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Si4012射频发射器特点/中文参数

Si4012 射频发射器提供了先进的无线电功能，包括从 27—960 MHz 的连续频率覆盖范围、高达 +10 dBm 的可调输出功率和 FSK 模式下高达 100 Kbaud 的数据速率。Si4012 集成电路的高集成度提供了更低的 BOM 成本，同时简化了整体系统设计。此发射器支持到 TX FIFO 的数据流，无需外部 MCU 支持。数字发射调制和自动 PA 功率斜坡可确保精确的发射调制并降低频谱溅射，确保符合 FCC、ETSI 和 ARIB 的规范。诸如低电量探测器和 256 字节 TX FIFO 等附加系统功能可减少整体电流消耗并且可以使用较低成本的系统 MCU。Si4012 针对无线 MBUS T1 模式进行了优化。

该设备利用 Silicon Labs 专利的、可靠的无晶体振荡器技术，不使用外部晶振或参考频率，在 0 至 + 70 °C 的温度范围内，载波频率稳定性高于 ±150 ppm ；在 –40至 +85 °C 的工业温度范围内，载波频率稳定性高于 ±250 ppm。Si4012 可自动校准片上电压控制振荡器 (LCOSC)，该振荡器可形成针对进程和温度变化的输出载波频率。对于需要更严格的频率容差的应用，提供一个外部 1-引脚晶体振荡器选项。

Si4012 被设计用于和 MCU 和一些被动元件一起工作，以创建成本非常低的系统。稳压器是集成在芯片上，支持从 +1.8 到 +3.6 V 的各种工作电压条件。较之传统产品，数字集成减少了所需外部元件的数量。Si4012 的高度集成提高了系统制造的可靠性、质量，并将成本降至最低。此芯片提供了业界领先的射频性能、高集成度、灵活性、低 BOM、小型板面积且易于设计。无需生产校准，因为所有射频功能都集成在设备中。