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[马达控制]IGBT的四大保护措施

中心议题: IGBT的工作原理及损坏机制 IGBT的保护措施解决方案: IGBT栅极的保护 IGBT集电极与发射极间的过压保护 IGBT集电极电流过流保护 IGBT的过热保护绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简