CC10型超高频瓷介电容器
CC10型超高频瓷介电容器
CC10型超高频硅介电容器主要用于高频电路中,频率可达到OMHz。其外形结构分a 、b两种形式,如图4-73 所示,主要特性参数见表4-113 。
CC10型超高频硅介电容器主要用于高频电路中,频率可达到OMHz。其外形结构分a 、b两种形式,如图4-73 所示,主要特性参数见表4-113 。
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