[电源管理]图腾柱无桥PFC与SiC相结合，共同提高电源密度和效率
【导读】效率和尺寸是电源设计的两个主要考虑因素，而功率因数校正 (PFC)也在变得越来越重要。为了减少无功功率引起的电力线谐波含量和损耗，尽可能降低电源运行时对交流电源基础设施的影响，需要使用 PFC。但要设计出小尺寸、高效率电源（包括 PFC）仍极具挑战性。本文介绍了如何通过修改传统 PFC 拓扑结构来更好地实现这一目标。 使用整流器和升压二极管的 PFC 电源的输入级通常使用桥式整流器后接单相 PFC 级，由四个整流器二极管和一个升压二极管组成。 图 1：桥式整流器后接单相 PFC 级 图腾柱无桥拓扑结构 还有一种提高电源效率的方
[电源管理]SiC器件如何颠覆不间断电源设计?
【导读】不间断电源 (UPS) 和其他基于电池的储能系统可以确保住宅、电信设施、数据中心、工业设备、医疗设备和其他关键设备的持续供电。凭借先进的半导体技术，这些系统能够确保可靠供电，提供滤波功能，并在发生短期电网断电时保障供电。对于更长时间的停电，这些系统可以提供足够的时间让关键设备安全地关闭。 UPS的设计要项一文中，我们带大家了解了UPS的使用用例与具体产品规格，本文将从SiC器件的角度出发，帮助您设计 UPS 或其他电池储能系统。 SiC正在推动革命 碳化硅 (SiC) 产品，即所谓的宽禁带产品，可以对 UPS关键参数产生积极
[电源管理]用于离线电源的开关 IC
【导读】本应用笔记适用于使用 LinkSwitch-II 系列器件设计隔离式 AC-DC 反激式电源的工程师。它提供了指导原则，使工程师能够快速选择关键组件并完成合适的变压器设计。为了简化任务，本应用笔记直接引用了 PIXls 设计电子表格，它是 PI Expert? 设计软件套件的一部分。 LinkSwitch-II 是一款高度集成的单片开关 IC 系列，专为输出高达 6.1 W 的离线电源而设计。LinkSwitch-II 提供恒定电压和恒定电流 (CV/ CC) 输出调节无需使用光耦合器或次级反馈电路。集成的输出电缆压降补偿（仅限 LNK61x）、变压器电感补偿和外部元件温度变化补偿即
[电源管理]采用SiC提高住宅太阳能系统性能
【导读】预计在未来五年，住宅太阳能系统的数量将大幅增长。太阳能系统能为家庭提供清洁和绿色的能源，用于为家用电器供电，为电动汽车充电，甚至将多余的电力输送至电网。有了太阳能系统，即使发生电网故障，也不用担心。本篇博客介绍了住宅太阳能系统的主要组成部分，并建议采用安森美 (onsemi) 的电源方案方案来提高太阳能系统的效率、可靠性和成本优势。 住宅太阳能逆变器系统概述 住宅太阳能逆变器系统中包括了产生可变直流电压的光伏面板阵列。升压转换器使用“最大功率点跟踪”(MPPT) 方法（根据阳光的强度和方向优化能量采集），将
[电源管理]专为智能汽车车身域打造的直流有刷栅极驱动IC
【导读】TMI8721-Q1是一颗驱动外部4个N沟通MOSFET的单通道全桥栅极驱动芯片。优秀的驱动能力，使其可驱动大部分MOSFET，特别适用于汽车座椅自动调节，后尾门撑杆，玻璃升降、天窗、遮阳帘、门窗、方向盘调节、侧滑门、电动踏板等电流偏大的场合。 车身域主要负责车身各类执行机构的控制，域控产品对于驱动芯片的要求主要体现在驱动能力、功能集成度和及安全可靠性方面。拓尔微TMI8721-Q1专为智能汽车车身域打造，支持SPI通讯，用于各类驱动参数的调节及故障信息的读取；同时TMI8721-Q1内部集成了电流采样运放和电流斩波功能，能够减小外部
[电源管理]电池化学成分如何影响电池充电IC的选择
【导读】电池供电设备是现代科技不可或缺的组成部分，它彻底改变了人们的生活，让很多电子设备能被随身携带。例如，血糖仪和起搏器等医疗设备尽可能地减少了人们生活中的不便，便携式电动工具和无线电等设备可用于救灾协调等工作，而日常生活中使用的智能手机和笔记本电脑等电池供电设备则帮助人们高效工作和连接社会。 本文将讨论四种电池化学成分（锂离子、磷酸铁锂、锂聚合物和镍氢）在 30V 以下电池应用中的优势与挑战，另外还将介绍适用于这些电池类型的电池充电 IC 如何在应用中提升电池性能、运行时间和使用寿命。 电池充电 IC 可确
[电源管理]Microchip联手贸泽推出介绍8位微控制器的简洁性与高效率的电子书
【导读】2023年11月14日 – 提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Microchip Technology联手推出一本新电子书，重点介绍8位微控制器 (MCU) 的价值和使用案例。在《The Mighty 8-Bit Microcontroller》（强大的8位微控制器）这本书中，多位行业思想领袖就8位MCU如何成为汽车、工业、医疗和消费电子应用的理想选择（甚至超过功能更强大的16位和32位MCU）发表了独特的看法。 对汽车应用来说，8位MCU因其简洁性和高效率成为了汽车子系统的首选，有助于保持设计紧凑。Microchip
