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[电路保护]IGBT与IGCT、IEGT在轻型直流输电领域的应用对比
品慧电子讯IGBT因其电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点被广泛用于变频器的逆变电路中,但随着电力电子制造技术的发展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的应用范围正在扩大，本文将针对IGCT、IEGT与IGBT在轻型直流输电领域的应用进行对比。IGBT与集成门极换流晶闸管IGCT对比受当前技术水平限制，IGBT的工作电流相对较小，比较常用的中高压大功率IGBT有1700V/ 2400A、3300V/1200A、4500V/900 A、6 500 V/600 A等几种规格，采用单元件的变流器输出容量一般不超过1.6 MVA，如要进一步增加输出容量，只能采用元件并联或变流器并联的方式。无论
[电源管理]IGCT门极驱动电路的原理分析
中心议题： 介绍IGCT门极驱动电路的原理 分析IGCT门极驱动电路的结构解决方案： 光控接口采用标准元器件 不使用关断缓冲电路，获得稳定的和低损耗的高关断能力前 言 在电力大功率应用领域中，对理想的功率半导体器件有如下特性要求:电流容量大、开关速度快、开关频率高、结构紧凑、阻断电压高、损耗低、可靠性高、成本低。但在实际中，由于技术水平的局限，许多功率半导体器件如SCR、GTO、IGBT，虽有很大进展，但在实际应用方面仍存在一些缺陷。在激烈的市场竞争下，ABB半导体公司推出了一种可以满足这些要求的新型半导体功率
