[电路保护]了解7805 IC电压调节器
【导读】在本教程中，我们将了解最常用的稳压集成电路之一--7805稳压集成电路。稳压电源对于一些电子设备来说非常重要，因为这些设备采用的半导体材料具有固定的电流和电压率。如果偏离固定速率，设备可能会损坏。 简介 在本教程中，我们将了解最常用的稳压集成电路之一--7805稳压集成电路。稳压电源对于一些电子设备来说非常重要，因为这些设备采用的半导体材料具有固定的电流和电压率。如果偏离固定速率，设备可能会损坏。 电池是直流电源的重要来源之一。但是，在敏感的电子电路中使用电池并不是一个好主意，因为随着时间的推移，电池最
[电路保护]适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案
【导读】随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。 使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器，用于工业市场的高效电源。该公司声称
[电路保护]具有反向阻断功能的新型 IGBT
【导读】新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型电路中的个样本进行了测量。新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型电路中的个样本进行了测量。简介：应用需要具有反向阻断能力的单向电流可控开关的典型电路可分为：传统电流源逆变器如图1所示具有电流源的谐振转换器如图 2
[电路保护]KWIK电路常见问题解答 15Msps 18位ADC的驱动器设计考虑因素
【导读】ADC驱动器是数据采集信号链设计的关键构建模块。ADC驱动器用于执行许多关键功能，如输入信号幅度调整、单端至差分转换、消除共模偏移，并经常用于实现滤波。本技术诀窍与综合知识(KWIK)电路常见问题解答(FAQ)笔记讨论如何从单端输入信号产生经调整的差分输出信号，并对信号进行电平转换以确保其满足ADC满量程的性能需求。常见问题解答：为15Msps 18位ADC设计输入驱动器时应该考虑哪些因素简介ADC驱动器是数据采集信号链设计的关键构建模块。ADC驱动器用于执行许多关键功能，如输入信号幅度调整、单端至差分转换、消除共模偏移，并
[电路保护]自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试
【导读】减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体
[电路保护]氮化镓取代碳化硅，从PI开始？
【导读】在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。 在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量
[电路保护]通过 SPICE 仿真预测 VDS 开关尖峰
【导读】电源行业的主要目标之一是为数据中心和5G等应用中的电源设备带来更高的电源转换效率和功率密度。与具有单独驱动器 IC 的传统分立 MOSFET 相比，将驱动器电路和功率 MOSFET（称为 DrMOS）集成到 IC 中可提高功率密度和效率。 电源行业的主要目标之一是为数据中心和5G等应用中的电源设备带来更高的电源转换效率和功率密度。与具有单独驱动器 IC 的传统分立 MOSFET 相比，将驱动器电路和功率 MOSFET（称为 DrMOS）集成到 IC 中可提高功率密度和效率。 此外，DrMOS 的倒装芯片技术通过缩短响应时间和减小芯片与封装之间的电感，进一步
[电路保护]IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
【导读】本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极
[电源管理]用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南
【导读】SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP51705 SiC 栅极驱动器的使用指南。 NCP51705 是一种 SiC 栅极驱动器，
[电源管理]IGBT如何选择，你真的了解吗？
【导读】最近，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多，受到广泛关注。然而，在这些新技术出现之前，许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，事实上，许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构，然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。 IGBT 器件结构 简而言之，IGBT 是由 4 个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (MOS) 栅极的电压进行控制。这一基本结构经过逐渐调整和
[电源管理]如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
【导读】在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC
[电源管理]深度剖析IGBT栅极驱动注意事项
