[电源管理]图腾柱无桥PFC与SiC相结合，共同提高电源密度和效率
【导读】效率和尺寸是电源设计的两个主要考虑因素，而功率因数校正 (PFC)也在变得越来越重要。为了减少无功功率引起的电力线谐波含量和损耗，尽可能降低电源运行时对交流电源基础设施的影响，需要使用 PFC。但要设计出小尺寸、高效率电源（包括 PFC）仍极具挑战性。本文介绍了如何通过修改传统 PFC 拓扑结构来更好地实现这一目标。 使用整流器和升压二极管的 PFC 电源的输入级通常使用桥式整流器后接单相 PFC 级，由四个整流器二极管和一个升压二极管组成。 图 1：桥式整流器后接单相 PFC 级 图腾柱无桥拓扑结构 还有一种提高电源效率的方
[电源管理]SiC器件如何颠覆不间断电源设计?
【导读】不间断电源 (UPS) 和其他基于电池的储能系统可以确保住宅、电信设施、数据中心、工业设备、医疗设备和其他关键设备的持续供电。凭借先进的半导体技术，这些系统能够确保可靠供电，提供滤波功能，并在发生短期电网断电时保障供电。对于更长时间的停电，这些系统可以提供足够的时间让关键设备安全地关闭。 UPS的设计要项一文中，我们带大家了解了UPS的使用用例与具体产品规格，本文将从SiC器件的角度出发，帮助您设计 UPS 或其他电池储能系统。 SiC正在推动革命 碳化硅 (SiC) 产品，即所谓的宽禁带产品，可以对 UPS关键参数产生积极
[电源管理]采用SiC提高住宅太阳能系统性能
【导读】预计在未来五年，住宅太阳能系统的数量将大幅增长。太阳能系统能为家庭提供清洁和绿色的能源，用于为家用电器供电，为电动汽车充电，甚至将多余的电力输送至电网。有了太阳能系统，即使发生电网故障，也不用担心。本篇博客介绍了住宅太阳能系统的主要组成部分，并建议采用安森美 (onsemi) 的电源方案方案来提高太阳能系统的效率、可靠性和成本优势。 住宅太阳能逆变器系统概述 住宅太阳能逆变器系统中包括了产生可变直流电压的光伏面板阵列。升压转换器使用“最大功率点跟踪”(MPPT) 方法（根据阳光的强度和方向优化能量采集），将
[电源管理]SiC MOSFET 器件特性知多少？
【导读】对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。 SiC MOSFET
[电源管理]通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统
【导读】电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统(BESS)的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。 电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统(BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFE
[电源管理]让电动汽车延长5%里程的SiC主驱逆变器
【导读】本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 将电动汽车的续航里程延长多达 5%。另外，文中还讨论了为什么一些原始设备制造商 (OEM) 不愿意从硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 过渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 为缓解 OEM 的担忧同时提升 OEM 对这种成熟的宽禁带半导体技术的信心所做的努力。 不断增长的消费需求、持续提高的环保意识/环境法规约束，以及越来越丰富的可选方案，都在推动着人们选用电动汽车 (EV)，令电动汽车日益普及。高盛近期的一项研究显示，到 2023 年，电动汽车销
[电源管理]如何优化SiC栅级驱动电路？
【导读】对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。之前的文章中，我们介绍了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天将带来本系列文章的第二部分SiC栅极驱动电路的关键要求和NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能。 分立式 SiC 栅极驱动 为了补偿低增益并实现高效、高速开关，SiC 栅极驱动电路需要满足以下关键要求： 1. SiC MOSFET 的
[RF/微波]给SiC FET设计PCB有哪些注意事项？
【导读】SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。此类器件具有超快的开关速度和较低的传导损耗，能够在各类应用中提高效率和功率密度。然而，与缓慢的旧技术相比，高电压和电流边缘速率与板寄生电容和电感的相互作用更大，可能产生不必要的感应电流和电压，导致效率降低，组件受到应力，影响可靠性。此外，由于现在SiC FET导通电阻通常以毫欧为单位进行测量，因此，PCB迹线电阻可能相当大，须谨慎降低以保持低系统传导损耗。 设定电流边缘速率 SiC FET可轻松实现超过1000
[电路保护]大功率、高性能汽车类 SiC 牵引逆变器参考设计
【导读】TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于SiC的 800V、300kW牵引逆变器系统参考设计，该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术（包括用于驱动 WolfspeedSiC电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器）如何通过降低电压过冲来提高系统效率。TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于SiC的 800V、300kW牵引逆变器系统参考设计，该参考设计为 OEM 和设计工程
