IR推出可靠的超高1200V IGBT,以降低开关及传导损耗
产品特性：
- 采用纤薄晶圆场截止沟道技术
- 可显著降低开关及传导损耗
- 可在不间断电源、太阳能逆变器等中应用
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司近日推出针对感应加热、不间断电源（UPS）太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。
全新超高速 1200V IGBT 系列采用纤薄晶圆场截止沟道技术，可显著降低开关及传导损耗，从而在较高频率下提升功率密度和效率。这些器件不仅为无需短路功能的应用进行了优化，如不间断电源、太阳能逆变器、焊接等应用，而且为电机驱动应用提供10微秒短路功能，与其它IR产品相辅相成。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR全新超高速1200V沟道IGBT系列具备多种性能优势，有助于提升系统的效率；同时通过降低开关的损耗及提高开关频率，减少散热器的尺寸与磁元件的数量，从而降低整体系统的成本。”
新系列包括电流介于 20A 和50A 之间的封装器件，以及高达 150A 电流的裸片产品。其主要优势包括宽方形反向偏压安全操作区（RBSOA）、正VCE（on）温度系数，以及用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE（on）。此外，新器件还可内置/不内置一个超高速软恢复二极管。裸片更配备焊前金属（SFM），以提高热性能、可靠性及效率。
- 产品规格
器件编号
封装
I(nom)
Vceon
Rth(j-c)
IRG7PH35U
IRG7PH35UD
TO247
TO247 - Copack
20
1.9
0.70 oC/W
IRG7PH42U
IRG7PH42UD
TO247
TO247 - Copack
30
1.7
0.39 oC/W
IRG7PH46U
IRG7PH46UD
TO247
TO247 - Copack
40
1.7
0.32 oC/W
IRG7PH50U
IRG7PSH50UD
TO247
Sup.TO247 - Copack
50
1.7
0.27 oC/W
