4对比，分析了900A和75
[电源管理]低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求
本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。950V IGBT结构基于微沟槽理念，与典型1200V技术相比，新型950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用，本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术，近期推出的无基板Easy3B解决方案实现了全集成1500V ANPC拓扑结构。该拓扑结构的额定电流达到400A，而杂散电感低至仅15nH。1.引言提升开关速度、提高开关频率和增大功率密度是目前现代功率半导体器件主要的发展方向。特别是在光伏逆变器领域，开关速度、开
[电路保护]IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过，上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI，而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。 图1：DGD0216 的栅极驱动组件上图展示的是来自Diodes的DGD0216栅极驱动器组件。通过仔细选择RG和RRG，可以有选择地控制IGBT栅极驱动器的上升和下降时间。开启时，所有电流将通过RG流过IC，并对IGBT栅极电容充电，因此增加或减少RG将相应地增加或减少应用中的上升时间。随着DRG的添加，下降时间可以独立控制，因为关断电流从IGB
[电源管理]ABB采用IGBT7的新一代高功率密度变频器ACS180系列
品慧电子讯变频器是各行业中至关重要的节能设备，ABB传动一直致力于用先进的产品和技术，创新的解决方案为客户创造价值，提高生产效能水平，助力变频器产业升级。ACS180紧凑型变频器是ABB北京设计的最新一代变频器产品，它体积小巧，使用方便，稳定可靠，应用广泛，具有很高的性价比，是各种紧凑型设备的可靠之选。ACS180 400V电压等级的R0至R2框架均使用了来自英飞凌的IGBT7技术。以ACS180-04x-17A0-4型号为例，得益于新技术的应用，其功率密度再上一个台阶。 ACS180-04x-17A0-4变频器主要参数变频器尺寸: 202mm(高度)x120mm(宽度)x143mm
[电源管理]IGBT适用于ZVS 还是 ZCS？
品慧电子讯提到软开关技术，大家耳熟能详的有零电压开通ZVS（Zero voltage switching） 和零电流关断ZCS（Zero current switching），同时，尤其是在现在的电源产品中，绝大多数的采用软开关拓扑的电源产品都选择了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同学提到ZVS时想到的主要功率器件搭档，而不是IGBT。 今天我就来唠一唠IGBT在软开关拓扑中的应用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更适用于ZCS。 长期以来，IGBT给人的印象就如农家朴实低调的老大哥，少有抛头露脸，而MOSFET则宛如古灵精怪的小妹，处处都能见到。不过这
[电源管理]采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
品慧电子讯半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言，始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通过仿真和应用测试，对英飞凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技术以及对应的同类最佳900A和750A EconoDUAL? 3模块的电气性能和热性能，与英飞凌IGBT4技术进行了比较。在1700V IGBT模块特定应用背景下，考虑到了芯片优化。研究结果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技术的模块在大量应用中显著提高了功率密度。 1 典型应用
