[电源管理]Transphorm技术白皮书：利用Normally-Off D-Mode平台设计将氮化镓晶体管的优势最大化
【导读】该技术文献全面介绍了氮化镓在物理特性方面自带的优势特性以及常闭型d-mode 氮化镓解决方案如何发挥最大的自身优势，用于创建具有更高可靠性、可设计性、可驱动性、可制造性和多样性的卓越平台。 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上
[电源管理]高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展
【导读】在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对组串式光伏逆变器的影响。在电力储能系统中，光伏逆变器是进行电流转换必不可缺的组件。 欧盟提出力争在2030年前将碳排放水平降低62%。也就是说，要在7年时间内实现这一目标。显然，全球朝着可再生能源迈进已成必然趋势，全世界都在探索如何利用可再生能源来满足能源需求，同时降低碳排放。就可再生能源和储能系统而言，有许多幕后功臣在为生产可再生能源默默付出。 在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对
[互连技术]如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试？
【导读】每个芯片上更多器件和更快时钟速度的不断发展，推动了几何形状缩小、新材料和新技术的发展。由于更脆弱、功率密度更高、器件更复杂和新的失效机制，所有这些因素都对单个器件的寿命和可靠性产生了巨大的影响，曾经寿命为100年的器件的生产工艺现在可能只有10年的寿命，这与使用这些器件的预期工作寿命非常接近。较小的误差范围意味着，必须从一开始就考虑器件的寿命和可靠性，从设备开发到工艺集成再到生产不断进行监控，即使是很小的寿命变化，对今天的设备来说也可能是灾难性的。 每个芯片上更多器件和更快时钟速度的不断发展，
[RF/微波]设计晶体振荡器
【导读】本教程重点介绍有关石英晶体的所有内容，石英晶体是电子领域广泛使用的材料之一。还讨论了它的属性、为什么它在某些设备上高度适用以及它在某些条件下的行为方式。特别是石英晶体作为振荡器原材料的应用是本文献的中心内容。D类音频放大器近年来越来越出名。本文将介绍 D 类音频放大器的内容、原因和方法。本文还将介绍音频放大器的背景以及 D 类放大器的优点以及与其他放大器的一些比较。本教程重点介绍有关石英晶体的所有内容，石英晶体是电子领域广泛使用的材料之一。还讨论了它的属性、为什么它在某些设备上高度适用以及它在某
[电路保护]Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势
【导读】氮化镓功率半导体器件毫无疑问是目前电力电子领域中非常火热的一个话题。当今占主导有两种晶体管类型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化镓晶体管。当人们面临选择时，有时会难以言明地倾向于使用增强型晶体管。而事实上，Normally-off D-mode在性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面都是本质上更优越的平台。这之中的原因在于Normally-off D-mode能够充分利用氮化镓材料本身优势。 常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓功率半导体器件毫无疑问是目前电力电子
[电路保护]增强型 GaN 晶体管的电气特性
【导读】对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得利益。 注意这些电气特性 每个半导体的功能都有其限制。这些限制通常在器件数据表中突出显示，并作为设计人员如何创建不存在隐藏质量或可靠性问题的设计的指南。增强型 GaN 晶体管（例
[电源管理]晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算
【导读】功率晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS旁路等场合。本文通过公式计算和在线IPOSIM仿真两种方式，对晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算和结温预估进行说明，给广大工程师在晶闸管选型时提供帮助。晶闸管在AC/DC整流应用中的损耗计算，请参考微信文章《PIM模块中整流桥的损耗计算》。 晶闸管是半控型电力电子器件，可通过门极在晶闸管承受正向阳极电压时，控制晶闸管导通，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管自行关断。晶闸管一般处于工频开关工作，所以在计算其损耗时，忽略开关损耗，只计算其导通损耗。 公式计算方法
[互连技术]晶体管的第一个76年：变小了，却变大了？
【导读】1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，它改进了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，为电子设备的发展奠定了基础，也为人们带来了便捷高效的数字化生活。1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，
[互连技术]自加热Vbe 晶体管恒温器无需校准
【导读】一种明显的替代方法是使用晶体管 Vbe tempco 进行温度自检测，由于其明显的简单性而很有吸引力，但在实践中，它的实用性受到不可预测的晶体管 Vbe 可变性的限制。在参考文献 1 中，的模拟大师 Jim Williams 解释了这个问题如何需要初始传感器晶体管校准（如果传感器需要更换，则需要重新校准）。 它包含三个想法。 1.将双极型功率晶体管复用在温度自测和自发热之间，从而实现自控温度。 2.关闭恒温器晶体管与需要温度控制的组件的热耦合。因此，当晶体管对自身进行恒温时，它也会对与其热结合的组件进行恒温。 3.利用Vbe感测获得晶
[互连技术]晶闸管是怎么调节灯泡亮度的？
