[电源管理]基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
【导读】5月9-11日，基本半导体再度亮相全球最大功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低
[电源管理]英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列
【导读】英飞凌科技股份公司推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创
[电源管理]佳能面向中国市场发售CMOS影像传感器
【导读】佳能（中国）有限公司宣布将面向中国市场发售CMOS影像传感器，在中国大陆地区开启影像传感器销售的新篇章。作为现代数码影像技术的核心，影像传感器已经深入到日常生活的方方面面。本次佳能将为中国市场带来超过20款能够应用于监控安防、平板显示器检测、显微镜应用、数位储存、流媒体相机、生物医疗等多元业务领域的传感器产品。凭借高分辨率、高速输出等优势，佳能CMOS影像传感器能够带来更清晰、更高品质的画面输出，满足更广泛的影像传感器使用需求。 2023年5月16日，佳能（中国）有限公司宣布将面向中国市
[电源管理]东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET
【导读】中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。 锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。 SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采
[电源管理]思特威推出2MP和1.3MP两颗高帧率工业面阵CMOS图像传感器
【导读】思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213），重磅推出2MP和1.3MP两颗高帧率工业面阵CMOS图像传感器新品——SC235HGS和SC135HGS。这两款芯片搭载创新的SmartGS?-2 Plus技术，具备高影像性能（高感度、高量子效率、低噪声）、高速（高帧率、高快门效率）、高动态范围三大性能优势。作为思特威工业级机器视觉应用系列最新产品，SC235HGS和SC135HGS可广泛适用于工业检测场景，确保无失真的成像和高速的图像采集性能，为工业相机带来了更精确、高效的视觉检测、质量控制和生产优化能力，助力提升
[电源管理]SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势
【导读】SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。 ISOPLUS - SMPD 及其优势 SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device)，是先进的顶部散热绝缘封装，由IXYS（现在是Littelfuse公司的一部分）在2012年开发。SMPD只有硬币大小，具有几项关键优势： · 集成DCB绝缘，可在功率和温度循环下提供最佳的可靠性。 · IXYS专有DCB结构具有最低2.5kV绝缘电压。 ·
[电源管理]如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？
【导读】要能快速高效地为电动车更大的电池充电，电动车才能在市场普及并发展。2021 年，市场上排名前 12 位的电动汽车的平均电池容量为 80 kW-hr。消费者主要在家中使用车辆的车载充电器(OBC) 进行充电。为确保合理的车辆充电时间，OEM 还将 OBC 的功率容量从 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高达 22 kW。使用 6.6 kW OBC 时，这些电动汽车需要 12.1 小时才能充满电。而将 OBC 功率增加到 11 kW 后，充电时间缩短至 7.3 小时，而使用 22 kW OBC 时，只需 3.6 小时即可充满电。 早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机
[电源管理]第4代SiC MOS、1700V驱动…意法半导体透露了这些重点
【导读】过去一年，产业领先企业是如何抓住历史机遇勇立潮头？2023年，他们又将如何迈出新时代步伐？为此，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《产业领袖开年说——2023，全力奔跑》专题报道，本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品部营销和应用副总裁 Francesco MUGGER。 受访者：Francesco MUGGERI 意法半导体亚太区功率分立和模拟产品部营销和应用副总裁 行家说三代半：过去一年，贵公司致力于SiC、GaN哪些方面的努力？主要做了哪些关键性工作？ Francesco MUGGERI：去年，意法半导体在SiC和GaN以及栅极驱动器方面投入很大。
[互连技术]采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
