你好!欢迎来到深圳市品慧电子有限公司!
语言
当前位置:品慧电子 >> 搜索 >> 与“MOS”相关的内容

[电源管理]用于车载充电器应用的1200 V SiC MOSFET模块使用指南

【导读】随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展,对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市,工程师也在利用它们的性能优势设计 OBC 系统。要注意的是,PFC 拓扑结构的变化非常显著。设计人员正在采用基于 SiC MOSFET 的无桥 PFC 拓扑,因为它有着卓越的开关性能和较小的反向恢复特性。众所周知,使用 SiC MOSFET 模块可提供电气和热性能以及功率密度方面的优势。 安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技术的汽车模块设计领域表现出色,现在推出了一系列 SiC MOSFET 模块以改进 OBC 设计

[电源管理]采用SiC MOSFET的高性能逆变焊机设计要点

【导读】近年来,为了更好地实现自然资源可持续利用,需要更多节能产品,因此,关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装,其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 逆变焊机通常是通过IGBT功率模块解决方案设计来实现更高输出功率,从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。 在焊机行业,诸如提高效率、降低成本和增强便携性(即,缩小尺寸并减轻重量)等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如,多个标准法规已经或即将强制规定焊机的电源效率达

[电源管理]安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析

【导读】SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及,因为它最初的一些可靠性问题已得到解决,并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多,必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响,作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分,还将提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器)的使用指南。本文为第一部分,将重点介绍安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的静态特性。 碳化硅 (SiC) 是用于制造分立

[电路保护]RS瑞森半导体500V高压MOS在高速吹风机上的应用

【导读】一般来说,高速吹风机采用高速直流无刷马达,转速在10万rpm以上,风速20m/s以上(主要是40m/s以上),而普通吹风机采用传统有刷马达,转速在20000转左右,风速低于20m/s。一、前言一般来说,高速吹风机采用高速直流无刷马达,转速在10万rpm以上,风速20m/s以上(主要是40m/s以上),而普通吹风机采用传统有刷马达,转速在20000转左右,风速低于20m/s。高速吹风机的工作原理:通过高转速马达以及风道设置产生高速气流,加大与发丝摩擦,形成康达效应,使气流随着发丝移动,从而更快速吹干头发。高速吹风机的优点:具备智能温控,内

[互连技术]三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds?

【导读】MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vc

[传感技术]LM25183-Q1是具有 65V、2.5A 集成 MOSFET 的汽车 42VIN 无光反激式转换器

产品详情描述:LM25183-Q1 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式转换器,在 4.5V 至 42V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压从初级侧反激电压采样。高集成度实现了简单、可靠和高密度的设计,只有一个组件穿过隔离栅。边界导通模式 (BCM) 开关可实现紧凑的磁性解决方案以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。一个集成的 65V 功率 MOSFET 提供高达 10W 的输出功率,并为线路瞬态提供了增强的裕量。LM25183-Q1 通过可选功能简化了隔离式 DC/DC 电源的实施,以优化目标终端设备的性能。输出电压由一个电阻器设置,

[传感技术]Why Community Is the Most Critical Aspect of the NFT Space

Oh, the days of watching the convex monitor refresh downwards as your modem finally made that lingering tone, letting you know the connection to a bulletin board system ("BBS") was successful. Though mostly asynchronous, these communal BBS portals were the first online communities that evolved into the local internet service providers ("ISPs") before AOL mass mailing CD-ROMs.Those are my Web0 memories from the early '90s, and each year has been an

[传感技术]三安光电:碳化硅MOSFET车规级与新能源汽车重点客户的合作已取得重大突破

三安光电在互动平台表示,目前公司碳化硅MOSFET工业级产品已送样客户验证,车规级产品正配合多家车企做流片设计及测试,碳化硅MOSFET车规级与新能源汽车重点客户的合作已经取得重大突破,各种产品的出货客户在持续增加,公司相信随着业务的快速发展,股价也将会随之上涨。

