[二极管]雪崩二极管原理_雪崩二极管作用
雪崩二极管原理雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展宽到IP+结处。整个空间电荷区的电场在N+P处最大。假定在N+P结附近一个小区域内，电场强度超过了击穿电场，则在这个区域内就发生雪崩击穿。发生雪崩击穿的这一区域称为雪崩区。在雪崩区以外，由于电场强度较低，因而不发生雪崩击穿。载流子只在电场作用下以一定的速度作漂移运动。载流子作漂移运动的区域称为漂移区。载流子通过漂移区所需要的时间
[互连技术]收藏|雪崩二极管的基础知识
品慧电子讯雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿（隧道击穿）。雪崩
[电源管理]如何借助雪崩二极管提供过压保护？
品慧电子讯当IGBT在高性能应用中高速接通和断开时，总会发生过压。例如，当关闭负载电流电路时，集电极发射极电压突然上升，达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。雪崩二极管如何帮助防止过电压？常见的过电压保护方法是“有源钳位(active clamping)”。在这种情况下，雪崩二极管用作直接反馈。如果关断导致电感负载过压峰值，则由雪崩二极管传导至IGBT栅极，并且IGBT重新接通。上图显示了基本原理：当电压上升时，二极管被阻断(A)。在耗尽区中，一个自由电子触发雪崩的瞬间，电压突然下
[二极管]雪崩二极管
雪崩二极管 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
[二极管]根据雪崩性能选择肖特基二极管
汽车电子模块要求采取反向电池保护措施，以避免不良电池操作可能导致的损坏风险。肖特基二极管是这种应用的首选器件，因为它们具有很低的前向压降性能。虽然肖特基二极管能够很好地满足上述要求，但它们必须支持ISO7637-2脉冲，因此通常选用具有高击穿电压的产品以便通过负脉冲1和脉冲3a测试--但这无助于取得最好的前向压降性能，因为肖特基二极管固有的折衷性能遵循这样的规则：击穿电压越高，前向压降就越大。不过调和这两种状态是有可能的。事实上，肖特基二极管具有在反向状态下消耗一些功率的能力--这涉及到PARM参数(重复性峰值
