[Vishay威世]Vishay,Siliconix,推出符合DrMOS?规定的新款器件
产品特性： 对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET 完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管 工作频率超过1MHz，效率高达92%应用范围： 输入电压为24V日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出集成的DrMOS解决方案 --- SiC762CD。在紧凑的PowerPAK® MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®规定的服务器、PC、图形卡、工作站、游戏机和其他高功率CPU系统中电压调节器(VR)标准。该器件的工作频率超过
[Vishay威世]Vishay Siliconix推出通过JAN认证的军用级N沟道功率MOSFET
产品特性： 具低导通电阻和快速开关的性能应用范围： 在军工、航天和航空应用 适用于TTL/CMOS直接逻辑电平接口Vishay Siliconix推出通过JAN认证的军用级N沟道功率MOSFET采用密封TO-205AD封装的军用级器件具有低导通电阻和快速开关性能宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月31 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的
[Vishay威世]Si7192DP：Vishay,Siliconix,TrenchFET功率MOSFET
产品特性： PowerPAK SO-8 封装 4.5V 栅极电压时有2.25 毫欧最大导通电阻 导通电阻与栅极电荷乘积为 98应用范围： 稳压器模块、服务器 使用负载点功率转换的众多系统日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，该器件具有破纪录的导通电阻规格及导通电阻与栅极电荷乘积。新型 TrenchFET第三代 Si7192DP是一款采用 PowerPAK SO-8 封装的 n 通道器件，在 4.5V 栅极驱动电压时具有 2.25 毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对 MOSFET 的关键优值 (FOM)，该值为 9
[Vishay威世]SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET
产品特性： 电压介于 8 V 至 30 V 之间 4.5 V 时导通电阻值低至 0.011 ? PowerPAK SC-70小型封装 符合 RoHS 规范应用范围： 手机、PDA、数码相机 MP3 播放器、笔记本电脑、便携式HDD 微型电机驱动等便携设备Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了 n 通道及 p 通道的互补对外，还包括 n 通道及 p 通道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件。器件的电压介于 8 V 至 30 V 之间，在 4.5 V 时导通电阻
[Vishay威世]Vishay,Siliconix,发布4款600V,MOSFET,SiHx22N60S
产品特性： 将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装 具有600V的电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.190Ω 栅电荷只有98nc FOM可低至18.62Ω*nC 可处理65A的峰值电流和22A的连续电流 符合RoHS指令2002/95/EC应用范围： 液晶电视、个人电脑、服务器、开关电源和通信系统等Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220
[Vishay威世]Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V时导通电阻仅为9.4mR
产品特点： 具有N沟道器件中最低的导通电阻 PowerPAK SC-70封装可在便携电子应用中节省PCB空间应用领域： 智能手机、平板电脑，以及移动计算应用日前，Vishay宣布推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻，4.5V时导通电阻仅为9.4 m?。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4m?、10.5m?、12.5m?、18m?和36m?的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64
[Vishay威世]SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