【导读】那有什么办法可以控制这个灯的亮度吗？当然有了，那就是晶闸管，它是很重要的，交流控制器件，比如调节交流电的灯光亮度，调节电水壶水温，还有风扇无极调速，都可以用晶闸管实现。 怎么控制一个灯泡的亮度呢？如果是直流电的话，给三极管PWM波选择控制它的亮度。 但如果是交流电呢？比如我们家里的220伏50赫兹的交流电，这时候用三极管显然是不合适的，因为交流电的电压一直在发生变化，三极管根本不能正常工作，还有就是交流电的电压太高，一般三极管也承受不了这么大的电压。 那有什么办法可以控制这个灯的亮度吗？当然有了，那
[互连技术]时钟晶体下面铺地和走线
【导读】时钟晶体和相关电路应布置在PCB的中央位置并且要有良好的地层，而不是靠近I/O接口处。不可将时钟产生电路做成子卡或者子板的形式，必须做在单独的时钟板上或者承载板上。 我们在单板电路设计时，针对时钟部分的注意事项，主要有以下几个方面可以考虑：1、布局时钟晶体和相关电路应布置在PCB的中央位置并且要有良好的地层，而不是靠近I/O接口处。不可将时钟产生电路做成子卡或者子板的形式，必须做在单独的时钟板上或者承载板上。 如下图所示，绿色框中部分下一层最好不要走线在PCB时钟电路区域只布与时钟电路有关的器件，避免布
[互连技术]降压开关稳压器如何使用串联晶体管
【导读】降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说，降压开关调节器是降压调节器电路，因此例如降压转换器可以将+12伏转换为+5伏。降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说，降压开关调节器是降压调节器电路，因此例如降压转换器可以将+12伏转换为+5伏。降压开关稳压器是一种直
[晶振]晶体特性及模型
石英晶振的特性及模型石英晶体是一种可将电能和机械能相互转化的压电器件，能量转变发生在共振频率点上。它可用如下模型表示：C0：等效电路中与串联臂并接的电容(译注：也叫并电容，静电电容，其值一般仅与晶振的尺寸有关)。Lm：(动态等效电感)代表晶振机械振动的惯性。Cm：(动态等效电容)代表晶振的弹性。Rm：(动态等效电阻)代表电路的损耗。晶振的阻抗可表示为以下方程(假设Rm可以忽略不计)： 石英晶振的频域电抗特性： 其中Fs的是当电抗Z=0时的串联谐频率(译注：它是Lm、Cm和Rm支路的谐振频率)，其表达式如
[晶振]在光端机应用中，晶振的核心作用你知道吗？
随着信息技术的发展，光纤通信在现代通信领域中扮演着重要的角色。而光端机在光纤通信系统中起着关键的作用，实现了光纤通信的高速、远距离传输和多协议兼容性，为现代通信网络的建设和发展提供了重要支持。 光端机是一种将电信号转换为光信号（发射端）或将光信号转换为电信号（接收端）的设备，它的应用趋势日益广泛，从传统的电信领域扩展到互联网、数据中心、无线通信等众多领域。光接收模块和光发射模块的正常工作和数据传输都需要精确的时钟信号来确保同步性和准确性
[晶振]晶振的作用是什么？四个作用要知道
关于晶振的作用，首先我们应该知道晶振全名是是什么。晶振的全名是晶体振荡器，光听名字的就知道的作用吧！主要是晶振在电路中起着产生震荡频率的作用，这种作用是比较重要的，因为他晶振是单片机的心脏，可见作用很大。 作用一：发指令的作用 可以这么说每个单片机都会包含晶振的，晶振主要是结合单片机内部的电路，通过产生单片机时钟频率，从而可以让单片机的正常的发布知名，晶振的提供适中频率越高，单片机的运行速度非常快。 作用二：稳定工作环境 晶振可以稳定工作环境，而且晶振可以把电能
[互连技术]针对医疗产品的可植入级晶体计时解决方案
Micro Crystal瑞士微晶为生命救助医疗设备提供超低功耗、微型计时和频率产品。其产品系列可以满足低频（32-102.4kHz）音叉式晶体、AT-cut晶体（14-50MHz）、低频振荡器（32.768-100kHz）和实时时钟模块的需求。 这些基于成熟可靠的石英技术的产品可为医疗植入器件和其他医疗应用提供最先进的组件，帮助电子设备实现微型化，并可应用于所有需要解决时间准确性、组件密度和尺寸等挑战的设计中。 用于医疗设备的高精度计时和频率组件医疗行业的错误往往可能导致严重后果，因此电子仪器和设备必须以高度精确的方式运行。为了帮助医疗专业人员
[互连技术]绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
【导读】尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件感到兴奋，但硅基绝缘栅双极晶体管(IGBTs)在今天比以往任何时候都更加重要。在我们10月份发布的电动汽车电力电子报告[2]中，TechInsights预测，xEV轻型汽车动力总成的产量将从2020年的910万增长到2026年的4310万，这使得其复合年增长率(CAGR)达到25%。SiC MOSFET目前预计占市场的约26%，到2029年预计将占市场份额的50%。 一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中，我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展[1]。 尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件
[光电显示]光电晶体管的结构和特性
【导读】在 NPN 晶体管中，集电极相对于发射极正向偏置，使得基极/集电极结反向偏置。因此，在结处没有光的情况下，正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时，该区域会形成更多的电子/空穴对，并且该作用产生的电流被晶体管放大。 在 NPN晶体管中，集电极相对于发射极正向偏置，使得基极/集电极结反向偏置。因此，在结处没有光的情况下，正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时，该区域会形成更多的电子/空穴对，并且该作用产生的电流被晶体管放大。通常光电晶体管的灵敏度是晶体管直流电流增益的函数。因此，总体灵敏度
[电路保护]SiC 晶片的切片和表面精加工解决方案
【导读】如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步，但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。 如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术