【导读】IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。 图 1. IGBT的等效电路 图 2. IGBT的导通电流 为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双极型晶体管的基极到其发射极的低阻抗路径。这会使晶
[电源管理]安森美 M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
【导读】自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。 最常见的充电方法是在家充一整夜或白天到工作场所充电。这两种情况对电动汽车的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅电源插座可能无法在一整夜后就为电动汽车充满电。工作场所提供的可能是中等功率的交流充电桩，如果汽车配备的是较低功率的车载充电器 (OBC)，那么充电桩使用时间可能
[电源管理]IGBTs给高功率带来了更多的选择
【导读】绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合（GaN和SiC），Nexperia （安世半导体）正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。 系统电气化和可再生能源的不断
[电源管理]【CMOS逻辑IC基础知识】——解密组合逻辑背后的强大用途！（下）
【导读】在上一期的芝识课堂中，我们和大家一起了解了CMOS逻辑IC可以分为组合逻辑和时序逻辑，并以几种典型电路单元的对应逻辑关系详细解读了组合逻辑电路的原理。这一期芝识课堂中，我们将继续和大家分享CMOS逻辑IC的基础知识，并通过实际电路单元来帮助大家分析组合逻辑和时序逻辑中各自所对应的输入和输出之间暗藏的逻辑关系。 多路复用器 多路复用器也是一种典型的组合逻辑电路，比如东芝的74VHC157和74VHC153，多路复用器将从多个输入信号中选择一个信号并将其转发到单个输出线。图1所示的时序图显示了如何从两个输入中选择一个信号。
[电源管理]2023第17届中国国际电池及储能技术博览会（IBEE Global 2023)——东莞站
【导读】东莞站将于2023年9月1-3日，在广东现代国际展览中心举办，金浪会展作为新能源电池领域专业组展商，深耕新能源行业数载时光，在新能源行业积累的丰富的人脉以及品牌效应，致力于通过整合各产业链资源为行业客户搭建汇“商”、”贸“、”服“平台。时间：2023年9月1 - 3日地点：广东现代国际展览中心（广东·东莞）主办单位：金浪会展国际集团承办单位：南京金浪文化传媒有限公司、河南金浪文化传媒有限公司【展会概况】1.集中展示动力及储能电池最新产品及技术应用新一轮能源革命已经到来，随着“双碳”战略的实施,我国新能源领域的
[电源管理]了解这些 就可以搞懂 IGBT
【导读】绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。 图1. IGBT 电路图符号 01 IGBT特点 IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。IGBT与MOSFET一样通
[电源管理]基于IM828-XCC的高速电机驱动器设计
【导读】随着现代机床向高速、高精度方向发展，对机床主轴的技术要求越来越高。电主轴作为高速机床的重要组成部件之一，因其转速高、体积小和优异的动态性能等特性，可有效提高机床的动态平衡，避免了振动和噪声。主轴电机放置在机床的主轴单元内，直接驱动负载。因此，简化了传统的机械驱动结构，实现了“零驱动”。由于电主轴的广泛应用，推动着电机主轴系统向高精度、高速、低能耗、高效率、高可靠性的方向不断发展，成为目前世界各国研究的热点。 在现代电主轴、机轴一体化的趋势下，要达到高速度和小型化的要求，会增大感应电机的铜耗
[电源管理]IGBT单管数据手册参数解析——下
【导读】IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。 在上篇《IGBT单管数据手册参数解析——上》中，我们介绍了IGBT的命名、最大额定值及静态参数。今天我们介绍动态特性、开关特性及其它参数。 4.动态特性 ● 输入电容，输出电容和反向传输电容Cies，Coes和Cres 输入电容Cies，是Cres同CGE之和，是设计驱动的一个关键参数。它在每个开关周期进行充电和放电，它定义了栅极驱动损耗。另一方面，CGE减少了在半桥拓扑中
[电源管理]使用新型160V MOTIX三相栅极驱动器IC实现更好的电池供电设计（第一部分）
【导读】MOTIX?三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX?品牌的新成员，该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案。它是一款160V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器IC，采用5x5 mm2 QFN-32封装，带有热效率高的裸露功率焊盘，并集成了电源管理单元(PMU)。这种易于使用的器件非常适合电池供电的工业无刷直流电机控制驱动器，如无绳电动工具、机器人、无人机和轻型电动车（LEV），电池电压范围为10.8V至120V。这种宽工作电压范围使其成为12V、24V、48V、72V和96V等多种电池类型的理想"一站式"栅极驱动器选择。6ED2742S
