[贴片电容]IGBT和模块的标准体系解读
作者：陈子颖，来源：英飞凌工业半导体正确理解IGBT和模块的标准体系，对了解产品特性，指导系统设计用足产品特性，符合规范很有帮助，熟悉标准的工程师会在系统设计中更游刃有余。IGBT绝缘栅双极型晶体管是半导体产品，主要需要符合半导体标准，包括产品标准，测试标准及机械和气候试验方法标准等。功率模块是半导体的一种封装形式，通过内部芯片并联实现更大的标称电流，或设计成应用所需要的电路拓扑结构。它除了要符合半导体体系标准外，也需要符合应用系统的安全标准。针对特定应用开发的产品也要
[贴片电容]IGBT的电流是如何定义的
作者：陈子颖，来源：英飞凌工业半导体IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。流言一：450A IGBT模块最大输出电流能力是450A，系统设计中需要留足够的余量450A是FS450R12KE4的标称电流。那么什么是标称电流？为了搞清楚这一问题最好的办法是寻根问祖，从英飞凌芯片的数据手册发掘线索。找到FS450R12KE4内部IGBT芯片IGC142T120T8RM的数据手册，奇怪的是芯
[贴片电容]功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
?作者：陈子颖 ，来源： 英飞凌工业半导体IGBT短路特性英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗？不！模块出生后2年内必然要走上社会。在装上整机踏上社会的一刻，往往要经历短路试验这一关。IGBT的底气不足或系统保护不给力，就会夭折。IGBT在十年甚至几十年的开关高压大电流的生涯中，被短路是难免的，不幸可能是来自系统和外部干扰，甚至是人为操作失误。IGBT是允许短路的，完全
[电路保护]功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
品慧电子讯英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗？ IGBT短路特性 英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗？ 不！模块出生后2年内必然要走上社会。在装上整机踏上社会的一刻，往往要经历短路试验这一关。IGBT的底气不足或系统保护不给力，就会夭折。 IGBT在十年甚至几十年的开关高压大电流的生涯中，被
[通用技术]浅谈局部放电测量
品慧电子讯：功率半导体在实际系统应用中会碰到各种问题，有些问题需要设计经验积累总结，有些经典问题已经写入了教科书，有些问题还是学术研究范畴，欢迎读者将工作和学习中的体会写出来分享。局部放电现象和危害局部放电是仅发生在绝缘体中的一部分区域的放电。这些放电也可能发生在电极上，但也可能是“无电极”发生在电场空间。局部放电会发生在：气体，液体和固体中。在发生局部放电时，不但会产生损耗，其产生的高能电子和UV辐射会对周围的绝缘材料造成损坏。不同的绝缘介质，局部放电会产生老化损害是不一样的：■ 没有损害：流动的
[电源管理]IGBT驱动器的电流隔离
品慧电子讯通常，以以下方式描述IGBT（绝缘栅双极晶体管）：“ IGBT是场效应晶体管和双极晶体管的组合，其中N沟道FET控制双极晶体管”。尽管这句话很好地描述了基础知识，但在高功率范围的IGBT应用中，IGBT控制电路的复杂性实际上要比控制小MOSFET时要高得多。通常，以以下方式描述IGBT（绝缘栅双极晶体管）：“ IGBT是场效应晶体管和双极晶体管的组合，其中N沟道FET控制双极晶体管”。尽管这句话很好地描述了基
[电源管理]IGBT模块及散热系统的等效热模型
品慧电子讯数字 IC 的封装选项（以及相关的流行词和首字母缩略词）继续成倍增加。微处理器、现场可编程门阵列 (FPGA) 和专用定制 IC (ASIC) 等高级数字 IC 以多种封装形式提供。功率器件作为电力电子装置的核心器件，在设计及使用过程中如何保证其可靠运行，一直都是研发工程师最为关心的问题。功率器件除了要考核其电气特性运行在安全工作区以内，还要对器件及系统的热特性进行精确设计，才能既保证器件长期可靠运行，又充分挖掘器件的潜力。而对功率器件及整个系统的热设计，都是以器件
[电源管理]瑞能半导体将携IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海电子展览会
品慧电子讯中国上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海电子展览会即将于4月14日至16日在上海新国际博览中心举办。慕尼黑上海电子展作为电子行业展览，是行业内重要的盛事。本届慕尼黑上海电子展览会将汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等。作为功率半导体行业的领导企业，瑞能将第三次参加慕尼黑上海电子展，瑞能半导体展台届时会展出适用于消费类市场和工业类市场的各类功率器件产品，也会集中展示近期推出的第三代碳化硅，包括
[通用技术]IGBT双脉冲测试详解
品慧电子讯电源设备硬件主功率部分的电路性能直接影响产品品质，但开发过程中，在样机测试阶段才能对其性能进行评测。有些公司为保证产品开发进度，仅采取不得已的补救措施，产品不仅非最优设计，甚至会给产品的质量埋下隐患。而我司在产品设计初期就采用IGBT双脉冲测试，提前对硬件电路设计进行多维度测试评估，在保证产品是最优设计的基础上，提高产品开发效率。什么是双脉冲测试图一：双脉冲测试平台电路及理想波形图一左图是双脉冲测试平台电路，图中的IGBT和二极管是我们观测的主要对象，通过示波器来观测双脉冲电路中的波形
[电源管理]双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？
品慧电子讯不用两个整流桥。用一个即可，把2个18伏交流接到整流桥的交流输入端，把变压器抽头0伏接地线（线路板的地线），整流桥直流输出+ -端接电容器滤波，电容器2个串联之后正极接整流桥正极+，电容器负极接整流桥负极-，2个串联的电容器中间引出一根线接地线，也就是双18伏交流的抽头，这样就可以在直流输出端得到正负20伏的双电源了。 双电压整流电路需要搭载两个桥式电路吗？不用两个整流桥。用一个即可，把2个18伏交流接到整流桥的交流输入端，把变压器抽头0伏接地线（线路板的地线），整流
[电源管理]电动汽车空调的一项关键技术——IGBT
