[通用技术]闪烁噪声的监测，详解用SCS参数分析仪测试1/f噪声
【导读】电子器件会有不同类型的噪声源，包括热噪声、白噪声和1/f噪声。1/f噪声是低频电子噪声，其电流（ISD）或功率（PSD）频谱密度与频率成反比，见下图典型噪声谱，前面是1/f噪声，大小和频率相反，后面是白噪声，均匀分布。由于1/f噪声反映了器件的质量、可靠性等参数 , 其研究越来越为人们所重视。 1/f噪声测试 为确定器件的1/f噪声，我们通常要测量电流相对于时间的关系，然后通过快速傅立叶变换（FFT）把数据转换到频域。为保证准确性，仪器本身噪声必须小于DUT噪声，所以测试方案推荐使用能测试极小电流的4200A-SCS。 源测量单元
[传感技术]小米Civi S参数曝光，有望本月发布
ITBEAR科技资讯4月15日消息，近日，有博主爆料表示，小米将会在本月推出小米Civi S新机。作为小米Civi的小迭代机型，小米Civi S将继续主打轻薄手感和自拍，性能相较小米Civi有明显进步。 根据爆料信息，小米Civi S将搭载高通骁龙778Gplus处理器，采用4500mAh电池，支持67W有线快充。此外，小米Civi S将配备OLED屏幕，支持120Hz高刷。外观方面，小米Civi S的外观较上代差别不大，不过可能会带来新工艺加持的后壳配色设计。 从目前爆料来看，小米Civi S出厂将预装MIUI13系统，预计在本月底正式发布，售价
[RF/微波]基于模型的GAN PA设计基础知识：GAN晶体管S参数、线性稳定性分析与电阻稳定性
品慧电子讯在简单的线性射频/微波放大器设计中，一般利用s参数匹配使增益和增益平坦度最大。同样也会利用这些 S 参数数据来开发匹配网络，以解决放大器稳定性问题。本文讨论在设计氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA) 过程中，使用模型模拟基本的 S 参数和稳定性分析的重要性。文中介绍使用模型和电阻稳定性技术来帮助避免设备不稳定，从而避免影响非线性和线性仿真。 在这篇博文中，我们着重介绍线性 S 参数计算中使用的简单的双端口稳定性分析。我们将使用 Modelithics Qorvo GaN 库中的非线性 Qorvo GaN 功率晶体管模型，并配合使用仿真模板和
[通用技术]4200A-SCS参数分析仪简化BioFETs DC I-V表征的四种方式
品慧电子讯业界在基于半导体的生物传感器中的研发投入一直很多，因为其成本低，反应快，检测准确。特别是基于场效晶体管的生物传感器或者bioFETs，被广泛用于各种应用，比如生物研究、即时现场护理诊断、环境应用，甚至食品安全。4200A-SCS参数分析仪简化BioFETs DC I-V表征的四种方式可以通过很多方式在bioFETs上进行DC I-V测试。最简便的方式是使用多个源测量单元(SMUs)，SMU是一种同时提供和测量电流和电压的仪器。吉时利4
[RF/微波]在S参数级联过程中防止假信号的方法
品慧电子讯S参数的概念是源于对互连器件或系统的微波属性的描述，提供了描述从音频范围到毫米波频率范围的应用中存在的串扰的最直观方法。S参数在射频元件（如滤波器、放大器、混频器、天线、隔离器和传输线）测量中使用最为广泛。测量结果能确定射频器件在正向和反向传输信号时其以复数值（幅度和相位）表示的反射和传输性能。它们全面描述了射频元件的线性特性。一、引言在串行数据链路分析和评测使用的高速通信环境中，需要应用程序，在实时示波器的实时波形上执行建模、测量和仿真。针对从被测器件中采集波形使用的测试测量夹具和
[通用技术]使用4200A-SCS参数分析仪进行最佳电容和AC阻抗测量
品慧电子讯各种各样的应用通常要在许多类型的器件上执行电容-电压(C-V)和AC阻抗测量。例如，C-V测量用来确定以下器件参数：MOSCAPs的栅极氧化物电容、MOSFET输入和输出电容、太阳能电池的内置电位、二极管的多数载流子浓度、BJT端子间的电容、MIS电容器的氧化物厚度、掺杂密度和门限电压。C-V测量4215-CVU和4210-CVU都是适用于4200A-SCS参数分析仪的多频(1 kHz ~ 10 MHz) AC阻抗测量模块(参见图1)，让用户能够轻松进行C-V测量。这两种CVU之间的差异在于测试频率数量和AC驱动电压。4215-CVU拥有10,000个不同频率，分辨率为1 kHz；4210
[RF/微波]图文详细解说S参数
