NTR1P02LT1G中文资料,参数,PDF及价格分析

厂家：ON

FET型 ：MOSFET P通道，金属氧化物

FET特点 ： 逻辑电平门

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°C：220毫欧@ 750mA, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss)：20V

电流-连续漏极(Id) @ 25°C：1.3A

Id时的Vgs(th)（最大） ：1.25V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：5.5nC @ 4V

在Vds时的输入电容(Ciss)：225pF @ 5V

功率-最大 ：400mW

安装类型 ： 表面贴装

封装/外壳 ：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

包装 ： 剪切带(CT)

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220

最大漏极电流Id(on)(A):1.300

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150

描述:-20 V, -1.3 A,双功率MOSFET

价格分析：根据各大电子网站搜索排名，NTR1P02LT1G近期所报参考价区间为：0.2元/pcs~1元/pcs。量多参考价为0.45元/pcs，量少参考价为0.68元/pcs。据各大商家反映，该型号近期价格相对比较平稳，没有太大涨跌。