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[三极管]三极管怎么测量好坏?

今天给大家讲一下三极管,主要指BJT测量好坏的方法和三极管的管脚怎么辨别?这里面有一些是我以前用过的一些方法,也有常见的一些方法,我综合总结了一下。如果接触久了,其实就会记住管形了,可以直接就找到基极。 众所周知,三极管(BJT)有三个管脚,基极(B)、集电极(C)、发射极(E),在实际应用中,不可避免地会遇到管脚辨别的问题。接下来就讲下三极管管脚辨别的几种方法,或者说是三极管的测量方法。 三极管测量方法--管脚辨别方法 1、数字万用表辨别三极管管脚 数字式万用检测三极管的要点是检测两个PN结的导通压降,选择

[传感技术]世界首创有机双极结型晶体管(BJT)—突破Ghz!有机晶体管能起飞吗?

来源:EETOP编译整理自allaboutcircuits链接:https://www.allaboutcircuits.com/news/worlds-first-organic-bipolar-junction-transistors-could-organic-bipolar-transistors-get-more-mainstream/将电子产品更无缝地融入我们生活的愿望激发了人们对柔性电子产品领域的兴趣。柔性显示器和嵌入衣服或人体的电子产品等用例越来越受欢迎,要实现它们需要对传统电子产品进行新的尝试。实现柔性电子产品的一种有前途的技术是有机晶体管。有机晶体管柔性显示器的一个例子

[RF/微波]ADALM2000活动:BJT多谐振荡器

品慧电子讯本文解释三种主要类型的多谐振荡器电路以及如何构建每种电路。多谐振荡器电路一般由两个反相放大级组成。两个放大器串联或级联,反馈路径从第二放大器的输出接回到第一放大器的输入。由于每一级都将信号反相,因此环路整体的反馈是正的。 多谐振荡器主要分为三种类型:非稳态、单稳态和双稳态。非稳态多谐振荡器使用电容耦合两个放大器级并提供反馈路径。电容会阻隔任何从一级传送到下一级的直流信号,因此非稳态多谐振荡器没有稳定的直流工作点,是一个自由运行的振荡器。在单稳态多谐振荡器中,从一级到另一级的耦合使用一个电

[贴片电容]【科普小贴士】BJT和MOSFET的差异

关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。(1)基极电压升高时,BJT的基极电流开始流动,集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压(VBE)。为了使集电极电流流动,需要提供基极电流,并且需要连续的驱动功率。(需要低驱动电压、连续驱动功率)(2)由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道,这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成,导通状态继续,漏极电流继续流动,因此所需的驱动功率很小。通过释放积聚在栅极中的电荷并移除沟道,它将转变为关闭状

[贴片电容]晶体管BJT和MOSFET是如何工作的?

晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中,将带你了解晶体管是如何工作的,以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识,这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管:BJT和MOSFET。晶体管的工作原理就像电子开关,它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关,晶体管类似于继电器,因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开,这对于放大器的设计很有用。1.?晶体管BJT的工

[贴片电容]【科普小贴士】什么是双极晶体管(BJT)?

双极晶体管有两种类型:NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品,特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。它们有放大功能,可以将小信号转换成大信号。集电极电流IC与基极电流IB(IC/IB)之比称为直流电流增益,用hFE表示。当小电流(IB)从基极流向发射极时,电流IBx hFE从集电极流向发射极。图3-1(a)NPN晶体管的符号与结构图3-1(b)PNP晶体管的符号与结构BJT是由基极电流驱动的电流驱动器件。NPN晶体管的操作基极电流:

[RF/微波]ADALM2000实验:发射极跟随器(BJT)

品慧电子讯面包板连接如图2所示。任意波形发生器W1的输出连接至Q1的基极端子。示波器输入1+(单端)也连接至W1输出。集电极端子连接至正极(Vp)电源。发射极端子连接至2.2 kΩ负载电阻和示波器输入2+(单端)。负载电阻的另一端连接至负极(Vn)电源。要测量输入-输出误差,可以将2+连接至Q1的基极,2–连接至发射极,以显示示波器通道2的差值。本次实验的目的是研究简单的NPN发射极跟随器,有时也被称为共集电极配置。材料● ADALM2000 主动学习模块● 无焊面包板● 跳线● 一个2.2 kΩ电阻(RL)● 一个小信号

