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MOS管内的体二极管简析


用过MOS管的小伙伴都知道,其内部有一个寄生二极管,有的也叫做体二极管

1、PMOS管做开关用,S极作电源输入,D极作输出,当Vsg大于阈值电压,MOS管导通,一般MOS管的导通内阻都很小,毫欧级别,过几安培的电流,压降也才毫伏级别,此时体二极管是截至状态的。
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2、PMOS管D极接电源输入,S极接输出,D极首先通过PMOS管内部的体二极管到达S极,控制G极为0,Vsg大于阈值电压,MOS管导通,和上面一样,DS沟道压降很小,DS压差不足以使二极管导通,这时候MOS管的体二极管也是截至状态的。

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如果控制G极为高电平,PMOS管会截至,D极电源输入走的是体二极管路径,一般二极管压降是要比MOS管大一些的,所以Vs会比Vd小一些。

上面场景2,在某些电路场合中经常会用到。

比如双电源供电的方案中,其中一个电压较低,接近负载电源电压,可以直接走MOS管的沟道;另外一个电压较高,如果直接导通,DS电压差不多,后端负载承受不住,这时候利用MOS管内部的体二极管,增大DS之间的压降,保证了安全。

使用场景2,我们就要考虑寄生二极管过电流能力压降

这个体二极管其实就是一个普通的二极管,也能过较大的电流,比如下面这个,DS沟道能过5.8A,体二极管能过2.9A。

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大多数MOS管规格书上,是不会给出MOS管体二极管相关参数的,或者给的数据比较少。

如果我们要应用在电路中,需要让厂家提供详细的数据。

他们的数据会很完整,包括不同电流下的压降,不用温度下的数据,如常温25℃,75℃等等。



审核编辑:刘清

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