当前生产超高亮LED的外延方法主要有几种？什么是MOCVD？

当前生产超高亮LED的外延方法主要有两种，即液相外延生产AlGaAs LED和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生产AlGaAs、AlGaInP和InGaN LED。其中尤以MOCVD方法为主。
一九六八年，Manesevil等人用三甲基镓（TMG）做镓源AsH3做As源，H2作载气在绝缘衬底（Al2O3 、MgAlO4 等）上首次成功地气相淀积了GaAs外延层，创立了金属有机物化学气相淀积技术。后来的研究表明这是一种具有高可靠性、控制厚度、组成惨杂浓度精度高，垂直性好、灵活性大、非常适合于进行III-V族化合物半导体及其溶体的外延生长，也可应用于II-VI族等，是一种可以实现像硅外延那样大规模生产的工艺，具有广阔发展前途，目前是生产AlGaInP红色和黄色LED和InGaN蓝色、绿色和白色LED的可工业化方法。
由于MOCVD的晶体生长反应是在热分解中进行的，所以又叫热分解法。通常用III族烷基化合物（Al、Ga、In等的甲基或乙基化合物）作为III族源，用V族氢化物（NH3、PH3、AsH3等作为V族源。由III族烷基化合物在室温附近是蒸气压较高的液体，所以用氢气作载气鼓泡并使之饱和，再将其与V族氢化物一起通入反应炉中，即在加热的衬底上进行热分解，生成化合物晶体淀积在衬底上。
先进的MOCVD设备应具有一个同时生长多片均匀材料，并能长期保持稳定的生长系统。设备的精确过程控制是保证能重复和灵活地进行生产优质外延材料的必要条件。所以设备应具有对载气流量和反应剂压力的精密控制系统，并配备有快速的气体转换开关和压力平衡装置。将用合适结构，使用权热场均匀，并保证具有满意的结晶质量和表面形貌和外延炉内、片与片、炉与炉之间的均匀性。
目前国际上供应MOCVD设备的公司主要有三个，即美国Veeco公司、德国的Aixtron公司和美国的Thomas Swan公司。