[电路保护]ADI氮化镓功率元件和工具为设计带来了机会
【导读】氮化镓 (GaN)半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管(LED) 投入商业应用，随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步，但在将近二十年后，该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。氮化镓 (GaN)半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管(LED) 投入商业应用，随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步，但在将近二十年后，该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。氮化镓目前是半导体行业增长最快的细分市
[EMI/EMC]汉高携新品亮相SEMICON China 2024助力半导体封装行业高质量发展
中国,上海 —— 2024年3月21日,汉高粘合剂电子事业部亮相一年一度的半导体和电子行业年度盛会SEMICON China,带来众多创新产品和解决方案,包括车规级高性能芯片粘接胶乐泰ABLESTIK ABP 6392TEA、毛细底部填充胶乐泰? Eccobond UF 9000AE,以及一系列先进封装材料、芯片粘接胶/膜解决方案等,从而以前沿材料科技助推半导体封装行业的高质量发展。汉高半导体封装全球市场负责人Ram Trichur表示:“2023年的市场复苏强化了我们对行业韧性的信心,尤其是在中国这一关键市场,其在全球半导体产业链中的作用日益增强。2024年,我们将继续在材料创新上进
[电路保护]支持Qi和 AirFuel的双标准无线充电天线和有源整流系统
【导读】本文提出一个兼容AirFuel和Qi两大无线充电标准的无线充电(WPT)天线配置和有源整流电路，并用Cadence Virtuoso仿真工具评测了天线配置的性能，电路仿真所用的线圈参数是目前市场上销售的线圈的实际测量数据。我们将仿真结果与目前最先进的天线技术进行了对比和比较，验证了这个天线配置的优势。本文提出的有源整流器电路采用90 nm BCD工艺设计，并能够根据工作频率重新配置整流器。最后，本文还用Cadence Virtuoso仿真工具在各种条件下测试了一个完整的无线充电系统模型，其中包括电能发送端(TX)和本文提出的双标准天线及有源整流系
[EMI/EMC]凌华科技基于 Intel Arc A380E GPU 的全新显卡即将亮相 Embedded World 2024
凌华科技EGX-PCIE-A380E集成了Intel Arc GPU,是一款性能强大且高效的PCIeGen4独立显卡重点摘要:·凌华科技推出首款基于Intel GPU的显卡——A380E,提供卓越性能的同时,还兼容凌华科技的游戏平台·除了在商业游戏方面的实力之外,A380E还利用强大的OpenVino? AI工具包,将其实用性扩展到边缘AI应用领域。这种集成的方式让A380E能够简化AI开发工作,并无缝集成深度学习的功能。·Embedded World 2024期间,欢迎各位爱好者和专业人士莅临凌华科技和英特尔的展位,一睹A380E的实际应用并了解其先进的功能。全球领先的边缘计算解决方案提供商——凌华
[EMI/EMC]SEMICON 2024圆满落幕！ 快来认识颇尔令人振奋的产品解决方案
2024年3月20-22日，颇尔中国在上海新国际博览中心N4场馆#4471号为期三天的 SEMICON 2024展览闪耀亮相。这场展会汇聚了1100多家半导体展商，现场人头攒动， 成为业界的焦点。颇尔微电子全球副总裁Dasent Shangaza，颇尔中国总经理陈淮，颇尔微电子全球营销副总裁Soni Ankush，颇尔中国微电子事业部总经理陈磊等颇尔高层共同出席本次展会，为来宾介绍公司的宗旨和产品策略，耐心解答各类问题。在展台前，新老客户纷纷驻足，一同分享市场最前沿的信息，架起了一道交流的桥梁。作为过滤、分离和纯化解决方案的专家， 颇尔（PALL）非常荣幸地在
[EMI/EMC]2024年全球电子分销商50强揭晓：Ample Solutions集团入选！
近日，Supply Chain Connect发布“全球电子分销商50强”榜单(2024 Top 50 Global Electronics??Distributors List)，Ample??Solutions集团荣幸地跻身其中。这一荣誉不仅是对我们在全球电子元器件分销领域卓越成就的认可，也是对我们坚守客户承诺的肯定。展望未来，我们将继续秉承创新精神，提供卓越的服务，满足客户需求，引领行业发展，携手共创更加辉煌的明天。 Supply Chain??Connect作为电子元器件分销行业的权威性组织，自2002年起每年都将面向全球评选一次“全球电子元器件分销商50强”榜单。该榜单旨在展示全球电子元器件分销商
