[MICROCHIP/微芯]FQPF8N60C中文资料,参数,PDF及价格分析
FQPF8N60CFQPF8N60C厂家：FAIRCHIL参数：晶体管极性:N漏极电流, Id 最大值:7.5A电压, Vds 最大:600V开态电阻, Rds(on):1.2ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:30V功耗:48W工作温度范围:-55°C to +150°C封装：TO-220F报价：近期所报参考价一般区间为1.72元/Pcs---4.28元/pcs徘徊。
[MICROCHIP/微芯]FQPF70N10中文资料,参数,PDF及价格分析
型号：FQPF70N10所属类别：分离式半导体产品品牌：FSC封装：TO-220基本参数：FET型：MOSFET N通道，金属氧化物FET特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：650毫欧@ 6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id) @ 25° C：12AId时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA闸电荷(Qg) @ Vgs：63nC @ 10V在Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF @ 25V功率-最大：225W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3 (直引线)包装：管件描述：FQP12N60C是分离式半导体；市场需求量比较大，根据各大电子网站搜索排名，还有商户的报价也非常的积极，FQP12
[MICROCHIP/微芯]EPF10K100EFC256-3中文资料,参数,PDF及价格分析
型号：EPF10K100EFC256-3.html" _fcksavedurl="http://www.hqew.com/ic/EPF10K100EFC256-3.html">EPF10K100EFC256-3厂家：ALTERA基本参数：类别：集成电路(IC)家庭：嵌入式-FPGA（现场可编程门阵列）系列：FLEX-10KE?输入/输出数：191逻辑块/元件数：4992门数：257000电源电压：2.375V~2.625V安装类型：表面贴装工作温度：0°C~85°C封装/外壳：256-FBGA其它名称：544-2192EPF10K100EFC256-3最近一段时间销量比较稳定，网站上搜索比较频繁。ALTERA品牌价格相比国内品牌还是偏贵些。近期所报参考价一般区间为2.65元/pcs-
[MICROCHIP/微芯]存储器,29DL32TF-70PFTN近期价格分析及相关描述
型号：29DL32TF-70PFTN所属类别：存储器品牌：FUJITSU封装：TSOP基本参数：处理信号：数字信号制作工艺：半导体集成导电类型：双极型集成程度：中规模规格尺寸：1（mm)工作温度：0~70（℃）静态功耗：1（mW）描述：根据各大电子网站搜索排名，29DL32TF-70PFTN近期散装所报参考价区间为：7元/pcs~7.5元/pcs。据各大商家反映，该型号近期询价的人较高，但是目前库存相当紧缺，原装的基本没货，暂时只有少量的散装库存供应。
[MICROCHIP/微芯]IDT70V24L20PFGI市场价格分析
厂家：IDT基本参数：类别：集成电路家庭：存储器格式-存储器：RAM存储器类型：SRAM -双端口，异步存储容量：64K (4K x 16)速度：20ns接口：串行电源电压：3 V ~ 3.6 V工作温度：-40°C ~ 85°C封装/外壳：100-TQFP, 100-VQFP包装：托盘其它名称：70V24L20PFGIIDT70V24L20PFGI该型号在各大电子元器件交易网站上都广为关注，询价的人比较多，而商户报价积极性不高，反应市场缺货，仅寻到散新价格。近期散新所报参考价一般区间为20.0元/pcs---25.0元/ pcs，原装所报参考价一般区间为25.0元/pcs---20.0元/ pcs。
[MICROCHIP/微芯]FCPF11N60最新市场行情分析
品牌：FSC封装：TO-220F基本参数：晶体管极性:N漏极电流,Id最大值:11A电压,Vds最大:600V开态电阻,Rds(on):0.32ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs最高:5V功耗:36W工作温度范围:-55°Cto+150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):Cobaltdichloride(18-Jun-2010)功率,Pd:36W封装类型:TO-220F晶体管类型:MOSFET电压Vgs@Rdson测量:10V电压,Vds典型值:600V电流,Id连续:11A电流,Idm脉冲:30A表面安装器件:通孔安装阈值电压,Vgsth典型值:5VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis(2-ethyl(hexyl)phthalate)(DEHP)(18-Jun-2010)价格分析：仙童公司生产的
[MICROCHIP/微芯]FQPF4N90C近期价格及参数资料
