你好!欢迎来到深圳市品慧电子有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 技术中心 >> 传感技术 >> 广谱GeSi技术克服了3D传感的主要障碍

广谱GeSi技术克服了3D传感的主要障碍


未来几年,该技术将进一步渗透到增强现实、无人驾驶等市场。融合通常为300MHz及以上高调制作频率,目前ToF与传感器相比,新的GeSi传感技术可以提供更准确的性能。LiDAR技术可分为两类:11μm硅基具有以下波长CMOS感应器和11μm以上波长的III-V材料传感器。

3D传感正在成为一项非常重要的技术,并已被用作一项非常重要的技术Apple的FaceID以及其他应用程序的一个组成部分,用于手机解锁和支付。未来几年,该技术将进一步渗透到增强现实、无人驾驶等市场。

3D传感器的主要技术方法是根据结构模式向目标发送光脉冲或光,然后测量其反射的光。最流行的方法是飞行时间(ToF)感应,其中深度或距离是基于光脉冲导航期间的相移(间接)ToF)或延迟时间(直接ToF)计算的。ToF感测与其他3D与传感方法相比,它具有多种优点。例如,该系统可以封装在一个非常紧凑的模块中,用于短程、中程和长程,并且只能通过很少的计算工作获得深度或间距数据。

尽管ToF这是经过验证的3D传感解决方案,但它有一些原始的缺点。特别是,基于ToF的3D传感技术通常低于1.1?m波长工作,通常在850nm或940nm工作。这些波长有两个主要缺点。首先,由于太阳光在同一波长范围内的影响,户外性能较差。其次,由于人眼视网膜容易吸收这些波长的激光能量,激光故障或在使用过程中操作不当可能会对双眼造成严重损害。

已经进行了一些尝试,比如应用最先进的Si感应器,将ToF感应光谱扩展到超过1.1?m波长可以减少阳光和眼睛的影响。然而,即使是最先进的ADS8341EB硅传感器,量子效率(QE)也很差,从940nm大约30%急剧下降到波长超过10%.1?m这使得硅传感器成为一种低效的解决方案。

这类新的Artilux技术将被用作光吸收材料GeSi在硅片中CMOS集成电路集成在一起。它通过了940nm处将QE显著提高到90%,并进一步将可浏览光谱扩展到1550nm,从而达到50%QE,从而消除了现有的研发瓶颈。

融合通常为300MHz及以上高调制作频率,目前ToF与传感器相比,新的GeSi传感技术可以提供更准确的性能。它带来了在波长下工作的可玩性,以最小化或消除阳光的影响,并减少或防止眼睛损伤的风险。Artilux目前收集的测试数据,GeSi传感器在短距离、中距离和长距离内提供优良的深度或间距精度,具有优异的室外特性。

3激光雷达用于无人驾驶汽车D传感的重要应用。LiDAR技术可分为两类:1.1μm硅基具有以下波长CMOS感应器和1.1μm以上波长的III-V材料传感器。

尽管基于硅CMOS传感器成本低,但容易受到阳光的影响,有可能对眼睛造成伤害的风险,尤其是因为LiDAR应用大功率激光器来实现所需的长距离。基于基于III-V材料的传感器克服了这些问题,因为它们比硅更高QE。然而,III-V缺点是制造成本高,使用不同材料集成多个芯片比较困难。Artilux的GeSi传感技术是唯一能达到1的技术.1μm因此,上述波长下工作的硅基解决方案结合了硅基CMOS感应器和III-V材料基传感器的最佳特性。

应用GeSi感应器感应广谱光的能力将提高眼睛的安全性,尽量减少阳光的影响,显著提高性能的准确性。这是在不久的将来为消费者和利基释放3D解决感觉的全部潜力。




用户评论

发评论送积分,参与就有奖励!

发表评论

评论内容:发表评论不能请不要超过250字;发表评论请自觉遵守互联网相关政策法规。

深圳市品慧电子有限公司