[电源管理]Transphorm技术白皮书：利用Normally-Off D-Mode平台设计将氮化镓晶体管的优势最大化
【导读】该技术文献全面介绍了氮化镓在物理特性方面自带的优势特性以及常闭型d-mode 氮化镓解决方案如何发挥最大的自身优势，用于创建具有更高可靠性、可设计性、可驱动性、可制造性和多样性的卓越平台。 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上
[电源管理]高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展
【导读】在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对组串式光伏逆变器的影响。在电力储能系统中，光伏逆变器是进行电流转换必不可缺的组件。 欧盟提出力争在2030年前将碳排放水平降低62%。也就是说，要在7年时间内实现这一目标。显然，全球朝着可再生能源迈进已成必然趋势，全世界都在探索如何利用可再生能源来满足能源需求，同时降低碳排放。就可再生能源和储能系统而言，有许多幕后功臣在为生产可再生能源默默付出。 在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对
[电路保护]Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势
【导读】氮化镓功率半导体器件毫无疑问是目前电力电子领域中非常火热的一个话题。当今占主导有两种晶体管类型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化镓晶体管。当人们面临选择时，有时会难以言明地倾向于使用增强型晶体管。而事实上，Normally-off D-mode在性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面都是本质上更优越的平台。这之中的原因在于Normally-off D-mode能够充分利用氮化镓材料本身优势。 常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓功率半导体器件毫无疑问是目前电力电子
[电路保护]增强型 GaN 晶体管的电气特性
【导读】对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得利益。 注意这些电气特性 每个半导体的功能都有其限制。这些限制通常在器件数据表中突出显示，并作为设计人员如何创建不存在隐藏质量或可靠性问题的设计的指南。增强型 GaN 晶体管（例
[互连技术]晶体管的第一个76年：变小了，却变大了？
【导读】1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，它改进了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，为电子设备的发展奠定了基础，也为人们带来了便捷高效的数字化生活。1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，
[互连技术]自加热Vbe 晶体管恒温器无需校准
【导读】一种明显的替代方法是使用晶体管 Vbe tempco 进行温度自检测，由于其明显的简单性而很有吸引力，但在实践中，它的实用性受到不可预测的晶体管 Vbe 可变性的限制。在参考文献 1 中，的模拟大师 Jim Williams 解释了这个问题如何需要初始传感器晶体管校准（如果传感器需要更换，则需要重新校准）。 它包含三个想法。 1.将双极型功率晶体管复用在温度自测和自发热之间，从而实现自控温度。 2.关闭恒温器晶体管与需要温度控制的组件的热耦合。因此，当晶体管对自身进行恒温时，它也会对与其热结合的组件进行恒温。 3.利用Vbe感测获得晶
[互连技术]降压开关稳压器如何使用串联晶体管
【导读】降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说，降压开关调节器是降压调节器电路，因此例如降压转换器可以将+12伏转换为+5伏。降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说，降压开关调节器是降压调节器电路，因此例如降压转换器可以将+12伏转换为+5伏。降压开关稳压器是一种直
[互连技术]绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
