[光电显示]政策开闸LED产业或提前回暖,高工LED展广发“英雄帖”
新闻事件： 高工LED展广发“英雄帖”事件影响： 政策开闸LED产业或提前回暖 为业界搭建最专业、最精致、高品质的LED产业链交流与展示平台 今年高工LED精品展升格为高工LED展不管LED人愿不愿意，艰难的2012还是来了。原本如火如荼的LED行业，从去年年中开始市场发展速度逐渐趋缓，同时上游MOCVD设备保有量的暴增也带来了整个行业产能的不断扩充。除去激烈的市场竞争导致产品价格持续下滑、成本上升压缩毛利率等问题外，下游需求的持续疲软，也直接冲击了产业链上各厂商的扩张步伐。此时，许多企业开始选择思考行业和
[光电显示]K1VZL09/K1VZL20：日本新开发出防LED故障双向晶闸管
产品特性： 可以防止在LED发生开路故障时所有照明都熄灭 通态电流最大为1A，断开电流最大为5μA 维持电流最大为20mA 接合部的温度范围为-40~+125℃ 外形尺寸均为5mm×2.5mm×2mm应用范围： K1VZL09面向串联1~2个标准+10V电压LED K2VZL20面向串联3~5个标准+20V电压LED 不能全部都熄灭的路灯、紧急指示灯、投光器以及信号灯等日本新电元工业开发出了可以防止在LED发生开路故障时所有照明都熄灭的双向晶闸管“K1VZL09/K1VZL20”，将从2010年4月开始量产。主要面向不能全部都熄灭的路灯、紧急指
[光电显示]LED显示屏供电系统漏电保护器频繁跳闸的原因
中心议题： 漏电保护器布局不合理 在保护范围内没有形成有效的二级或三级漏电保护 漏电保护器本身的局限性 漏电保护器选型不合理1、漏电保护器布局不合理由于LED显示屏安装现场所具有的特殊性，如接线错误、线路破损、开关箱内漏电保护器损坏、部分用电器具没有经过开关箱等原因，以及漏电保护器本身不可避免的误动和拒动，再加上没有按照实际用电情况对漏电保护器进行布置，造成了总漏电保护器频繁跳闸。对于这种情况除了加强管理外，还需要从技术的角度，根据实际情况对漏电保护器进行合理布置。进线总电源上的漏电保护器，
[马达控制]HiTj,Snubberless：意法半导体高结温双向晶闸管系列
产品特性： 在结温1500摄氏度仍能保持标称性能 抗噪性能高达每微秒1500V 提供TO-220AB、TO-220AB和D2PAK三种封装 标称电压均为600伏 标称电流分为8安、10安、12安、16安和20安应用范围： 普通电机控制式设备 高温环境中的电机控制设备 加热器及大功率电机控制等 替代环境温度过高、密闭安装的普通双向晶闸管 意法半导体推出一系列全新高温双向晶闸管（TRIAC），能够把全部的标称性能保持到最高150摄氏度。新系列产品的开关性能十分出色，是各类设备的电机控制电路的理想选择，特别适用于在最高工作温度下控制电
[电路保护]可为耦合变压器芯片提供强大保护的晶闸管
品慧电子讯Littelfuse研发出了新的SDP系列SOT23-5 SIDACtor 保护晶闸管，为VDSL2+、ADSL2应用提供第三级保护方案，SOT23-5表面贴装封装可减少布局占用空间，背对背配置可为数据线提供对称ESD保护，存在交流信号时也可使用。全球电路保护领域的领先企业Littelfuse公司研发出了新的宽带保护晶闸管系列，可用于保护ADSL2和VDSL2的第三级或驱动器侧保护，以及30MHz带宽VDSL2+应用和一般I/O保护功能。 SDP系列SOT23-5 SIDACtor 保护晶闸管适合低电容过压保护，无需使用偏压，可为耦合变压器后的芯片侧端提供强大保护。 背对背配置可为数据线提供
[电路保护]安森美半导体推出新晶闸管浪涌保护器件系列
产品特性： 电容值比市场现有产品低40%至50% 极低的信号失真 提供极佳的线性度 精确的导通电压应用范围： 保护敏感的电子设备免受瞬态过压的影响 高速有线通信网络安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的超低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)——NP-MC系列，保护敏感的电子设备免受瞬态过压情况下的影响。NP-MC系列器件的电容值比市场上现有产品低40%至50%，以极低的信号失真保护高速xDSL、T1/E1及其它宽带数据传输设备。安森美半导体的新TSPD系列提供完整范围的工业标准电压电平及从50安培(A)到200 A的浪涌额定电流，为数