[EMI/EMC]SpectrumView跨域分析加速EMI诊断
【导读】在电源管理芯片、隔离芯片等模拟集成电路中，很多电路元件之间(如变压器、功率管等)以及导线上都会不断地产生各种电流电压的变化(即dv/dt 节点和高 dI/dt 环路)，以及受高频寄生参数的影响，这些元件通过电磁感应效应不断地产生各种电磁波，经电源线传导或形成天线效应对外辐射，影响到正常的电路功能，导致设备性能下降、通讯中断或故障，甚至对周围其它敏感电子设备正常工作造成严重干扰，重则会引发事故。如电源管理芯片等模拟IC器件，因其高灵敏度、系统集成度及布线布局设计等因素，极易受到EMI(电磁干扰)的影响。背景在电源
[场效应管]采用calibre进行后仿真的方法
1、calibre中有什么Calibre打开之后，全选，知道可以看出哪里有东西放大之后：隔得太开了。可以看出里面有些电阻和晶体管之类的。根据导出方式的不同，后仿真的方式不同，这里我采用calibre进行后仿真，也可以用Hspice等进行后仿真。用Calibre进行后仿真有两种方法，后面再一一介绍步骤。不过使用Calibre仿真，前面一步是：将电路（反相器）生成一个symol之后，绘制一个test电路，再进行后仿真。2、绘制一个test电路生成一个symbol和绘制一个的步骤如下：1、生成symbol这时会多出一个symbol2、新建一个test电路，就要先新建一个cell这样就
[场效应管]意法半导体的新型IGBT器件可将功耗降低11%
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关参数十分出色，例如，饱和电压Vce(sat)很低，确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低，关断电能得到优化，让工作频率16kHz 至 60kHz 的单开关准谐振转换器具有更高的能效。新IGBT具有很好的耐变性和能效，非常适合电磁加热设备，包括厨房炉灶、变频微波炉、电
[场效应管]如何使用LTspice进行瞬态分析和噪声源仿真？-电子发烧友网
让我们讨论如何使用噪声分析在频域中构建噪声源，并使用瞬态分析在时域中构建噪声源。我们将通过仿真LTspice中的电路噪声来实现这一点。本文假设您对“仿真 - >编辑仿真命令”菜单中的瞬态和噪声分析选项有一定的经验，并且对电阻等电路元件的噪声有一定的了解。仿真1：频域噪声分析源在噪声分析中，LTspice使用它在电阻器、晶体管和运算放大器等电路元件中找到所有噪声源。这对于许多分析任务来说已足够，但有时使用一个独立噪声源是有用的。例如，噪声源可以是传感器的一部分。没有可用于噪声分析的标准信号源。我们从一个新的特殊数字开
[场效应管]浅析SiC MOS新技术：沟道电阻可降85%-电子发烧友网
我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。 9月28日，东北大学和CUSIC在“ICSCRM2023”会议上宣布，他们针对SiC MOSFET开发一种“同步横向外延生长法（SLE法）”，目的是通过在4C-SiC外延层上再生长3C-SiC层，来解决高温栅氧导致的可靠性问题。 为什么需要怎么做？传统4C-SiC栅氧层制备最大的问题是温度太高（约1300℃），这会导致SiO
[场效应管]SiC相对于传统Si的优势如何-电子发烧友网
碳化硅(SiC)技术已达到临界点，即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。 如今，出于多种原因，希望保持竞争力并降低长期系统成本的设计人员正在转向基于SiC的技术，其中包括： 降低总拥有成本：基于SiC的设计虽然需要前期投资，但可以通过能源效率、更小的系统尺寸和可靠性来降低系统成本。 克服设计挑战：SiC的特性使设计人员能够开发出运行温度更低、开关速度更快且工作电压更高的更小型器件。 提高可靠性和性能：借助更小、更冷的设备，设计人员可以自由地做出更具创新性的设计选择，更容易满足市场需求。 当今大多数电子
[场效应管]H20R1203到底能不能用IRF 250代换？-电子发烧友网
H20R1203到底能不能用IRF 250代换？ H20R1203和IRF250是两种不同的电力场效应晶体管。虽然它们可能在一些电路应用中具有相似的性能特点，但它们并不是完全相同的，因此不能直接互换使用。 首先，让我们来了解一下H20R1203和IRF250这两款晶体管。 H20R1203是一款N-通道增强型晶体管。它具有1200V的额定电压和20A的额定电流。该器件适用于高功率应用，如工业电源和电力设备，并且具有低导通电阻和高开关速度的特点。 IRF250则是国际整流器 生产的另一款N-通道增强型晶体管，具有200V的额定电压和30A的额定电流。与H20R1203相比，IRF25
[场效应管]一种集成低功耗pH传感器的离子敏感场效应晶体管（ISFET）-电子发烧友网
