东芯半导体副总经理陈磊将出席IIC 2022深圳站
虽然国产存储器芯片产业发展如火如荼，但能同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的公司凤毛麟角，东芯半导体是其中一家。作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的设计、生产和销售。
11月10日—11日，2022国际集成电路展览会暨研讨会（IIC?Shenzhen）将在深圳大中华国际交易广场隆重开启。11月10日的全球CEO?峰会，东芯半导体副总经理陈磊先生将出席圆桌论坛，就“全球半导体周期变数及应对策略”话题发表观点。
陈磊对《电子工程专辑》表示，此次IIC?2022深圳站展会上，东芯半导体最值得关注的产品是4Gb?SPI?NAND?Flash。引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器?，内部集成了ECC纠错模块，使其在满足数据传输效率的同时，节约了空间，简化了客户设计，提高了产品可靠性；并且是1.8V/3.3V双电压的兼容设计，具备WSON、BGA多种封装形式，不仅能满足常规应用场景，也使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗，有效延长设备的待机时间，也更灵活地适用于不同应用场景。
以东芯半导体4Gb?SPI?NAND?Flash产品DS35X4GM-IB为例，?“拥有完全的自主知识产权，采用2x nm?NAND工艺?。规格上除了可提供1.8V/3.3V两种不同的电压外，也拥有和国际公司产品兼容的SPI/D-SPI/Q-SPI传输模式。”陈磊说到，其先进工艺及较大容量填补了市场空缺，作为公司新的拳头产品，在国产替代项目上拥有完全的适配性，一经推出就获得广泛关注。该产品不但可运用在传统的网络通讯、消费电子等领域，更适合对容量有一定要求的高清视频监控、5G基站及服务器市场。
据介绍，东芯半导体全系列的SLC?NAND?Flash产品在核心技术上也拥有明显优势。主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖1Gb至32Gb，可灵活选择?SPI或PPI类型接口，搭配?3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。主要用于支持Linux、RTOS等应用系统代码的存储和运行，实现数据的存储及快速改写，被广泛应用于如5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。
陈磊表示：“东芯聚焦高附加值产品及先进工艺迭代，开发的车规产品正在进行?AEC-Q100的验证；先进工艺的?1x nm完成首轮晶圆流片后，产品正在不断调试过程中，也请大家持续关注。”
相关视频：陈磊先生在IIC 2022南京站接受《电子工程专辑》采访
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