【导读】尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件感到兴奋，但硅基绝缘栅双极晶体管(IGBTs)在今天比以往任何时候都更加重要。在我们10月份发布的电动汽车电力电子报告[2]中，TechInsights预测，xEV轻型汽车动力总成的产量将从2020年的910万增长到2026年的4310万，这使得其复合年增长率(CAGR)达到25%。SiC MOSFET目前预计占市场的约26%，到2029年预计将占市场份额的50%。 一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中，我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展[1]。 尽管人们对宽带隙(WBG)功率半导体器件
[光电显示]光电晶体管的结构和特性
【导读】在 NPN 晶体管中，集电极相对于发射极正向偏置，使得基极/集电极结反向偏置。因此，在结处没有光的情况下，正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时，该区域会形成更多的电子/空穴对，并且该作用产生的电流被晶体管放大。 在 NPN晶体管中，集电极相对于发射极正向偏置，使得基极/集电极结反向偏置。因此，在结处没有光的情况下，正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时，该区域会形成更多的电子/空穴对，并且该作用产生的电流被晶体管放大。通常光电晶体管的灵敏度是晶体管直流电流增益的函数。因此，总体灵敏度
[互连技术]双极结型晶体管的电流增益
【导读】如果您施加一个足够高的电压 VIN以正向偏置基极-发射极结，电流将从输入端流过 RB，通过 BE 结，到达地。我们称之为 IB。电流还将从 5 V电源流经 RC，流经晶体管的集电极到发射极部分，流到地。称之为IC。假设 IC足够小以在集电极端留下相对较高的电压——足够高的电压，即保持基极-集电极结反向偏置。假设我们正在使用一个简单的电路，该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成，连接方式如下：如果您施加一个足够高的电压 VIN以正向偏置基极-发射极结，电流将从输入端流过 RB，通过 BE 结，到达地。我们称之为 IB。
[传感技术]研究人员开发出新材料使芯片尺寸更小
澳大利亚新南威尔士大学悉尼分校研究人员开发出一种微小、透明且灵活的新材料，有助于芯片尺寸进一步微缩。研究人员使用独立的单晶钛酸锶（STO）膜作为栅极电介质，制造了透明的场效应晶体管，并发现这种新型微型设备与硅半导体场效应晶体管的性能相接近。获 取 更多前沿科技?研究 进展访问：https://byteclicks.com这表明，STO可用作晶体管中的新型绝缘体组件，能在不影响功能的情况下使晶体管尺寸更小。此外，研究人员还证实STO材料有被用于制造二维晶体管的潜能，有望与其他材料结合，为各类新兴应用创造高性能晶体
[传感技术]EPC推于市场上具有最低导通电阻的100 V耐辐射晶体管
? ? 宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的100 V器件用于要求严格的机载和其他高可靠性环境的电源转换解决方案，与目前市场上的任何100 V耐辐射晶体管相比，它具有最低的导通电阻。 ? ? EPC公司宣布推出100 V、3.9 mΩ、345 APulsed的耐辐射GaN FETEPC7018，尺寸为13.9 mm2，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。与EPC7014、EPC7007和EPC7019耐辐射产品系列相同，都是采用芯片级封装。封装器件由
[传感技术]国产最强通用GPU来了！770亿颗晶体管，八大核心特性揭秘
芯东西（公众号：aichip001）作者 | ?心缘编辑 | ?漠影芯东西8月9日报道，今日下午，上海GPU独角兽企业壁仞科技推出首款面向云端人工智能（AI）训练及推理的通用GPU算力产品BR100系列，其旗舰产品的峰值算力超过了英伟达目前在售的旗舰计算产品A100 GPU的3倍。▲张文展示BR100芯片“全球通用GPU算力记录，第一次由一家中国企业创造。”在发布会上，壁仞科技创始人、董事长、CEO张文宣布，“中国通用GPU芯片进入每秒1,000,000,000,0000,0
[传感技术]国内第一算力通用GPU芯片集成770亿晶体管 一次点亮成功