品牌：FAIRCHILD封装：TO-220F基本参数：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单系列：QFET?FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：4.2欧姆@2A,10V漏极至源极电压(Vdss)：900V电流-连续漏极(Id)@25°C：4AId时的Vgs(th)（最大）：5V@250μA闸电荷(Qg)@Vgs：22nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss)：960pF@25V功率-最大：47W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3全封装（直引线）包装：管件供应商设备封装：*价格分析：FQPF4N90C是FAIRCHILD公司旗下的一款晶体管，网页关注度不高，近一年来，网页上
[MICROCHIP/微芯]IDT7025S25PF近期价格分析及相关描述
型号：IDT7025S25PF所属类别：存储器品牌：IDT封装：QFP基本参数：格式-存储器：RAM存储器类型：SRAM -双端口，异步存储容量：128K (8K x 16)速度：25ns接口：串行电源电压：4.5 V ~ 5.5 V工作温度：0°C ~ 70°C包装：托盘其它名称：7025S25PF描述：IDT7025S25PF是存储器，用途比较广泛，市场需求量比较大，根据各大电子网站搜索排名，IDT7025S25PF近期所报参考价区间为：12元/pcs~35元/pcs。据各大商家反映，目前库存比较充足，原装进口的较多，供应商也较多。
[MICROCHIP/微芯]FQPF10N60C近期行情分析
商品名称：场效应管封装规格：TO-220F-3基本特点：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET -单系列：QFET™FET型：MOSFET N通道，金属氧化物FET特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：730毫欧@ 4.75A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id) @ 25° C：9.5AId时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs：57nC @ 10V在Vds时的输入电容(Ciss)：2040pF @ 25V功率-最大：50W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3全封装（直引线）包装：管件功能特性：9.5A，600V，rds (on) =
[MICROCHIP/微芯]FQPF5N60C市场价格分析
厂家：FAIRCHILD基本参数：类别：晶体管晶体管极性:N漏极电流, Id最大值:4.5A电压, Vds最大:600V开态电阻, Rds(on):2.5ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs最高:30V功耗:33W工作温度范围:-55°C to +150°C封装类型:TO-220FSVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)功率, Pd:33W封装类型:TO-220F晶体管数:1晶体管类型:MOSFET电压Vgs @ Rds on测量:10V电压, Vds典型值:600V电流, Id连续:4.5A电流, Idm脉冲:18A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th典型值:4VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun
[MICROCHIP/微芯]场效应管FQPF8N60C近期价格行情
型号：FQPF8N60C晶体管极性:N漏极电流, Id最大值:7.5A电压, Vds最大:600V开态电阻, Rds(on):1.2ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs最高:30V功耗:48W工作温度范围:-55°C to +150°C封装：TO-220F场效应管FQPF8N60C近期询价较为频繁，商家报价相应较为积极。华强电子网数据显示：飞兆和仙童两个品牌的报价比较多，平均报价0.21元/PCS。其中飞兆的报价较低，一般在0.2元/PCS左右；而仙童的报价相对高些，一般保持在在0.23元/PCS。
[通用技术]Torex推出升压同步整流PFM控制DC/DC转换器
导读：特瑞仕半导体 (TOREX) 推出升压同步整流PFM 控制DC/DC 转换器XC9140 系列产品。由于采用了PFM控制实现了低消耗电流，非常适用于重视高效率的便携式机器的产品。特瑞仕半导体 (TOREX) 推出升压同步整流PFM 控制DC/DC 转换器XC9140 系列产品。XC9140系列产品是对应陶瓷电容、内置0.6Ω(TYP.)N沟道驱动晶体管、及0.65Ω (TYP.)P沟道同步整流开关晶体管的升压同步整流DC/DC转换器。由于采用了PFM控制实现了低消耗电流，是最适用于重视高效率的便携式机器的产品。当输出电压为3.3V、负载电流为1mA时，输入电压VIN=0.9V即可启动
[通用技术]FPF110x:飞兆半导体IntelliMAX?负载开关满足家用和诊断计量
