SSM3K318T：Toshiba推出60V N沟道高压功率MOSFET

产品特性：

• 适合将电池电压提升到需要打开LED阵列的电压
• 低导通电阻值为83.5毫欧姆(典型值)
• 在VDS=30V的低电容为235pF
• 新器件采用紧凑型TSM封装，尺寸为2.9mmx2.8mmx0.7mm

• 目标应用LCD面板背景光，如汽车导航显示器和12吋上网本PC

SSM3K318T在VGS=10V的低导通电阻值为83.5毫欧姆(典型值)，和在VDS=30V的低电容为235pF。新器件采用紧凑型TSM封装，尺寸为2.9mmx2.8mmx0.7mm。