品慧电子讯ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101标准、且具有1200V 和650V宽耐压范围的IGBT产品。该系列具有更低的传导损耗，有助于提高应用产品的效率并实现小型化，是电动压缩机的逆变器和高压加热器的更佳选择。前言与使用内燃机的传统汽车相比，电动汽车的能效要高得多，但这也带来一个问题：来自电机的废热不再足以满足车内的取暖需求。要想满足取暖需求，必须将电池中存储的部分电能转换为热能。为了实现不依赖于工作温度或电池电压的可调加热功率，在新一代高压加热器中使用了功率半导体，来控制从电池到加热元件的能量流。由加热元件
[互连技术]如何利用IGBT技术实现反并联二极管的正确设计？
品慧电子讯反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关，其它的与应用相关。但是，正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力 终将构成一种三角关系。引言反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关，其它的与应用相关。但是，正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力 终将构成一种三角关系。由于在当前的二极管技术条件下，二极管芯片本身的尺寸已经被削减至很小，所以二极管设计师再次将目光投向电气性能（忽略成本因素
[电源管理]逆变直流电焊机的工作原理与特点
本文由品慧小编为你介绍逆变电焊机的基本工作原理：逆变电焊机主要是逆变器产生的逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。其将工频（50Hz）交流电，先经整流器整流和滤波变成直流，再通过大功率开关电子元件（晶闸管SCR、晶体管GTR、场效应管MOSFET或IGBT），逆变成几kHz~几十kHz的中频交流电，同时经变压器降至适合于焊接的几十V电压，再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。其变换顺序可简单地表示为：工频交流（经整流滤波）→直流（经逆变）→中频交流（降压、整流、滤波）→直流。即为：AC→DC→AC→DC因
[电源管理]如何实现IGBT/MOSFET隔离栅极驱动电路？
品慧电子讯IGBT 和功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件，栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的另外两端是源极和漏极，而对于 IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作 MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极。IGBT 和功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件，栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的另外两端是源极和漏极，而对于 IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作 MOSFET/IGBT，通
[互连技术]趣味解读IGBT模块“续流二极管”
品慧电子讯IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？答：当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？答：当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。但变频器实际是要驱动电机的，接在电机的定子上面，定子是一组线圈绕成的，就是“电感”。电感有一个特点：它的
[互连技术]MOS管和IGBT管到底区别在哪？该如何选择？
品慧电子讯在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？下面我们就来了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么区别吧！什么是 MOS 管？场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和
[电源管理]分析IGBT短路保护电路的设计
品慧电子讯固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它
[电源管理]IGBT 的工作原理是什么?
品慧电子讯IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET 导通,这样PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET 截止,切断PNP 晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET 导通,这样PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSF
[通用技术]MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
品慧电子讯从 MOSFET 技术和开关运行概述入手，详细介绍接地参考和高侧栅极驱动电路的设计流程，以及交流耦合和变压器隔离解决方案。该报告还包含了一个特殊部分，专门介绍在同步整流器应用中 MOSFET 的栅极驱动应用的重要性。TI 近日发布了MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理的应用报告。该报告对目前较为流行的电路解决方案及其性能进行了分析，包括寄生器件的影响、瞬态和极端工作条件。MOSFET 简介MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写词，它是电子行业高频高效开关领域的关键组件。双极晶体管和 MOSFET 晶
[电源管理]全面分析IGBT各种知识点
品慧电子讯IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关。IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的&ldq