产品特性： 延长终端应用设备的电池寿命 减少占用空间 可在大多数微处理器中实现直接负载开关互连应用范围： 便携医疗设备、数码相机、GPS装置 笔记本电脑和蜂窝电话等飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)与消费电子和移动应用领域的设计和系统工程师合作，开发新型负载开关产品，满足便携医疗设备、数码相机、GPS装置、笔记本电脑和蜂窝电话等应用对更低功耗、增强保护功能及减小封装占位面积器件的强烈需求。随着终端应用设备的体积日趋减小，飞兆半导体继续因应这一发展趋势，利用先进的集成能力，提供以超小外形
[通用技术]RDR-292：Power Integrations推出LED驱动器设计
产品特性： RDR-292中所描述的驱动器电路在230 VAC输入下效率达93% 功率因数达到0.97以上、THD低于10%应用范围： 适用于LED路灯和其他工业/基础设施照明系统美国加利福尼亚州圣何塞，日前世界上效率最高、使用寿命最长的离线式LED驱动器IC的制造商Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出一款适用于LED路灯和其他工业/基础设施照明系统的150 W 48 V 电源的参考设计套件。RDR-292中所描述的驱动器电路在230 VAC输入下效率达93%，在110 VAC输入下效率达91%。该设计可使系统的功率因数达到0.97以上、THD低于10%，
[通用技术]B25836B*A305：爱普科斯最新坚固型PFC电容器
产品特性： 耐高温和工作寿命长 工作频率为50/60 Hz时电压为400-800V 无功功率范围是5-30 kvar 冲击电流可达额定电流的500倍 过电流承受能力是额定电流的3倍应用范围： PFC电路应用爱普科斯已经开发出了结构坚固的新系列PFC电容器。该产品基于MKV技术，其特点是耐高温和工作寿命长。可提供工作频率为50/60 Hz时电压为400-800V的B25836B*A305系列电容器。它们的无功功率范围是5-30 kvar。冲击电流可达额定电流的500倍，过电流承受能力是额定电流的3倍。该产品的设计温度等级为-40/D，使用寿命可达30万小时。按照IEC 6083
[通用技术]优化超快的PFC二极管可获得最大工作效率
产品特性： 热循环性能高 在 150°C 时，最大正向电压为 1.7V 平均正向电流为 9A 重复峰值正向电流为 18A DPAK 表面贴装封装适用范围： 平面电视 照明镇流器 电信电源等通过提供有关功耗可能的最佳正向电压和反向恢复时间， 并与软恢复性能相结合，适用于 PFC 应用的 NXPSemiconductors BYV29FD-600 增强型超快功率二极管可在开关模式电源(SMPS) 中提高效率。在非连续导通模式 (DCM) 和连续导通模式 (CCM) 下，这些 600V元件适合与交错式转换器拓扑和双模式 PFC 电路配合使用。为了在 DCM 或 CCM 操作中提供有
[Vishay威世]8S2TH06I-M：Vishay高性能600V,PFC高频整流器
产品特性： 反向恢复时间仅为11ns 在8A电流时2.1V前向电压降 2引脚的TO-220封装 绝缘电压高于2kV应用范围： 桌面PC、服务器和通信电源 UPS系统、宽屏等离子显示器 LCD电源、工业电源和太阳能逆变器日前，Vishay宣布推出新的600V FRED PtTM Hyperfast串级整流器 --- 8S2TH06I-M。Vishay今天推出的新款整流器具有极快的反向恢复时间、低前向电压降和低封装热阻，可减少在高效的连续电流模式(CCM)功率因数校正(PFC)应用中的损耗。新的8S2TH06I-M针对用于桌面PC、服务器和通信电源、UPS系统、宽屏等离子显示器和LCD电源、
[通用技术]基于PFC的离线式开关电源设计
中心议题： 基于PFC的离线式开关电源设计解决方案： 控制VERR来控制RMS输入电流 采用输入电感使电流控制模式离线式开关电源通常应用整流桥和输入滤波电容从输入吸收能量，大电容在接近交流输入峰值处充电以给为逆变提供能量的未经调整的BUS提供能量。电容的容量必须足够大，当整流后半期内线电压低于BUS电压时，仅由它向后续提供能量。本文所述的高PFC放置于输入整流和BUS电容之间，工作频率远大于线电压频率，校正器吸收正弦半波输入电流，相位与线电压相位相同通过BUS直流电压与参考电压的比较控制电流。基本运行原理：本文假定
[生产测试]基于PFC的离线式开关电源设计
中心议题： 基于PFC的离线式开关电源设计解决方案： 控制VERR来控制RMS输入电流 采用输入电感使电流控制模式离线式开关电源通常应用整流桥和输入滤波电容从输入吸收能量，大电容在接近交流输入峰值处充电以给为逆变提供能量的未经调整的BUS提供能量。电容的容量必须足够大，当整流后半期内线电压低于BUS电压时，仅由它向后续提供能量。本文所述的高PFC放置于输入整流和BUS电容之间，工作频率远大于线电压频率，校正器吸收正弦半波输入电流，相位与线电压相位相同通过BUS直流电压与参考电压的比较控制电流。基本运行原理：本文假定
[通用技术]针对电网谐波污染的并联APF控制器
品慧电子讯近年来，随着电子设备及非线性、冲击性设备的广泛应用,使电网中产生的谐波对电网系统造成的污染越来越重，因此消除电网中的谐波污染已成为电能质量研究的一个重要课题。本文介绍的是基于DSP和ARM的并联有源电力滤波器控制器在电网设计中的应用思路。1 前言 近年来，电子设备及非线性、冲击性设备的广泛应用,使电网中产生的谐波对电网系统造成的污染越来越重，因此消除电网中的谐波污染已成为电能质量研究的一个重要课题。目前普遍 采用的并联型无源滤波器存在着滤波效果差，对电网参数敏感。元件体积庞大。严重时会导致串并联