[RF/微波]ADALM2000实验:BJT差分对

品慧电子讯本次实验旨在研究一个使用NPN晶体管的简单差分放大器。首先,我们需要做一些关于硬件限制问题的笔记。ADALM2000 系统中的波形发生器具有高输出带宽,该高带宽带来了宽带噪声。由于差分放大器的增益,本次实验中测量所需的输入信号电平相当小。如果直接使用波形发生器输出,则其输出的信噪比将不够高。通过提高信号电平,然后在波形发生器输出和电路输入之间放置衰减器和滤波器(图1),可以改善信噪比。本次实验需要如下材料:● 两个100 Ω电阻● 两个1 kΩ电阻● 两个0.1 μF电容(标记为104)图1.11:

[电源管理]将BJT连接为二极管

品慧电子讯NPN晶体管的发射极-基极结的电流与电压特性可以使用ADALM2000实验室硬件和以下连接来测量。使用面包板,将波形发生器W1连接到电阻R1的一端。将示波器输入2+也连接到这里。将Q1的基极和集电极连接到R1的另一端,如图所示。本次实验的目的是研究将双极性结型晶体管(BJT)连接为二极管时的正向/反向电流与电压特性。材料:● ADALM2000 主动学习模块● 无焊面包板● 一个1 kΩ电阻(或其他类似值)● 一个小信号NPN晶体管(2N3904)说明:NPN晶体管的发射极-基极结的电流与电压特性可以使用ADALM2000实验室硬件和以下

[电路保护]实例分析:开关电源为何选择BJT而非MOSFET?

MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中,与MOSFET相比,双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中,成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大理由。在低功耗(3W 及以下)反激式电源中,很难在成本上击败 BJT。大批量购买时,一个 13003 NPN 晶体管价格可低至 0.03 美元。该器件不仅可处理 700V VCE,而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用 BJT,增益和功率耗散可能会将实际使用限制在低功耗应用中。在这些低功耗标准下,MOSFET 与 BJT 之间的效率差异非常细微。下图

[电路保护]在开关电源设计中,何时使用BJT才是最佳选择?

要说开关电源领域的绝对主力军电子器件,非MOSFET莫属。在很多应用实例中,双极性结式晶体管相较于MOSFET有其独特的优势。尤其是离线电源中,成本和高压是使用BJT而非MOSFET的两个关键因素。 在低功耗(3W 及以下)反激式电源中,很难在成本上击败 BJT。大批量购买时,一个 13003 NPN 晶体管价格可低至 0.03 美元。该器件不仅可处理 700V VCE,而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用 BJT,增益和功率耗散可能会将实际使用限制在低功耗应用中。在这些低功耗标准下,MOSFET 与 BJT 之间的效率差异非常细微。下图 1 对比了两个相似

[电路保护]低成本BJT开关优化方案,满足新效率标准杠杠的

品慧电子讯众所周知,与MOSFET相比,双极性结式晶体管(BJT)在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下,当功率级提高到3W以上时,BJT中的开关损失可能就会成为大问题。所以打造低成本BJT开关方案成为急需事情!Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC,支持安全地使用低成本的双极结型晶体管(BJT)开关,能够提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率。新的系列器件专门适用于要求满足美国能源部(DoE)和欧盟行为准则(CoC)严格的新效率标准的充电器和适配器,帮助工程师设计出能销往美国及

[电路保护]专家答疑:反激式转换器中工程师为何“偏爱”BJT

品慧电子讯当第一次接触使用1款BJT设计开关电源时,大家肯定很好奇为什么设计人员会使用BJT而不是FET。然而,双极性晶体管具有较低成本和较高电压额定值,是这些低功耗应用的可行选项。原来是因为在基本了解双极性晶体管的工作情况和几何构造后,就可估算晶体管的传导及开关损耗。在USB适配器、手机充电器以及系统偏置电源等大量低功耗应用中,低成本准谐振/非连续模式反激式转换器是常见选择(图1)。这类转换器设计效率高,成本极低。因此为什么不考虑在自己的设计中使用双极性节点晶体管(BJT)呢?  这样做有两个非常有说服力的理由:

[电路保护]SiC BJT:史上最高效率的1200V功率转换开关

品慧电子讯飞兆半导体最近推出的碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)将成为IGBT的下一代替代技术,它可以在更高的温度下转换更高的电压和电流。它允许更高的开关频率,但能保持相同或更低的开关和导通损耗,从而允许使用更小的电感、电容和散热器,不仅可降低系统BOM成本,而且可在相同外形因子下提高输出功率,或以更小的外形尺寸提供相同输出功率。为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求,工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。 然而,在可再生能源、工业电机