[电源管理]SiC MOSFET 器件特性知多少？
【导读】对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。 SiC MOSFET
[电源管理]通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统
【导读】电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统(BESS)的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。 电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统(BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFE
[电源管理]让电动汽车延长5%里程的SiC主驱逆变器
【导读】本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 将电动汽车的续航里程延长多达 5%。另外，文中还讨论了为什么一些原始设备制造商 (OEM) 不愿意从硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 过渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 为缓解 OEM 的担忧同时提升 OEM 对这种成熟的宽禁带半导体技术的信心所做的努力。 不断增长的消费需求、持续提高的环保意识/环境法规约束，以及越来越丰富的可选方案，都在推动着人们选用电动汽车 (EV)，令电动汽车日益普及。高盛近期的一项研究显示，到 2023 年，电动汽车销
[电源管理]PI技术经理Jason Yan：1250V氮化镓开关IC是一个重要的里程碑
【导读】Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC前不久，集邦咨询发布2022年氮化镓（GaN）主要厂商出货量排名，数据显示Power Integrations（PI）以20%的市占率在2022年全球GaN功率半导体市场排名第一。这与PI的GaN发展策略和产品布局不无关系。 日前，PI发布全球首颗额定耐压最高的单管GaN电源IC。关于这款产品以及产品背后的技术背景，PI技术培训经理Jason Yan与记者进行了深入交流。他表示，这颗IC采用了1250V的PowiGaN? 开关技术，强化了公司在高压GaN技术领域的持续领先地位，具有里程碑意义。 1250V PowiGaN? 填补
[电源管理]如何优化SiC栅级驱动电路？
【导读】对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。之前的文章中，我们介绍了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天将带来本系列文章的第二部分SiC栅极驱动电路的关键要求和NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能。 分立式 SiC 栅极驱动 为了补偿低增益并实现高效、高速开关，SiC 栅极驱动电路需要满足以下关键要求： 1. SiC MOSFET 的
[电源管理]DigiKey将面向全球供应Ambiq 的低功耗IC解决方案
【导读】DigiKey今日宣布与超低功耗IC供应商Ambiq建立合作伙伴关系，面向全球分销Ambiq的超低功耗半导体产品。目前，DigiKey正在备货该公司的SoC，这款SoC是基于Ambiq专有的亚阈值功耗优化技术平台构建的，是目前市场上动态功耗最低的微控制器之一。 DigiKey 与 Ambiq 合作，提供低功耗 IC 解决方案，包括 Apollo4 Blue Plus，解决方案可使始终连接的物联网端点具备 Bluetooth? 低能耗（BLE）、图形和音频能力。 DigiKey 半导体副总裁 David Stein 称：“DigiKey 很高兴将 Ambiq 添加到我们的核心供应商名录中。作为低功耗 SoC 解决方案的
[通用技术]如何在SPICE中构建铂RTD传感器模型