【导读】近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 “引言” 近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 文：英飞凌科技高级应用工
[互连技术]短沟道 MOS 晶体管中的漏电流成分
【导读】MOS晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成分之前，让我们先回顾一下 MOS 晶体
[互连技术]RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动平衡车上的应用
【导读】电动平衡车又叫体感车，市场上主要有独轮和双轮两类。它的原理和动态稳定有关，也就是车辆本身的自动平衡能力。一、前言电动平衡车又叫体感车，市场上主要有独轮和双轮两类。它的原理和动态稳定有关，也就是车辆本身的自动平衡能力。两轮电动平衡车采用两个轮子支撑，蓄电池供电，无刷电机驱动，加上单片机控制，姿态传感器采集角速度和角度信号，共同协调控制车体的平衡，仅仅依靠人体重心的改变便可以实现车辆的启动、加速、减速、停止等动作。二、MOS管应用及产品优势电动平衡车具有旋转灵活、携带方便、驾驶简单、绿色环保等多
[电路保护]功率放大器电路中的三极管和MOS管，究竟有什么区别？
【导读】学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？ 学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？ 首先我们明确一下二者的概念 三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管
[电源管理]MOSFET电路不可不知
【导读】MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。 它们非常小，制造过程非常简单。由于MOSFET的特性，模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路，MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。 大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化的基础上推导出来。截止区、三极管区和饱和区是MOSFET的三个工作区。当栅源电压(VGS)小于阈值电压(Vtn)时，器件处于截止区。当MOSFET用作放大器时，它工作在饱和区。
[电源管理]【CMOS逻辑IC基础知识】—解密组合逻辑背后的强大用途！（上）
【导读】在前面的芝识课堂中，我们跟大家简单介绍了逻辑IC的基本知识和分类，并且特别提到CMOS逻辑IC因为成本、系统复杂度和功耗的平衡性很好，因此得到了最广泛应用，同时也和大家一起详细了解了CMOS逻辑IC的基本操作。逻辑IC作为一种对一个或多个数字输入信号执行基本逻辑运算以产生数字输出信号的半导体器件，其应用也是非常丰富的，今天就来和芝子一起了解一下吧。 首先我们要明确的是CMOS逻辑IC大致包括两种逻辑，即组合逻辑和时序逻辑。其中组合逻辑是输出仅为当前输入的纯函数逻辑电路类型，主要包括反相器、缓冲器、双向总线缓冲器
[电源管理]采用SiC MOSFET的3kW图腾柱无桥PFC和次级端稳压LLC电源
【导读】节能标准和客户需求正在推动更高效率和更小尺寸的电源解决方案，对标准ACDC电源进行功率因数校正 (PFC) 的要求日益普遍，通过减少谐波含量引起的电力线损耗，从而降低对交流电网基础设施的压力。而设计紧凑高效的 PFC 电源是一个复杂的开发挑战。 节能标准和客户需求正在推动更高效率和更小尺寸的电源解决方案，对标准ACDC电源进行功率因数校正 (PFC) 的要求日益普遍，通过减少谐波含量引起的电力线损耗，从而降低对交流电网基础设施的压力。而设计紧凑高效的 PFC 电源是一个复杂的开发挑战。 本文将讨论3kW PFC单相交流输入电源的
[电源管理]RS瑞森半导体MOS管在便携式储能电源上的应用
【导读】受外来精致露营风潮的影响，近几年涌现出了许多户外新品，比如户外电源、自动帐篷等好用又高颜值的露营装备，极大降低了露营的门槛，减轻了露营的负担，提高了露营的生活体验，让更多的人可以更简单，更精致的去露营体验，也为国内露营产业的蓬勃发展提供了可持续发展动力。一、前言受外来精致露营风潮的影响，近几年涌现出了许多户外新品，比如户外电源、自动帐篷等好用又高颜值的露营装备，极大降低了露营的门槛，减轻了露营的负担，提高了露营的生活体验，让更多的人可以更简单，更精致的去露营体验，也为国内露营产业的蓬勃发
[互连技术]巧用MOS管的体二极管
【导读】用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。 用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。 1、PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。 2、PMO
[电路保护]功率MOS管损坏的典型
【导读】如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。
[电源管理]Nexperia推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS(on)和强大线性模
[电源管理]ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechn
