[电源管理]纳微半导体3.3kV碳化硅MOSFETs如何变革并网储能方式
【导读】电网通过输电和配电网络从发电机向用户提供电能。在美国，由于储能成本高昂并且设计和运营经验有限，利用电力储存来支持和优化输配电一直受到限制。然而，最近储能和电力技术的改进，加上市场环境的变化，预示着电力储存领域的机遇将不断扩大的时代即将到来。 采用全碳化硅的逆变器将彻底改变电力传输、可再生能源和储能的集成方式 电网通过输电和配电网络从发电机向用户提供电能。在美国，由于储能成本高昂并且设计和运营经验有限，利用电力储存来支持和优化输配电一直受到限制。然而，最近储能和电力技术的改进，加上市场环境的
[电源管理]迎接汽车电动化时代的来临，安世半导体引领MOSFET技术革命
【导读】近年来，汽车行业正迅速迈入智能化和电动化的新纪元。新能源汽车的销量与市场渗透率持续攀升。据彭博社预测，2023年，全球新能源汽车的销量将达到1,410万辆，其中中国市场将占据大约60%的份额。在汽车向电动化的转型过程中，尽管 SiC 和 GaN 等第三代半导体材料备受关注，但电动汽车制造商仍对成本持保守态度。目前，成本效益高且性能稳定的硅基 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）继续在车载电子、电驱动以及电池管理系统中发挥核心作用。去年 MOSFET 的大量缺货进一步突显了这一点。 然而，要满足日益增长的汽车市场，功率
[电源管理]SiC MOSFET 器件特性知多少？
【导读】对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。 SiC MOSFET
[电源管理]高压MOS/低压MOS在单相离线式不间断电源上的应用
【导读】单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS，市电直接供电给用电设备再为电池充电，一旦市电供电品质不稳或停电时，市电的回路会自动切断，电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务，直到市电恢复正常。UPS只有在市电停电了才会介入供电，不过从直流电转换的交流电是方波，只限于供电给电容型负载，如电脑和监视器等。 一、前言 单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS，市电直接供电给用电设备再为电池充电，一旦市电供电品质不稳或停电时，市电的回路会自动切断，电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务，直到市电恢复正常
[互连技术]功率 MOSFET、其电气特性定义
【导读】本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 额定值 导通电阻R_DS(on)与耐压V_DSS的关系 图2表示耐压VDSS=20～100V额定元件与导通电阻R_DS(on)之间的关系。选择元件耐压时，应根据电路工作条件电源电压VDD和关断时产生的浪涌电压V_DS(peak)留有余量。由于V_DSS相对于温度具有正温度特性，因此
[互连技术]超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用
【导读】微型逆变器，一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器，全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统的光伏逆变方式是将所有的光伏电池在阳光照射下生成的直流电全部串并联在一起，再通过一个逆变器将直流电逆变成交流电接入电网；微型逆变器则对每块组件进行逆变。 一、前言 微型逆变器，一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器，全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统的光伏逆变方式是将所有的光
[互连技术]了解 MOSFET 通态漏源电阻
【导读】分立 MOSFET 数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单：当 FET 处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至于我们假设电流为零。当 FET 的栅源电压 (V GS ) 超过阈值电压 (V TH ) 时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于 R DS(on) 的沟道连接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的实际电气行为，您应该很容易认识到该模型与事实不符。 分立 MOSFET 数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单：当 FET 处于截止状态时
[光电显示]高集成度智能栅极驱动光耦通吃MOSFET和IGBT
【导读】光耦也叫光电耦合器，是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。光耦由发光源和受光器两部分组成，密闭于同一壳体内，彼此用透明绝缘体隔离。 东芝扩展了智能栅极驱动光耦产品线，近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦TLP5222。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器，光伏逆变器等的智能控制，有助于简化外围电路设计。 器件的基本特性 东芝TLP5222多功能栅极驱动光耦 TLP5222的主要特性如下： （1）内置保护操作
[电路保护]使用SiC MOSFET和Si IGBT栅极驱动优化电源系统
【导读】在电动汽车 (EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC) 逆变器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要精确的驱动电压（具体取决于所使用的器件）。 在电动汽车(EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC)逆变器中，碳化硅 (SiC)MOSFET和硅 (Si)IGBT是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要
[电路保护]REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用
【导读】车载逆变器（电源转换器、Power Inverter）是一种能够将 DC 12V直流电转换为和市电相同的 AC 220V交流电，提供给一般电器使用，是一种方便的车用电源转换器。一、前言车载逆变器（电源转换器、Power Inverter）是一种能够将 DC 12V直流电转换为和市电相同的 AC 220V交流电，提供给一般电器使用，是一种方便的车用电源转换器。随着汽车产品技术发展进步，汽车拥有的电子技术也在不断提高，以车载逆变器为重要组件的电动汽车、插电混合动力汽车的发展正迅速加快，车载逆变器市场发展前景将会很广阔。车载逆变器的普及速度的提高也促
[电路保护]MOS管在户用储能上的应用
【导读】户用储能又称家庭储能系统，类似于微型储能电站，是分布式能源（DER）的重要组成部分，其运行不受城市供电压力影响。户用储能产品系统通常由电池组、电池管理系统（BMS）、储能变流器（PCS）和能量管理系统（EMS）构成，其中储能电池和变流器是价值量较高的核心环节。 一、前言 户用储能又称家庭储能系统，类似于微型储能电站，是分布式能源（DER）的重要组成部分，其运行不受城市供电压力影响。户用储能产品系统通常由电池组、电池管理系统（BMS）、储能变流器（PCS）和能量管理系统（EMS）构成，其中储能电池和变流器是价值量较
[电路保护]IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
【导读】本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极
[电源管理]用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南
【导读】SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP51705 SiC 栅极驱动器的使用指南。 NCP51705 是一种 SiC 栅极驱动器，
[电源管理]如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
【导读】在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC
[电源管理]安森美 M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
【导读】自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。 最常见的充电方法是在家充一整夜或白天到工作场所充电。这两种情况对电动汽车的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅电源插座可能无法在一整夜后就为电动汽车充满电。工作场所提供的可能是中等功率的交流充电桩，如果汽车配备的是较低功率的车载充电器 (OBC)，那么充电桩使用时间可能
[电源管理]如何利用高精度MOSFET模型，设计功率转换器
【导读】在设计功率转换器时，可以使用仿真模型，综合权衡多个设计标准。其中，使用基于开关的有源器件简易模型进行快速仿真，可以带来更多工程参考。然而，与制造商精细的器件模型相比，这种简易模型在设计中无法提供相等的精度。本文探讨了功率转换器设计员如何结合系统级模型和精细模型，探索更多设计空间，并提高精度。本文使用MathWorks系统级建模工具Simulink? 和 Simscape?，以及精细的SPICE子电路（代表英飞凌车规级MOSFET），对该过程进行示范展示。 引言 在开发功率转换器时，在理论和可行性研究期间，通常进行数值仿真。其仿真
[电源管理]【CMOS逻辑IC基础知识】——解密组合逻辑背后的强大用途！（下）
【导读】在上一期的芝识课堂中，我们和大家一起了解了CMOS逻辑IC可以分为组合逻辑和时序逻辑，并以几种典型电路单元的对应逻辑关系详细解读了组合逻辑电路的原理。这一期芝识课堂中，我们将继续和大家分享CMOS逻辑IC的基础知识，并通过实际电路单元来帮助大家分析组合逻辑和时序逻辑中各自所对应的输入和输出之间暗藏的逻辑关系。 多路复用器 多路复用器也是一种典型的组合逻辑电路，比如东芝的74VHC157和74VHC153，多路复用器将从多个输入信号中选择一个信号并将其转发到单个输出线。图1所示的时序图显示了如何从两个输入中选择一个信号。
[互连技术]RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动两轮车上的应用
【导读】电动两轮车又叫电动二轮车、两轮电动车，它是两轮的电动自行车、电动摩托车、电动轻便摩托车的统称，是指以蓄电池作为辅助能源在两轮车的基础上，安装了电机、控制器、显示仪表系统等部件的机电一体化个人交通工具。一、前言电动两轮车又叫电动二轮车、两轮电动车，它是两轮的电动自行车、电动摩托车、电动轻便摩托车的统称，是指以蓄电池作为辅助能源在两轮车的基础上，安装了电机、控制器、显示仪表系统等部件的机电一体化个人交通工具。二、产品应用及优势中国电动两轮车产业经过20年的发展，正处于转型升级关键时期，锂电池、
[互连技术]高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用
【导读】在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。这些产品具有较低的损耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重点介绍Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。 在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。这些产品具有较低的损耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重点介绍Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。 分立HV Si MOSF
[电路保护]耗尽型功率MOSFET：被忽略的MOS产品
【导读】功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开