[传感技术]东芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%,将在 8 月下旬量产

据东芝近日官网宣布,他们的第三代 SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划在今年 8 月下旬开始量产。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202208/437005.htm据了解,该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约 20%。2020 年 8 月,东芝利用这项新技术量产了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。这是一种将 SBD 嵌入 MOSFET 的结构,将其与 PN 二极管 并联放置 ,能将可靠性提升 10 倍 。虽然上述器件结构可以显著提升可靠性,可它却有着无法规避的缺点 —— 特定导通

[传感技术]NASA和Roscosmos打算在2024年之后运营国际空间站

美国NASA和俄罗斯联邦航天局(Roscosmos)重申,随着NASA继续推动将国际空间站(ISS)延长至2030年,他们预计将在2024年之后继续运营国际空间站。在8月4日关于即将前往国际空间站的SpaceX Crew-5任务的简报会上,双方机构的官员淡化了7月26日Roscosmos新任署长鲍里索夫(Yuri Borisov)的评论,最初被解释为俄罗斯将尽快在2024年退出合作伙伴关系。NASA官员当时表示,他们没有收到任何计划退出的通知,鲍里索夫后来表示,俄罗斯会在2024 年之后的某个时间退出。鲍里索夫回避了有关俄罗斯最早将于2024年退出国际空间站的评论,

[传感技术]宽带间隙设备提高了电动汽车和机器人的移动性和自主性

近年来,随着氮化镓成本的下降,(GaN)和碳化硅(SiC)在这些应用中,设备等宽带间隙半导体已成为越来越流行的硅开关替代品。碳化硅技术被广泛认为是硅的可靠替代品,通常被使用TO-247和TO-现有项目中的220封装可直接更换MOSFET和IGBT。汽车和工业电子产品需要高性能的解决方案,在提供能源效率和可靠性的同时降低设备尺寸。近年来,随着氮化镓成本的下降,(GaN)和碳化硅(SiC)在这些应用中,设备等宽带间隙半导体已成为越来越流行的硅开关替代品。GaN逆变器、电压转换器和快速充电设备是开关最流行的应用。GaNF

[传感技术]3D 堆叠 CMOS 将摩尔定律推向新高度

本文编译自IEEE,作者为英特尔组件研究小组的研究员兼器件与集成副总裁Jack Kavalieros以及英特尔组件研究小组首席工程师Marko Radosavljevic在本文中,英特尔详细介绍了其最新的RobbinFET技术,以及更多关于3D堆叠CMOS的技术前景,以下为文章详情。在过去的 50 年中,影响最深远的技术成就或许就是芯片的进步,不断朝向更小的晶体管稳步迈进,它们更紧密的结合,并且以更低功耗运行。然而,自从 20 多年前我们两人在英特尔开始了我们的职业生涯以来,我们就一直在听到警报,即更小的缩微即将结束。然而,年复

[传感技术]晶体管的未来:3D堆叠CMOS

在过去的 50 年中,影响最深远的技术成就可能是晶体管一如既往地稳步向更小迈进,使它们更紧密地结合在一起,并降低了它们的功耗。然而,自从 20 多年前笔者在英特尔开始职业生涯以来,我们就一直在听到警报——晶体管下降到无穷小的状态即将结束。然而,年复一年,出色的新创新继续推动半导体行业进一步发展。在此过程中,我们的工程师不得不改变晶体管的架构,以便我们能在提高芯片性能的同时继续缩小面积和功耗。这也是推动我们将在20 世纪下半叶流行的“平面”晶体管设计在 2010 年代上半替换为3D 鳍形器件

[传感技术]Los Alamos实验室将领导925万美元项目模拟熔盐反应堆中材料行为

美国能源部 (DOE)选择洛斯阿拉莫斯国家实验室 (LANL) 通过先进计算科学发现 (SciDAC) 计划领导一个价值 925 万美元的核能研究合作项目。SciDAC 将科学和能源研究领域的专家与软件开发、应用数学和计算机科学领域的专家聚集在一起,以充分利用高性能计算资源。该项目将推进结构材料在熔盐条件下的行为和特性的建模。设计和部署先进反应堆系统的一个特殊挑战是确定相互竞争的安全和寿命问题之间的权衡。例如,当暴露于辐射时具有良好机械性能的结构材料在暴露于特定反应堆冷却剂时可能非常容易受到腐蚀或其他现象的影响。