[电路保护]使用SiC MOSFET和Si IGBT栅极驱动优化电源系统
【导读】在电动汽车 (EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC) 逆变器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要精确的驱动电压（具体取决于所使用的器件）。 在电动汽车(EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC)逆变器中，碳化硅 (SiC)MOSFET和硅 (Si)IGBT是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要
[电路保护]适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案
【导读】随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。 使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器，用于工业市场的高效电源。该公司声称
[电路保护]自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试
【导读】减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体
[电源管理]用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南
【导读】SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP51705 SiC 栅极驱动器的使用指南。 NCP51705 是一种 SiC 栅极驱动器，
[电源管理]如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
【导读】在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC
[电源管理]安森美 M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
【导读】自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。 最常见的充电方法是在家充一整夜或白天到工作场所充电。这两种情况对电动汽车的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅电源插座可能无法在一整夜后就为电动汽车充满电。工作场所提供的可能是中等功率的交流充电桩，如果汽车配备的是较低功率的车载充电器 (OBC)，那么充电桩使用时间可能
[互连技术]为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
【导读】在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结
[互连技术]SiC Traction模块的可靠性基石AQG324
【导读】前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在衬底和外延的概况，同时也分享了安森美在器件开发的一些特点和进展。到这里大家对于SiC的产业链已经有一定的了解了。也就是从衬底到芯片，对于一个SiC功率器件来说只是完成了一半的工作，还有剩下一半就是这次我们要分享的封装。好的封装才能把SiC的性能发挥出来，这次我们会从AQG324这个测试标准的角度来看芯片和封装的开发与验证。前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在衬底和外延的概况，同时也分享了安森美在器件开发的一些特点和进展。到这里大家对于SiC的产业链已经有一定的了
[传感技术]SiC功率模块中的NTC温度传感器解析
【导读】大多数功率模块包含一个NTC温度传感器，通常它是一个负温度系数热敏电阻，随着温度的增加其电阻会降低。因为其成本较低，NTC热敏电阻可以作为功率模块温度测量和过温保护的器件，但是其它器件如PTC正温度系数电阻是更适合用来做具体的温度控制应用。使用温度传感器的信息相对比较容易，但是需要注意系统内涉及到安全的考虑。大多数功率模块包含一个NTC温度传感器，通常它是一个负温度系数热敏电阻，随着温度的增加其电阻会降低。因为其成本较低，NTC热敏电阻可以作为功率模块温度测量和过温保护的器件，但是其它器件如PTC正温度系
[电路保护]SiC 晶片的切片和表面精加工解决方案
【导读】如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步，但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。 如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术
[电源管理]用于车载充电器应用的1200 V SiC MOSFET模块使用指南
【导读】随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展，对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市，工程师也在利用它们的性能优势设计 OBC 系统。要注意的是，PFC 拓扑结构的变化非常显著。设计人员正在采用基于 SiC MOSFET 的无桥 PFC 拓扑，因为它有着卓越的开关性能和较小的反向恢复特性。众所周知，使用 SiC MOSFET 模块可提供电气和热性能以及功率密度方面的优势。 安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技术的汽车模块设计领域表现出色，现在推出了一系列 SiC MOSFET 模块以改进 OBC 设计