品慧电子讯S 参数 是SI与RF领域工程师必备的基础知识，大家很容易从网络或书本上找到S,Y,Z参数的说明，笔者也在多年前写了S参数 -- 基础篇。但即使如此，在相关领域打滚多年的人， 可能还是会被一些问题困扰着。你懂S参数吗? 请继续往下看...一、个别参数与串联S参数的差别问题1：为何有时候会遇到每一段的S参数个别看都还好，但串起来却很差的情况(loss不是1+1=2的趋势)?Quick answer : 如果每一线段彼此连接处的real port Zo是匹配的，那loss会是累加的趋势，但若每一线段彼此连接处的real port Zo差异很大，那就会看到loss不是
[RF/微波]S参数究竟是什么？
品慧电子讯现代高速模数转换器（ADC）已经实现了射频（RF）信号的直接采样，因而在许多情况下均无需进行混频，同时也提高了系统的灵活性和功能。传统上，ADC信号和时钟输入都采用集总元件模型来表示。但是对于RF采样转换器而言，其工作频率已经增加至需要采用分布式表示的程度，那么原有的方法就不适用了。本系列文章将从三个部分入手，说明如何将散射参数（也称为S参数）应用于直接射频采样结构的设计。起决定性作用的S参数S参数就是建立在入射微波与反射微波关系基础上的网络参数。它对于电路设计非常有用，因为可以利用入射波
[RF/微波]射频回波损耗、反射系数、电压驻波比、S参数的含义与关系
品慧电子讯以二端口网络为例，如单根传输线，共有四个S参数：S11，S12，S21，S22，对于互易网络有S12＝S21，对于对称网络有S11＝S22，对于无耗网络，有S11*S11+S21*S21＝1，即网络不消耗任何能量，从端口1输入的能量不是被反射回端口1就是传输到端口2上了。在高速电路设计中用到的微带线或带状线，都有参考平面，为不对称结构（但平行双导线就是对称结构），所以S11不等于S22，但满足互易条件，总是有S12＝S21。假设Port1为信号输入端口，Port2为信号输出端口，则我们关心的S参数有两个：S11和S21，S11表示回波损耗，也就是有多少能量
[电源管理]多层陶瓷电容器S参数测量步骤，试验线路板和条件
品慧电子讯S-parameter library提供能够用于电路设计时的仿真的芯片积层陶瓷电容器的S-parameter数据。以下将介绍S-parameter数据的测量步骤、所使用的试验线路板、测量装置、测量条件进行说明。1测量步骤以下介绍本测量的步骤。此外，主要以图1所示的方法使用网络分析器和测量夹具在2个端口上测量S-parameter。1. 校正使用SOLT (部分SOL) 校正和TRL校正2种方法进行校正。SOLT校正使用本公司生产的Short, Open, Load, Thru线路板校正低频率侧的领域。与此相反，TRL校正使用本公司生产的Thru, Reflect, Line, Match线路板校正高频率
[电路保护]抽丝剥茧系列——一次解谜经历
某网友S提问: 使用仿真软件模拟背板上的微带线，两边分别加上背板连接器和过孔的S参数模型，仿真出来的结果发现插损曲线整个频段都会有波浪状的震荡，实测时完全不会有这种情况，为什么？另一位热心网友P表示也遇见过这样的情况，并且附上了图1:小陈看到之后，撸起袖子准备开始回答了。一如之前在《S参数震荡原因总结》中所说，单线出现如此明显的震荡，有两种情况，一种是严重的stub，另一种是阻抗不匹配严重。但是这两种情况的震荡起来的表现是不一样的，如图2：很明显，前面图片中应该属于stub引起。并且，第一次谐振为stub长度=谐振频
[电路保护]高级工程师分享：S参数震荡原因总结
S参数的震荡是什么原因引起的呢? 从插损图看到的震荡其实就是传输能量大幅跌落，那么哪些原因会造成能量的损失呢？当然主要是反射，串扰。反射是由阻抗不匹配引起的，下图蓝色是一根阻抗完全匹配的传输线，红色为中间有一段500mil的阻抗不匹配的传输线，两根线是完全等长的，看震荡出现了。由之前的反射详解所述，阻抗不匹配长度对应了震荡频率，阻抗差异对应震荡幅度。还有一个通道中震荡最明显的就是过孔残桩，当残桩长度为四分之一波长时，过孔处传输能量和反射能量叠加后互相抵消，造成了能量大幅跌落。所以对于高速信号传输，背钻是最
[电路保护]神奇的S参数：这条线是如何描述信号的？
品慧电子讯S参数是SI工程师解决问题的重要工具，对于一个有经验的SI工程师来说，从一个S参数中可以看出通道中几乎所有的特性（阻抗不匹配、stub、损耗、串扰等等），并且针对该特性对通道提出相应的优化方案。可是对于许多硬件工程师来说，看到S参数的感受就不是这样的了。“我这么高的信号速率，这么大的系统，最后你就给了我两条线然后告诉我这个通道pass还是fail，坑爹呢！”到底是不是坑爹，让我们来看看一条简单的线时如何描述我们的信号的。假设我们的通道是就是一根传输线，这条传输线有两个端口，分别是端口1与端口2，通常我们看到