产品特性： PowerPAK SO-8 封装 最低导通电阻 低导通电阻与栅极电荷乘积 无铅 (Pb)，无卤素，并且符合 RoHS 标准应用范围： 同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用 稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的诸多系统日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，扩展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。该SiR440DP在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻
[Vishay威世]Vishay Siliconix推出符合DrMOS®规定的SiC762CD
产品特性： 对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET 完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管 工作频率超过1MHz，效率高达92%应用范围： 输入电压为24V日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出集成的DrMOS解决方案 --- SiC762CD。在紧凑的PowerPAK® MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®规定的服务器、PC、图形卡、工作站、游戏机和其他高功率CPU系统中电压调节器(VR)标准。该器件的工作频率超过
[Vishay威世]Vishay Siliconix发布6款采用超小尺寸封装的新型低电压模拟开关
产品特性： 具有低功率损耗和低开关噪声的性能 有利于改善信号完整性和提高系统精度应用范围： 适合需要对音视频和数字多媒体信号进行路由的应用场合Vishay Siliconix发布6款采用超小尺寸封装的新型低电压模拟开关宾夕法尼亚、MALVERN — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款新型采用节省空间的TDFN和MSOP表面贴装封装的低电压、高精度双路单刀单掷(SPST)模拟开关--- DG721/2/3和DG2537/8/9。这些器件具有低功率损耗和低开关噪声的性能，有利于改善信号完整性和提高系统精度。DG721/2/3可使用单路1.8V～5.5V电源进行
[电源管理]PowerSilicon,精彩亮相中国电子展
行业事件 PowerSilicon 参加第72届中国电子展行业影响 PowerSilicon展示了肖特基二极管、MOSFET等产品在第72届电子展上，我们在五号展馆看到了领先的功率半导体提供商PowerSilicon 公司的身影，该公司总部位于美国，并在菲律宾、中国大陆和台湾设有生产基地和分公司。在本次展会上带来了自己最新的产品，包括旁路二极管，肖特基二极管、传统整流器、超快速整流器、MOSFET、ESD保护器件-TVS阵列、EMI滤波器等。该公司的肖特基二极管反向恢复时间小于三十钠秒，广泛用于电源和电焊机产品当中。另外该公司出品的MOSFET PS75N75，VDSS达
[Vishay威世]Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET
产品特性： 该器件将第三代P沟道TrenchFET技术延伸至超小封装 在2mmx2mm的占位面积内用两个20V P沟道功率MOSFET 导通电阻最多可减少44%应用范围： DC-DC降压转换器 便携设备中的负载、功放和电池开关宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiA921EDJ，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。SiA921EDJ
[Vishay威世]Vishay Siliconix推出业界最小的60V功率MOSFET
产品特性： SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET 为业界最小的60V功率应用范围： 广泛用于仅能提供很小电路板空间的各种小信号开关应用Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封装的尺寸为1mm x 0.6mm，最大厚度仅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度则薄了26%。在VGS为10V、4.5V和3.5V的情况下，新器件的导通电阻分
[Vishay威世]Vishay Siliconix发布6款采用超小尺寸封装的新型低电压模拟开关
产品特性： 具有低功率损耗和低开关噪声的性能 有利于改善信号完整性和提高系统精度应用范围： 适合需要对音视频和数字多媒体信号进行路由的应用场合Vishay Siliconix发布6款采用超小尺寸封装的新型低电压模拟开关宾夕法尼亚、MALVERN — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款新型采用节省空间的TDFN和MSOP表面贴装封装的低电压、高精度双路单刀单掷(SPST)模拟开关--- DG721/2/3和DG2537/8/9。这些器件具有低功率损耗和低开关噪声的性能，有利于改善信号完整性和提高系统精度DG721/2/3可使用单路1
