[互连技术]如果不说 你会特别留意肖特基二极管的这些参数吗？
【导读】我们在肖特基二极管设计过程中，肖特基二极管与普通二极管有什么区别，有哪些参数与特点我们需要留意。本文分享那些电感容易忽略关键参数。 我们在肖特基二极管设计过程中，肖特基二极管与普通二极管有什么区别，有哪些参数与特点我们需要留意。本文分享那些电感容易忽略关键参数。 1. 什么是肖特基二极管 肖特基二极管即热载流子二极管，是基于金属-半导体结制造而成。 肖特基二极管结构： 肖特基二极管的结构与普通二极管有所不同。肖特基二极管使用的是键合到N型掺杂材料中的单层薄金属，而不是双层掺杂半导体材料。这种金属与
[互连技术]为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
【导读】在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结
[传感技术]罗姆发布肖特基二极管白皮书，助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗！
1. 前言本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202211/440007.htm近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中，中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路，而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统等各种电路和领域中，半导体厂商罗姆在这些领域中已经拥有骄人业绩（图1）。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 图1. 罗姆在整流二极管和功率二极管领域的市场份额?????? VF（正向电压）和IR（反向电流）是二极管的
[电源管理]Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay
[二极管]肖特基二极管的元件符号_肖特基二极管的优缺点
肖特基二极管的元件符号特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管符号及特性如下： 肖特基二极管的优缺点优点：肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以
[二极管]电路板怎么加肖特基二极管
以肖特基二极管SS14型为例，它的电流是1A电压是40V的肖特基二极管，此电路输入电压应该小于40V，可能为12V输入。肖特基二极管又称为快恢复二极管，特点是是工作速度快，电流大，但反向耐压小，具有单向导电性，最显著的特点为反向恢复时间极短，因此多用作高频、低压、续流二极管、保护二极管等场合。防输入反接保护电路一般是利用二极管的单向导电性或者利用MOS管，可以这样实现：1、利用二极管的单向导电性来实现防输入电压反接，这样的电路好简单，成本也比较低，但是会一点损耗，因为二极管有压降，SS14至少有0.2压降，不过还好，
[二极管]碳化硅肖特基二极管的优点及应用
碳化硅肖特基二极管的优点碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。其优点是：（1）碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。（2）碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基
[二极管]如何采用额外的肖特基二极管减少干扰
在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低端开关承载电流时的压降更低。 但是，与异步开关稳压器相比，同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图1中的两个理想开关同时导通，即使时间很短，也会发生从输入电压到地的短路。这会损坏开关。必须确保两个开关永远不会同时导通。因此，出于安全考虑，需要在一定时间内保持两
[二极管]肖特基二极管的作用及其接法
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管的作用 肖特基二极管的作用如下:肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳
[二极管]肖特基二极管与普通二极管的差别有哪些
1.电路中二极管的种类繁多，现在主要讲一下肖特基二极管与瞬态抑制二极管的作用与实际的电路连接。 2.肖特基二极管 肖特基二极管与普通二极管的差别如下 （1）减小功率 普通二极管在电流流过时，会产生0.7到1.7V的电压降。而肖特基二极管只有0.15到0.45V的电压降，可以提高效率。 （2）肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。 （3）肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。 典型应用电路 钳位