[MICROCHIP/微芯]三凌74LS125ANS参数及11年上半年价格走势图
品牌：三凌型号：74LS125ANS封装：SOP基本参数：输出电流:24mA逻辑类型:总线缓冲通道数:4输入电平:2V输出电平:2.4V封装类型:DIP针脚数:14电源电压范围:4.75V到5.25V工作温度范围:0°C到+70°CSVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)器件标号:74125封装类型:DIP电源电压最大:5.25V电源电压最小:4.75V表面安装器件:通孔安装输入电平:2V输出电流最大:16mA逻辑芯片功能:Quad Bus Buffer Gate with 3-State Output逻辑芯片基本号:74125逻辑芯片系列:LS市场价格分析：74LS125ANS的描述是通用总线缓冲器。品牌主要是三凌、TI。在这里我们主要分
[MICROCHIP/微芯]RB521S参数
RB521S参数·RB521S-30，采用SOD-523封装方式。·二极管类型:Schottky·电压, Vrrm:30V·电流, If平均:200mA·正向电压Vf最大:0.5V·电流, Ifs最大:1A·封装形式:SOD-523·针脚数:2·封装类型:SOD-523·正向电压,于If:0.5V·电流, Ifsm:1A·结温, Tj最高:125°C·表面安装器件:表面安装3、RB521S价格分析RB521S在市场上反应良好，备受关注，也是商家报价较为积极的一款热门型号，该型号市场供货量相对充足，但是网页报价较少，一般是线上询价居多。据商家的报价数据显示，7-8月份，该型号的市场报价集中在0.042-0.055元/pcs之间，价格相对
[生产测试]网络分析仪测天线S参数应用实例
中心议题： 天线S参数测试系统的设计 测试系统的技术指标 测试系统的维护与校准在微波探测系统中，通常天线都是系统自动控制环路的闭环点。天线作为一个收/发控制系统的重要组成部分，其性能的优劣，将直接影响到全系统的检测能力和探测精度。在实际使用中，对天线的电特性参数及组成部分 的各种微波装置（如高频电缆等）的散射参数，例如天线的匹配特性、天线阻抗、微波装置的反射特性和传输特性参数等都要进行严格的检测。而要准确的对天线及其组成部分微波装置的参数进行测试，采用网络分析仪无疑是最佳的途径。由于篇幅有限，
[生产测试]利用S参数对RF开关模型进行高频验证
中心议题： S参数简介 利用S参数对RF开关模型进行高频验证解决方案： 设计和测量传输线路阻抗 PCB设计和实现 使用S参数S参数是创建和验证宽带宽的高频模型的有用工具。一旦记录下来，便可以利用S参数计算许多其它电路特性，以及创建匹配网络。然而，设计测量系统时，必须考虑一些必要的注意事项，其中最重要的是校准方法的选择和PCB设计。通过采取本文所述的措施，可以避免某些潜在的问题。1 S参数简介S （散射）参数用于表征使用匹配阻抗的电气网络。这里的散射是电流或电压在传输线路中断情况下所受影响的方式。利用。 S
[RF/微波]电子元器件S参数的含义和用途
中心议题： S参数介绍的由来和含义 S参数的使用范围 S参数在电路仿真中的应用解决方案： 对于高频电路，需要采用网络法来进行分析，此时需要用到S参数 可以使用元器件厂家的S参数也可以自己搭建测试电路使用网络分析仪来测得S参数 要想深刻的理解S参数，需要具备足够的高频电子电路的基础知识 在进行射频、微波等高频电路设计时，节点电路理论已不再适用，需要采用分布参数电路的分析方法，这时可以采用复杂的场分析法，但更多地时候则采用微波网络法来分析电路，对于微波网络而言，最重要的参数就是S参数。在个人计
[RF/微波]利用S参数对RF开关模型进行高频验证
中心议题： S参数简介 利用S参数对RF开关模型进行高频验证解决方案： 设计和测量传输线路阻抗 PCB设计和实现 使用S参数S参数是创建和验证宽带宽的高频模型的有用工具。一旦记录下来，便可以利用S参数计算许多其它电路特性，以及创建匹配网络。然而，设计测量系统时，必须考虑一些必要的注意事项，其中最重要的是校准方法的选择和PCB设计。通过采取本文所述的措施，可以避免某些潜在的问题。1 S参数简介S （散射）参数用于表征使用匹配阻抗的电气网络。这里的散射是电流或电压在传输线路中断情况下所受影响的方式。利用。 S