性能方面，INT8整数计算2048 Tops(每秒2048万亿次)、BF16浮点计算1024 TFlops(每秒1024万亿次)、TF32+浮点计算512 TFlops(每秒512万亿次)、FP32双精度浮点256 TFlops(每秒256万亿次)。其他方面，它还集成了超过300MB片上缓存、64GB HBM2E片上内存，外部IO带宽达2.3TB/s，支持64路编码、512路解码，还支持PCIe 5.0、CXL互连协议，一次全部给到位。更难得的是，壁仞科技创始人、董事长、CEO张文在发布会上披露，BR100系列芯片一次就点亮成功了！我们知道，芯片设计是一个漫
[传感技术]壁仞正式发布BR100芯片：国内算力最大通用GPU
性能方面，1024 TOPS INT8、512 TFLOPS BF16、256 TFLOPS TF32+、128 TFLOPS FP32，可实现2.3TB/s外部I/O带宽，支持64路编码、512路解码等，号称在FP32（单精度浮点）、INT8（整数，常用于人工智能推理）等维度，均超越了国际厂商最新旗舰。这里虽然没有点名国际厂商，但从列出的数据来看，对比的是NVIDIA Hopper GPU，后者采用台积电4nm工艺制造，集成多达800亿晶体管。当然，算力性能只是一方面，对于通用GPU产品来说，最终的应用情况以及在软件生态方面是否对开发者、
[传感技术]3D 堆叠 CMOS 将摩尔定律推向新高度
本文编译自IEEE，作者为英特尔组件研究小组的研究员兼器件与集成副总裁Jack Kavalieros以及英特尔组件研究小组首席工程师Marko Radosavljevic在本文中，英特尔详细介绍了其最新的RobbinFET技术，以及更多关于3D堆叠CMOS的技术前景，以下为文章详情。在过去的 50 年中，影响最深远的技术成就或许就是芯片的进步，不断朝向更小的晶体管稳步迈进，它们更紧密的结合，并且以更低功耗运行。然而，自从 20 多年前我们两人在英特尔开始了我们的职业生涯以来，我们就一直在听到警报，即更小的缩微即将结束。然而，年复
[传感技术]晶体管的未来：3D堆叠CMOS
在过去的 50 年中，影响最深远的技术成就可能是晶体管一如既往地稳步向更小迈进，使它们更紧密地结合在一起，并降低了它们的功耗。然而，自从 20 多年前笔者在英特尔开始职业生涯以来，我们就一直在听到警报——晶体管下降到无穷小的状态即将结束。然而，年复一年，出色的新创新继续推动半导体行业进一步发展。在此过程中，我们的工程师不得不改变晶体管的架构，以便我们能在提高芯片性能的同时继续缩小面积和功耗。这也是推动我们将在20 世纪下半叶流行的“平面”晶体管设计在 2010 年代上半替换为3D 鳍形器件
[传感技术]ST和GlobalFoundries在法国Crolles附近的新工厂联合推进FD-SOI
意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录，将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点，包括FD-SOI。ST和GF预计，该晶圆厂将于2024年开始生产芯片，到2026年将达到满负荷生产，每年生产多达62万片300毫米晶圆。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202208/437510.htm法国东南部的Crolles，距离意大利边境不远，长期以来一直是FD-SOI发展的温床。从许多方面来看，FD-SOI是一种技术含量较低的方法，可
[传感技术]基于GAA晶体管的3nm制程也正式开启了新的晶体管时代
8月18日，据相关爆料，台积电3nm(N3)制程将预计于第三季增加投片量，于第四季度进入量产阶段，台积电3nm采用了鳍式场效晶体管(FinFET)架构，N3制程采用TSMC FINFLEX 技术，将3nm家族技术的PPA进一步提升。台积电N3制程将在2022年下半年量产，并于2023年上半年开始贡献营收。据悉，今年底苹果将成为第一家采用台积电3nm的客户，首款产品可能是M2 Pro芯片，而明年的iPhone15 Pro的A17处理器，以及M2、M3系列芯片，都会导入台积电 3nm。如今在国内市场上一说起华为，我们大家都还是比较熟悉的，
[传感技术]基于GAA晶体管的3nm制程也正式开启了新的晶体管时代
? ? ? ?8月18日，据相关爆料，台积电3nm(N3)制程将预计于第三季增加投片量，于第四季度进入量产阶段，台积电3nm采用了鳍式场效晶体管(FinFET)架构，N3制程采用TSMC FINFLEX 技术，将3nm家族技术的PPA进一步提升。 台积电N3制程将在2022年下半年量产，并于2023年上半年开始贡献营收。据悉，今年底苹果将成为第一家采用台积电3nm的客户，首款产品可能是M2 Pro芯片，而明年的iPhone15 Pro的A17处理器，以及M2、M3系列芯片，都会导入台积电 3nm。 如今在国内市场上一说起华为，我们大