据麦姆斯咨询报道，德国弗劳恩霍夫光子微系统研究所（Fraunhofer IPMS）开发出一种用于芯片式pH值测量的传感层，并成功将其集成到离子敏感场效应晶体管（ISFET）中。 Fraunhofer IPMS开发的具有新型传感层的ISFET结合了一个传统参比电极，可在pH值1~13范围内实现高度精确的pH值测量。 该传感器芯片结构紧凑、不易破损，尺寸为5 mm x 5 mm，最小漂移< 20 μV/h，磁滞低且易于集成。在降低光敏感度方面也取得了重大改进。 Fraunhofer IPMS化学传感器技术业务部主管Olaf R. Hild博士领导的团队开发了这种ISFET，从而为化学和生化分析
[电源管理]图腾柱无桥PFC与SiC相结合，共同提高电源密度和效率
【导读】效率和尺寸是电源设计的两个主要考虑因素，而功率因数校正 (PFC)也在变得越来越重要。为了减少无功功率引起的电力线谐波含量和损耗，尽可能降低电源运行时对交流电源基础设施的影响，需要使用 PFC。但要设计出小尺寸、高效率电源（包括 PFC）仍极具挑战性。本文介绍了如何通过修改传统 PFC 拓扑结构来更好地实现这一目标。 使用整流器和升压二极管的 PFC 电源的输入级通常使用桥式整流器后接单相 PFC 级，由四个整流器二极管和一个升压二极管组成。 图 1：桥式整流器后接单相 PFC 级 图腾柱无桥拓扑结构 还有一种提高电源效率的方
[电源管理]DigiKey推出《超越医疗科技》视频系列，探讨技术辅助个人保健和护理方面的演变过程
【导读】全球供应品类丰富、发货快速的现货技术元器件和自动化产品领先商业分销商 DigiKey 日前宣布推出《超越医疗科技》 新视频系列，深入探讨了技术辅助个人保健和病人护理方面的演变过程。 DigiKey 与 NXP Semiconductors 和 RECOM Power 共同推出《超越医疗科技》新视频系列。 由 NXP? Semiconductors 和 RECOM Power 赞助的三集视频系列深入探讨了医疗设备的不断演变以及如何更快、更精准地进行诊断和治疗。从可穿戴设备到沉浸式技术和 AI 辅助创新，该系列视频探索医疗技术将如何创造寿命更长，生活更美满的可能。 DigiKey 无线和物
[电源管理]用FPGA构建边缘AI推理应用很难？这样做，变简单！
【导读】对于希望在边缘的推理处理器上实施人工智能 (AI) 算法的设计人员来说，他们正不断面临着降低功耗并缩短开发时间的压力，即使在处理需求不断增加的情况下也是如此。现场可编程门阵列 (FPGA) 为实施边缘AI所需的神经网络 (NN) 推理引擎提供了特别有效的速度和效率效率组合。然而，对于不熟悉 FPGA 的开发人员来说，传统FPGA的开发方法可能相当复杂，往往导致他们去选择不太理想的解决方案。 本文将介绍来自Microchip Technology的一种比较简单的方法。通过这种方法，开发人员可以使用FPGA和软件开发套件 (SDK) 构建经过训练的NN，或
[电源管理]SiC器件如何颠覆不间断电源设计?
【导读】不间断电源 (UPS) 和其他基于电池的储能系统可以确保住宅、电信设施、数据中心、工业设备、医疗设备和其他关键设备的持续供电。凭借先进的半导体技术，这些系统能够确保可靠供电，提供滤波功能，并在发生短期电网断电时保障供电。对于更长时间的停电，这些系统可以提供足够的时间让关键设备安全地关闭。 UPS的设计要项一文中，我们带大家了解了UPS的使用用例与具体产品规格，本文将从SiC器件的角度出发，帮助您设计 UPS 或其他电池储能系统。 SiC正在推动革命 碳化硅 (SiC) 产品，即所谓的宽禁带产品，可以对 UPS关键参数产生积极
[电源管理]用于离线电源的开关 IC
【导读】本应用笔记适用于使用 LinkSwitch-II 系列器件设计隔离式 AC-DC 反激式电源的工程师。它提供了指导原则，使工程师能够快速选择关键组件并完成合适的变压器设计。为了简化任务，本应用笔记直接引用了 PIXls 设计电子表格，它是 PI Expert? 设计软件套件的一部分。 LinkSwitch-II 是一款高度集成的单片开关 IC 系列，专为输出高达 6.1 W 的离线电源而设计。LinkSwitch-II 提供恒定电压和恒定电流 (CV/ CC) 输出调节无需使用光耦合器或次级反馈电路。集成的输出电缆压降补偿（仅限 LNK61x）、变压器电感补偿和外部元件温度变化补偿即
[电源管理]充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们
【导读】如今，碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体风头正盛。但在此之前，绝缘栅双极晶体管 (IGBT)才是电力电子行业的主角。本文将介绍IGBT在哪些应用中仍能发挥所长，然后快速探讨一下这些多用途器件的未来前景。 焊接机 许多现代化焊接机使用逆变器，而非焊接变压器，因为直流输出电流可以提高焊接工艺的控制精度。更多优势还包括直流电流比交流电流更安全，并且采用逆变器的焊接机具有更高的功率密度，因此重量更轻。 图 1：焊接机框图 焊接逆变器常用的开关拓扑结构包括全桥、半桥和双管正激，而恒定电流是最常用的控制方案。
