FDSOI技术适用于20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品
FD-SOI的技术特性：
- 可改善DIBL等短沟道效应
- 可改善器件的亚阈特性
- 降低电路的静态功耗
- 无需沟道掺杂
- 20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品
为了在下一代晶体管技术竞赛中位居前列，SOI工业联盟近日宣布他们已经在面向下一代移动设备的全耗尽型SOI技术方面取得了更多进展。该组织宣布了对FD-SOI技术（全耗尽型SOI技术，有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI）的评估结果和有关的参数特性，并称这项技术适合 20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品使用。该组织并演示了基于ARM处理器上的平面型FD-SOI技术的优势。
体硅CMOS技术走到22nm之后，特征尺寸已很难继续微缩，急需革新技术来维持进一步发展。在候选技术之中，FDSOI（Fully Depleted SOI，全耗尽SOI）技术极具竞争力。对于FDSOI晶体管，硅薄膜自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结耗尽区，从而可改善DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏致势垒降低）等短沟道效应，改善器件的亚阈特性，降低电路的静态功耗。此外，FDSOI晶体管无需沟道掺杂，可以避免RDF（Random Dopants FluctuatiON，随机掺杂涨落）等效应，从而保持稳定的阈值电压，同时还可以避免因掺杂而引起的迁移率退化。
SOI晶圆制备技术的发展也为FDSOI投入应用提供了良好的支撑。为了使晶体管获得理想的性能，FDSOI晶圆的顶层硅膜和隐埋氧化层（Buried Oxide，BOX）须非常薄。目前市场上已出现相应的产品，可满足现阶段的应用需求。
SOI技术的发展环境也日益改善。自2007年SOI联盟（SOI Consortium）成立以来，越来越多的公司和机构开始关注SOI技术，并加入到推广SOI技术的队伍中。目前SOI联盟已有会员30个，包括科研机构、材料商、设备商、集成芯片制造商、芯片设计商、芯片代工商、EDA供应商等，贯穿整个产业链。在这些厂商的努力下，产业对SOI的认识变得更为全面、准确和深入。
综上所述，FDSOI走向大规模应用的时机已经到来，如能成功地纵身一跃，将完成SOI技术发展史上最华丽的篇章。
关键字：FD-SOI 短沟道 体硅CMOS 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80009992