[电路保护]双向晶闸管的过零检测电路该如何设计？
品慧电子讯双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。由于采用过零触发，因此上述电
[马达控制]晶闸管在高压软起动中的选型及应用
中心议题： 晶闸管电机软起动器工作原理 晶闸管的选型 晶闸管的过压、过流、过热保护设计随着国民经济的高速发展，高压电动机的数量不断增加。由于大电机直接起动时的电流为额定电流的5～7倍，而启动转矩只有额定转矩的0.4～1.6倍。它在电网条件（电机启动时的电网压降小于10%）和工艺条件（启动转矩满足）允许的情况下，可以直接启动。但过大的启动电流、过小的启动转矩和过长的启动时间给电机和电网造成了极大的危害。常导致电网电压、谐波电压波动的增大，以至前级跳闸，大大地增加了电网的负担及电网污染，严重影响电网的安全
[电路保护]可控硅(晶闸管)的检测方法
中心议题： 学习可控硅的工作特性 学习可控硅)的检测方法解决方案： 对单向可控硅的检测 对双向可控硅的检测 进行晶闸管的管脚判别可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有 耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。1. 可控硅的特性。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极
[电路保护]晶闸管在高压软起动中的选型及应用
中心议题： 晶闸管电机软起动器工作原理 晶闸管的选型 晶闸管的过压、过流、过热保护设计随着国民经济的高速发展，高压电动机的数量不断增加。由于大电机直接起动时的电流为额定电流的5～7倍，而启动转矩只有额定转矩的0.4～1.6倍。它在电网条件（电机启动时的电网压降小于10%）和工艺条件（启动转矩满足）允许的情况下，可以直接启动。但过大的启动电流、过小的启动转矩和过长的启动时间给电机和电网造成了极大的危害。常导致电网电压、谐波电压波动的增大，以至前级跳闸，大大地增加了电网的负担及电网污染，严重影响电网的安全
[电路保护]如何使高速数据接口和电信设备免受ESD与过载危害
中心议题： 安森美低电容、高钳位ESD保护器件介绍 安森美大浪涌额定能力的晶闸管浪涌保护器件(TSPD)系列介绍 安森美上海电路保护应用测试实验室介绍解决方案： TVS相对压敏电阻嵌位电压更低时更适合的ESD保护器件 安森美新的ESD保护技术平台电容低至0.5pF，适合USB2.0、HDMI的高速接口的ESD保护 TSPD导通速度快、电压精度高和电流能力高且不存在功率限制，可对瞬时浪涌提供极佳的保护不管是设计手机还是工业电信系统，电子制造商要实现可靠的系统操作，降低产品的返修或退货比例，保护那些提供系统功能性的复杂IC非常重
[电路保护]安森美晶闸管浪涌保护器件
中心论题： 分析晶闸管的保护特性 提出TSPD并分析其特性解决方案： 使用TSPD可解决简单晶闸管不对称保护特性的缺陷 TSPD有双向和单向之分晶闸管的过压保护设备是基于一对双极性晶体管，这一对双极性晶体管是由四层不同掺杂的N，P极组成，如图1所示。N型掺杂的N1，P型掺杂的P1，和N型掺杂的N2分别构成NPN晶体管的发射极，基极和收集极，而P型掺杂的P2，N型掺杂的N2，和P型掺杂的P1分别构成了PNP晶体管的发射极，基极，和收集极。这样一来一个晶体管的收集极是另外一个晶体管的基极。按这种方法那么一个晶体管的发射极到收集极流
[电路保护]简单实现晶闸管直流稳压器的过流保护
导读：尽管功率场效应VDMOS 和绝缘栅双极型晶体管IGBT等电力半导体元器件层出不穷，且在电力电子技术领域占据重要位置，晶闸管（可控硅） 却因耐高压耐大电流冲击的特性，仍有着稳固的阵地，受到用户的青睐。在摈弃电流采样、放大和执行等多个环节的情况下，将单结晶体管移相触发器中的晶体管误差放大器改为集成运算放大器，就可实现晶闸管直流稳压器的过流及短路保护，简化了电路结构，并提高了整机的稳定可靠性能和AC - DC变换效率。 工作原理误差放大器采用集成运放的晶闸管直流稳压器的控制电路如图1 所示。被控主电路（图中未画） 是
[电路保护]LED显示屏供电系统漏电保护器频繁跳闸的原因