[传感技术]CMOS图像传感器简介

在本文中,您将了解 CMOS 图像传感器的基础知识,包括其核心组件、框图、优势和劣势以及应用。图像传感器是数字成像系统的主要组成部分之一,对整体系统性能有很大影响。两种主要类型的图像传感器是电荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中,我们将了解 CMOS 图像传感器的基础知识。查看我们的电荷耦合器件 (CCD) 图像传感器系列。您可以从CCD 的结构和功能开始。CMOS光电探测器大多数 CMOS 光电探测器都基于 PN 结光电二极管的操作。当光电二极管反向偏置时(并且反向电压小于雪崩击穿电压),与入射光强度成比例

[传感技术]美国研究团队开发出生成微有机球的新方法,可用于优化组织和疾病建模

美国Terasaki生物医学创新研究所的研究团队设计出生成微有机球(MOS)的改进方法,并证明MOS在各种临床应用中具有优异性能。研究人员使用乳液微流控技术制造出由组织-细胞混合物组成的微小、纳升大小的基底膜提取物(BME)液滴,再去除多余的油,留下数千个粘性、大小均匀的微滴,其中包含微小的3D组织结构。不同于传统患者衍生模型,MOS是一个组织和疾病建模的优化平台,可用于涉及直接病毒感染、免疫细胞渗透和高通量治疗药物筛选的研究,还可以进一步与深度学习成像分析相结合,用于对小型和异质临床肿瘤活检进行快

[传感技术]Diodes 公司的 40V 额定电压符合汽车规格的同步降压转换器支持高效运行并降低 EMI

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布其符合汽车规格的 DC-DC 转换器系列又添新成员。 AP64060Q 是一款 600mA 的同步降压转换器器件,输入电压范围为 4.5V 至 40V。它集成了了 600mΩ 的高侧功率 MOSFET 和 300mΩ 的低侧功率 MOSFET,可提供高效的降压转换 (效率达 90%),且占用的 PCB 机板空间最小。AP64060Q 专门设计用于汽车动力系统、信息娱乐系统和仪表组件,以及用于车辆的外部照明。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202208/437620.htmAP64060Q 具有非常低的静态电流 (IQ),通常仅为 90μA,

[传感技术]了解为高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的挑战

摘要了解为当今高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的关键挑战,是设计一个满足每位设计工程师要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的优化的电源系统方案的关键要素。电源系统设计人员需要知道不同应用中的电源方案有何不同,比方说,一个800万像素(MP)的相机与一个5000万像素的相机的电源方案有何不同,或帧率的不同(30 fps、60 fps、120 fps)如何改变他们的电源设计,多大频率需要高电源抑制比(PSRR),等等。本文意在强调在为当今任何图像传感器确定供电方案之前的基本考量。前言任何CMOS成像系统都含一个

[传感技术]碳化硅的谎言与真相

本文来自微信公众号:金捷幡(ID:jin-jiefan),作者:金捷幡,头图来自:视觉中国都说买股票买的是预期,其实通常买的是故事。老话说,Buy the rumor, sell the news。也就是,有故事的时候买,消息落地(故事结局)赶紧卖掉。注意,上述谚语中即使故事成真,如果没有新的故事了,股票也不再涨了。和量子计算很像(旧文:《量子计算的谎言与真相》),碳化硅(SiC)的故事也很漂亮:有深度有门槛有前景有震撼,大家都有美好的未来。那么,碳化硅和大众曾经喜欢的石墨烯、纳米管、钠电池等等宏大的故事有没有相似处呢

[传感技术]湖南三安发布1200V碳化硅MOS系列新品

“助力低碳出行,用芯驱动未来。9月2日,湖南三安半导体主办的2022首届新能源汽车电驱动技术创新峰会在长沙圆满落幕。为提升汽车供应链韧性,加强汽车产业生态建设,了解多方需求强化产业合力,本次峰会以"聚焦芯动力,构建新生态"为主题,邀请来自行业协会、整车与零部件企业等产业上下游的超百位领导、嘉宾出席了会议,从政策、市场、技术创新和生产制造以及应用等多方面深入探讨了电驱动技术相关话题,共同促进新能源汽车行业和电