[电源管理]FDZ391P：Fairchild最新CSP封装P沟道MOSFET
产品特性： 采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封装 侧高比标准P沟道MOSFET降低40% 具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS) 出色的功耗性能1.9W 符合RoHS，适应无铅回流焊要求应用范围： 下一代手机、MP3播放器 其它便携应用飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench工艺设计，结合先进的WL-CSP封装，将RDS(ON) 和所需的
[电源管理]Fairchild推出自动选择高速USB开关FSA2000
产品特性： 可兼容USB 2.0 全速(FS)和高速(HS) 省去了附加元件 能够节省电路板占用空间并降低BOM成本应用范围： USB端口隔离、连接器共享和信号多路传输飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)专注开发提升用户满意度以及使产品取得市场成功的模拟和功率功能，为手机设计人员提供一款集成有无电容耳机音频放大器的自动选择高速USB开关FSA2000，这是业界首款同类型集成式USB开关器件，而且能够减少元件数量、电路板占用空间并降低材料清单(BOM)成本。飞兆半导体是拥有丰富的模拟和功率IP的移动技术
[电源管理]采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
产品特性： PowerFill外延硅工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充 可以实现电源管理器件和电路的占用空间应用范围：电源管理器件ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精湛的工艺技术，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。Fairchild半导体公司是第一家客户，以处理其先进电源管理器件，已完成其在韩国工厂的核实。对于这种应用，ASM的PowerFill的处理可以实现电源管理器件和电路
[分立器件]fairchild半导体
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