【导读】KWIK（技术诀窍与综合知识）电路应用笔记提供应对特定设计挑战的分步指南。对于给定的一组应用电路要求，本文说明了如何利用通用公式应对这些要求，并使它们轻松扩展到其他类似的应用规格。该传感器模型支持对电阻温度检测器(RTD)的电气和物理特性进行SPICE仿真。SPICE模型使用了描述RTD（其将温度转化为电阻）物理行为特性的参数。它还提供了一个典型的激励和信号调理电路，利用该电路可演示RTD模型的行为。 RTD概述 RTD是阻性元件，其电阻随温度变化而变化。RTD的行为已为人所熟知，可用于进行精密温度测量，精度可达0.1°C以下
[互连技术]贸泽电子联手NXP Semiconductors推出全新电子书
【导读】贸泽电子(Mouser Electronics)与NXPSemiconductors联手推出全新电子书《7 Experts on Designing Vehicle Electrification Solutions》（7位专家联手献策：设计汽车电气化解决方案）。NXP Semiconductors是嵌入式应用安全连接解决方案的知名供应商，在汽车、工业和物联网、移动和通信基础设施市场不断开拓创新，同时提供让未来发展更加可持续的解决方案。书中，贸泽和NXP探索了汽车电气化系统面临的设计挑战，并深入探讨了潜在的解决方案路线。 2023年11月8日–提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电
[传感技术]ADALM2000实验：IC温度传感器
【导读】本实验活动的目标是使用集成电路温度传感器测量环境温度，这些温度传感器提供与绝对温度成比例的输出（电流或电压）。 使用AD22100测量温度 背景知识 AD22100是一款片内集成信号调理功能的单芯片温度传感器，其工作温度范围为-50°C至+150°C，非常适合众多应用。由于内置信号调理功能，因此无需任何调整、缓冲或线性化电路，系统设计得以大大简化，整体系统成本也会降低。输出电压与温度和电源电压成比例，采用5.0 V单电源时，摆幅范围为0.25 V (-50°C)至4.75 V (+150°C)。 材料 ● ADALM2000 主动学习模块● 无焊试验板和跳线
[传感技术]如何在 3DICC 中基于虚拟原型实现多芯片架构探索
【导读】在系统定义和规划时，虚拟原型可以用来分析架构设计决策可能产生的影响，将系统的功能性和非功能性要求转化为系统的物理硬件属性，包括裸片的目标工艺、面积大小以及不同组成芯片的组装要求等。根据不同的解决方案，选择不同的chiplets和堆叠架构，进行早期的分析驱动的架构探索和优化迭代，包括电气可靠性、散热、良率分析、应力分析等等。从而可以基于目标系统的指标定义，确定系统的瓶颈所在——性能、功耗、存储容量/带宽、面积/体积、成本以及上市时间等，逐步建立和完善各类分析模型，使得整个系统最终定型。前言Chiplet多芯
[光电显示]LED 和检测器 IC 的热阻测量
【导读】该封装安装在低电导率测试板上，根据 JEDEC 标准，该测试板的尺寸为 76.2 mm x 76.2 mm。包相对居中。总共准备了两个低电导率板用于测量。这些测试板由 FR-4 材料制成，铜迹线厚度符合低电导率板的 JEDEC 标准。所有板上都使用了经过测试的“良好”设备。所有热阻测量数据列于图 2 中。 LED和检测器IC的热阻测量 图 1 显示了组件框图。这是一种具有两个热源的多芯片封装，应用线性叠加理论考虑相邻芯片对一个芯片的加热影响。这里，首先加热一个芯片，并在达到热平衡后记录所有芯片的温度。然后，加热另一个芯片并记录所有芯片温度
[RF/微波]QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节
【导读】Charley Moser拥有EE博士学位，是我最早的模拟设计导师之一。从他那里，我学到了很多知识——混合pi晶体管建模、用于稳定性分析的Bode图对最小相位系统的限制、为什么要使用缓冲器以及如何设计缓冲器、防止击穿的双极基极拉电流、SCR在高温下的使用等。其中，如何在高电压下调节低功率是最引人注目的创新；这对我来说极具价值，因为我是多家仪器公司带电粒子光学方案中所用高压电源设计领域的高手。 他教我用接地基极高压晶体管进行并联调节，并通过运算放大器驱动发射极。晶体管的增益带宽将在其fT下降低3dB。用低电压输入控制高
[RF/微波]给SiC FET设计PCB有哪些注意事项？
【导读】SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。此类器件具有超快的开关速度和较低的传导损耗，能够在各类应用中提高效率和功率密度。然而，与缓慢的旧技术相比，高电压和电流边缘速率与板寄生电容和电感的相互作用更大，可能产生不必要的感应电流和电压，导致效率降低，组件受到应力，影响可靠性。此外，由于现在SiC FET导通电阻通常以毫欧为单位进行测量，因此，PCB迹线电阻可能相当大，须谨慎降低以保持低系统传导损耗。 设定电流边缘速率 SiC FET可轻松实现超过1000