[Vishay威世]Vishay Siliconix推出三款新型500V N沟道功率MOSFET
产品特性： 器件采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK封装 具有低至0.555Ω的导通电阻和48nC的栅极电荷 更低的功率损耗应用范围： 笔记本电脑的交流适配器、PC机和液晶电视，以及开放式电源日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗，从而在各
[电源管理]F9xx系列：Silicon Labs推出触摸感应微控制器适合电池供电应用
触摸感应微控制器的产品特性： 触摸唤醒功耗低于1μA 内置了一集成的LDO触摸感应微控制器的应用范围： F99x适用于人机界面 F98x适用于功耗及成本敏感的应用领域 适合电池供电的应用Silicon Labs(美国芯科半导体)，是一家业界领先的高性能模拟和混合信号IC供应商。日前，该公司推出两款业界最低功耗的电容式触摸感应微控制器，扩充其超低功耗C8051F9xx系列，其触摸唤醒功耗低于1μA。最新成员包括F99x和F98x MCU，其中F99x采用集成触摸感应技术，适用于人机界面；F98x则主攻对功耗及成本敏感的应用领域，例如家
[芯科国际]Silicon Labs为物联网扩展Ember ZigBee产品线
高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Labs（芯科实验室有限公司, NASDAQ:SLAB）今日宣布扩展了其业界领先基于ARM®架构的Ember® ZigBee®片上系统（SoC）产品组合，该系列产品为物联网（IoT）提供了无与伦比的无线性能、能效和可靠性。Silicon Labs的新成员EM358x SoC产品系列提供了额外的Flash和RAM存储容量选项，满足更大、更复杂的智能能源和家庭自动化设计需求。此外，Ember ZigBee系列产品也提供了USB连通性和本地存储的引导加载程序，从而更有效的帮助开发人员减少物料（BOM）成本和系统复杂度。 EM358x SoC系列产
[芯科国际]Silicon Labs广播收音机IC出货量突破十亿颗
高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories 今日宣布其广播收音机IC出货量已达十亿颗，缔造了广播音频市场的重要里程碑。Silicon Labs的数字CMOS广播收音机芯片广泛应用于手机、便携式媒体播放器(PMP)、个人导航装置(PND)、汽车信息娱乐系统、桌面和床头收音机、便携式收音机、音响和许多其他消费电子产品。Silicon Labs公司于2005年推出业界首颗单芯片FM接收器。作为业界最小、最高性能和集成度的FM广播收音机IC，Si4700 IC重构了消费电子产品中的FM调谐设计。之前传统的广播音频方案基于复杂、高成本的模拟架构，需要超过30个
[芯科国际]Silicon Labs推出业界首款6通道5kV数字隔离器
高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories （芯科实验室有限公司, NASDAQ: SLAB）今日宣布推出新型数字隔离器Si86xx系列产品，该系列产品为隔离等级要求达到5kV的应用提供最高的通道数、性能和数据传输率。新型Si86xx 3.75kV和5kV数字隔离器可以替代需要安全操作和高级绝缘保护应用中的光耦合器，例如：工业自动化和驱动器、电机控制和医疗系统。Si86xx系列产品具有5kV的隔离等级，是220Vac市电电源供电系统的理想解决方案。这些系统包括隔离的AC-DC和DC-DC电源供应、太阳能电池板微型逆变器、数据通信系统和混合动力电动汽车（
[芯科国际]Silicon Labs推出业界最节能和易用的湿度传感器
Silicon Labs（芯科实验室有限公司）日前宣布推出相对湿度（RH）和温度传感器，旨在简化RH传感设计，同时提供业内领先的能效和易用性。作为Silicon Labs的第二代RH感应解决方案，Si701x/2x传感器结合了标准CMOS混合信号IC和采用聚合物电介质薄层的专利湿度测量技术。该新型系列产品可为家居自动化、HVAC、制冷、医疗照护、远程监控、汽车和工业设备等提供精确RH感应。当与Silicon Labs广受欢迎的节能型微控制器和无线IC产品相结合时，Si701x/2x系列产品能够为连接到物联网的各种可连接设备进行测量、控制和报告环境状况，提供最佳的解决方
[芯科国际]Silicon Labs推出业界首款数字紫外线指数传感器
2014年2月11日，高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Labs(芯科实验室有限公司, NASDAQ: SLAB)宣布推出业界首款适用于智能手机和可穿戴式产品的单芯片数字紫外线(UV)指数传感器IC，设计旨在检测UV光照强度、心脏/脉搏速率、血氧饱和度，以及提供接近/手势控制等。做为Silicon Labs光学传感器产品家族的最新成员，Si1132和Si114x传感器IC非常适用于具有动作跟踪功能的腕带和臂带产品、智能手表和智能手机等应用。除了支持UV指数检测之外，这些器件也可为健康和健身方面的应用提供环境光和红外(IR)接近感测功能。在消费类电子产品中，对U