中心议题： 漏电保护器布局不合理 在保护范围内没有形成有效的二级或三级漏电保护 漏电保护器本身的局限性 漏电保护器选型不合理1、漏电保护器布局不合理由于LED显示屏安装现场所具有的特殊性，如接线错误、线路破损、开关箱内漏电保护器损坏、部分用电器具没有经过开关箱等原因，以及漏电保护器本身不可避免的误动和拒动，再加上没有按照实际用电情况对漏电保护器进行布置，造成了总漏电保护器频繁跳闸。对于这种情况除了加强管理外，还需要从技术的角度，根据实际情况对漏电保护器进行合理布置。进线总电源上的漏电保护器，
[电路保护]晶闸管整流器全关断检测电路的设计
中心议题：晶闸管整流器全关断检测电路的设计解决方案：采用直流传感器的信号利用管压降过零检测方法本文提出并介绍了欧姆逻辑无环流检测的一种方案——晶闸管整流器全关断检测,并与软件检测和电流互感器检测进行比较分析,最终得出晶闸管全关断检测方案准确可行的结论。全关断的输出信号与上述两种信号进行综合利用,从而准确可靠地实现了欧姆的逻辑无环流控制。1 引 言中国环流器2号A(HL—2A)是中国第一个具有偏滤器位形的大型受控核聚变研究装置，其主机由德国ASDEX装置主机主要部件经适当改造而成，其磁场线圈所需的供电系统及其它的配
[电源管理]晶闸管电子开关模块的特点
中心议题： 电容补偿装置的投切开关方式和特点 晶闸管电子开关模块的内部功能解决方案： 过零触发模块 抑制过电压阻容吸收装置 保持晶闸管芯片良好的散热目前，国内的无功补偿产品控制器普遍采用交流接触器或可控硅作为开关元件来控制电容器的通断。无功补偿是电力系统运行的基本要求。为了在电力系统运行中进行无功平衡，必须对各种电力负荷所需的无功功率进行补偿。无功补偿的方法有调相机补偿和电容器组补偿等，其中最为有效和易于实施的是在靠近负荷点的地方进行就地无功补偿。由于无功补偿挂接在电网上主要是通过自动
[电源管理]三端双向晶闸管的功耗计算和Tjmax预测
中心论题： 三端双向晶闸管功耗的计算。 Vo和Rs的计算方法。 Tjmax的计算方法。 设计案例介绍。 解决方案： 由已知数据表和曲线计算功耗。 制作一个放大的IT / VT曲线复印件以提高Vo和Rs的计算精确度。 选用BTH151S-650R保证重复过载条件提供高度重复电涌。三端双向晶闸管在工作时消耗大量电能，因而其散热设计非常重要。散热设计主要涉及到功率、热阻和温度升高等几个计算阶段。本文介绍的是设计计算以及设计案例，其数据主要来自实际应用和三端双向晶闸管的数据表。三端双向晶闸管功耗的计算三端双向晶闸管功耗
[电源管理]可控硅(晶闸管)的检测方法
中心议题： 学习可控硅的工作特性 学习可控硅)的检测方法解决方案： 对单向可控硅的检测 对双向可控硅的检测 进行晶闸管的管脚判别可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有 耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。1. 可控硅的特性。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制
[电源管理]晶闸管整流器全关断检测电路的设计
中心议题： 晶闸管整流器全关断检测电路的设计解决方案： 采用直流传感器的信号 利用管压降过零检测方法本文提出并介绍了欧姆逻辑无环流检测的一种方案——晶闸管整流器全关断检测,并与软件检测和电流互感器检测进行比较分析,最终得出晶闸管全关断检测方案准确可行的结论。全关断的输出信号与上述两种信号进行综合利用,从而准确可靠地实现了欧姆的逻辑无环流控制。1 引 言中国环流器2号A(HL—2A)是中国第一个具有偏滤器位形的大型受控核聚变研究装置，其主机由德国ASDEX装置主机主要部件经适当改造而
[电源管理]晶闸管在高压软起动中的选型及应用
中心议题： 晶闸管电机软起动器工作原理 晶闸管的选型 晶闸管的过压、过流、过热保护设计随着国民经济的高速发展，高压电动机的数量不断增加。由于大电机直接起动时的电流为额定电流的5～7倍，而启动转矩只有额定转矩的0.4～1.6倍。它在电网条件（电机启动时的电网压降小于10%）和工艺条件（启动转矩满足）允许的情况下，可以直接启动。但过大的启动电流、过小的启动转矩和过长的启动时间给电机和电网造成了极大的危害。常导致电网电压、谐波电压波动的增大，以至前级跳闸，大大地增加了电网的负担及电网污染，严重影
