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内容列表

(2018-04-13)Z-match TFSQ0402：TDK推出0402尺寸高Q特性的薄膜电容器适用功率放大器电路
(2018-04-13)NXP 2mmx2mm 采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET
(2018-04-11)ZXMN15A27K/ZXMN20B28K：Diodes推出两款N沟道MOSFET
(2018-04-08)TDK的热辅助记录实现每平方英寸1.5Tbit
(2018-04-07)MOSFET系列：IR推出坚固可靠的车用平面MOSFET系列
(2018-03-28)PSMN1R0-30YLC：恩智浦业界最低RDSon的NextPower MOSFET
(2018-03-28)TDK推出更小尺寸的COG特性积层贴片陶瓷电容新产品
(2018-03-27)TDK新增两种高容积比聚丙烯薄膜电容
(2018-03-22)AMOLED出货量到2015年将增长近五倍
(2018-03-21)中国计划扩大国内太阳能光伏市场
(2018-03-21)TDK开发出可设置在IC芯片下方的超小型NTC热敏电阻
(2018-03-17)半导体商惠瑞捷V93000测试平台获ISE Labs硅谷采用
(2018-03-15)飞兆、英飞凌扩展功率MOSFET封装兼容协议
(2018-03-12)DFN3020:Diodes全新封装MOSFET应用于平板电脑
(2018-03-11)R5050DNZ0C9：罗姆推出低导通电阻的高耐压功率MOSFET
(2018-03-09)美国科学家制造出透明超延展压力传感器
(2018-03-08)飞兆推出UniFET™ II MOSFET消费产品功率转换器
(2018-03-07)ZXGD3104N8：Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率
(2018-03-07)基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
(2018-03-04)MEMS振荡器与传统石英晶振的比较优势

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