晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算
【导读】功率晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS旁路等场合。本文通过公式计算和在线IPOSIM仿真两种方式，对晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算和结温预估进行说明，给广大工程师在晶闸管选型时提供帮助。晶闸管在AC/DC整流应用中的损耗计算，请参考微信文章《PIM模块中整流桥的损耗计算》。
晶闸管是半控型电力电子器件，可通过门极在晶闸管承受正向阳极电压时，控制晶闸管导通，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管自行关断。晶闸管一般处于工频开关工作，所以在计算其损耗时，忽略开关损耗，只计算其导通损耗。
公式计算方法如下：
各参数定义如下：
PVT是单个晶闸管的损耗
VT0是阈值电压 (threshold voltage)
ITAV是单个晶闸管输出电流平均值
rT是斜率电阻 (slope resistance)
F是波形因数 (form factor)，可由公式2获得
其中ITRMS是单个晶闸管输出电流均方根值，即有效值；对于UPS旁路应用中的正弦半波电流，此时 F取值1.571。（参考文后公式4~6）
上图电路中I1是该相交流电流有效值，ITAV是单个晶闸管的电流平均值，U1为相电压有效值。
以600kW UPS，输出电压400 VAC旁路举例，分别考虑下述过载规格，125%功率过载10分钟以及150%功率过载1分钟，并且以85%输出电压作为最恶劣条件。
125%功率过载时，对应的最大相电流有效值为：
根据公式4计算该单个器件的电流平均值为：
选择TT820N16KOF和TT600N16KOF作为方案备选，它们的参数如下：
由于只计算单个晶闸管的损耗，RthJC取单个晶闸管的结壳热阻(per arm,θ=180° sin)。将上述参数代入公式1，并假定器件的壳温Tcase=85°C，根据公式3即可计算出器件结温。
对比这两个方案的计算结温，TT820N16KOF的结温裕量有19，TT600N16KOF只有2.5。
150%功率过载时，对应的最大相电流有效值为：
根据公式4计算该单个器件的电流平均值为：
同上述125%功率过载计算方法一样，并且由于规格书中的瞬态热阻在60S时已经稳定，我们可以使用上述表格中的最大RthJC值来计算结温。
对比这两个方案的计算结温，TT820N16KOF的结温裕量仍然有10℃，TT600N16KOF已经超过最大结温上限了。显然，TT820N16KOF是最适合600kW UPS的旁路方案。此类压接型的晶闸管外观呈现黑色，有着更高的结温规格以及更强的抗冲击电流能力，适合UPS旁路应用。
我们再使用IPOSIM来进行仿真，然后同公式计算结果进行对比。
扫描下方二维码或点击文末“阅读原文”，登陆英飞凌官网上的IPOSIM页面，选择AC/AC Applications。
在器件选型中，选取TT820N16KOF和TT600N16KOF。
在Circuit & Control中输入上文计算的I1，这里I1=Iout。
在Cooling Condition中设置固定壳温(Fixed Case Temperature)，最后运行仿真(Run Simulation)。
仿真结果如下。其中Parm即是上文计算的PVT，TT系列晶闸管内部是2颗芯片反向并联，Ptot=Parm*2。结果也显示最大结温Tvj max和单个晶闸管电流均方根值ITRMS。
125%过载结果
150%过载结果
对比公式计算和IPOSIM仿真结果，基本一致。
当然，IPOSIM的功能更强大，在Cooling Condition中还可以设置散热片参数，得到更准确的结温仿真结果。同时，使用IPOSIM也更简单，只需要填入电流有效值即可，并能同时仿真多个方案进行对比。
以上，是晶闸管在UPS旁路应用中的损耗评估方法，请各位参考，谢谢。
附
正弦半波电流的平均值和均方根有效值的计算。
正弦半波电流的有效值
作者：周明
来源：英飞凌
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：
AFE8092帧同步特性简析
硅麦音频放大电路
超低功耗无线 MCU：玩转睡眠模式
太阳诱电导电性高分子混合铝电解电容器
如何为ADAS处理器提供超过100A的电流