[二极管]STP20M100S肖特基二极管封装设计介绍
在设计中，肖特基二极管想必大家见到的很多了，这种二极管是用其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，因此在部分场合限制了其应用范围。 今天给大家介绍的这款肖特基二极管算是一款战斗机了，与数字电路中的不同，这款二极管型号为STP20M100S，导通电流高达20A，耐压达到100V，因此其封装也和传统的小型号二极管不同。可以应用在开关，SMPS，DCDC转换器，LED照明，笔记本设备适配器等多种场合。具有出色的效率和驱动大功率负载的能力。这款
[二极管]常规二极管与肖特基二极管之间的差异
简介： 本文分析常规二极管与肖特基二极管之间的差异，导通原理，反向截止原理。 专业术语：?? PosiTIve?electricity? ?正电荷 NegaTIve electricity?负电荷 普通的二极管，在正向电压突然产生翻转，变成反向电压时，由于电流需要对抗原先器件中电子分布，需要大概2us的时间，对于高频电路，二极管作用就会失效。 肖特基二极管和普通二极管之间的差别 响应时间大大缩减，时间可以到10ns，1us=1000ns，时间跟普通二极管进行对比，缩减了100 000 倍 常规二极管跟肖特基二极管响应对比 硅外界是4个电子，磷元
[二极管]基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1应用于1.3kW服务器电源
如图为1.3kW服务器电源电路框图，主功率框架包括EMI滤波、单相整流、PFC、半桥LLC以及同步整流等组成，输出12V电压;在PFC功率因数校正部分，第三代半导体碳化硅(SIC)二极管因具备正温度系数(易于并联)、反向恢复时间低、零反向恢复电流(开关损耗减小)的特点，对于服务器电源效率的提高极为重要，并已经广泛应用。 1.3kW服务器电源电路框图 这里主要介绍基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1应用于1.3kW服务器电源PFC电路的优势： 1、B2D20065HC1的反向电压为650V，针对220VAC整流输出电压在DC300V~400V的运用，其具有足够的
[二极管]肖特基二极管技术与结构
肖特基二极管由金属到N结构成，而不是由PN半导体结构成。肖特基二极管也称为热载流子二极管，其特点是开关时间快(反向恢复时间短)、正向压降低(金属硅结通常为0.25V至0.4V)和低结电容。 7.1肖特基二极管技术与结构 肖特基二极管的基本结构和技术可能看起来非常简单明了。虽然早期的肖特基二极管非常简单，但已经开发出基本技术，使小信号和功率整流二极管能够使用针对每种应用优化的技术。如今，许多二极管都包含保护环和其他改进要素，这些要素在很大程度上提高了各个领域的性能。 7.1.1基本肖特基二极管结构 肖特基二极管的基
[二极管]肖特基二极管B2D30065HC1可用于5G微基站电源
第5代通信技术5G频率越高，穿透和绕射能力会相对下降，信号智能直射传播，很多偏僻地方就会收不到信号，微基站很好弥补了这项缺陷。 微基站是一种从产品形态、发射功率、覆盖范围等方面都相比传统宏站小得多的低功率基站设备。微基站电源应用场景包括直流远供电源、光电一体箱供电、太阳能模块供电、智慧路灯电源等。由上图可以看出，此款电源产品主要由4个单元组成，其中通信模块和开关电源部分决定了5G微基站运行的可靠性。 开关电源部分： 由于基站供电多样性和复杂性，决定了微基站电源需要综合考虑不同输入兼容问题，其开关电源
[二极管]二极管的基础知识
1 什么是二极管 二极管由管芯、管壳和两个电极构成，管芯是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管。P型区引出的电极称为正极或阳极，N型区引出的电极称为负极或阴极，如图所示： N型半导体： 也称作电子型半导体，是自由电子浓度远大于空穴浓度的杂志半导体。 P型半导体： 也称空穴型半导体，是带正电的空穴为主的半导体。 二极管具有阳极和阴极两个端子，电流只能往单一方向流动。也就是说，电流可以从阳极流向阴极，而不能从阴极流向阳极。 二极管工作原理：
[二极管]肖特基二极管结构和内电路
肖特基二极管的内部结构 肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管如图 1所示，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图1所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端
[二极管]肖特基二极管的应用
肖特基二极管技术在高速计算机电路中得到了广泛的应用，其中快速开关时间相当于高速能力，而低正向压降相当于传导时的低功耗。 工作在100kHz的开关稳压电源不能使用传统的硅二极管作为整流器，因为它们的开关速度很慢当施加到二极管的信号从正向偏压变为反向偏压时，导通会持续很短的时间，同时载流子被扫出耗尽区仅在此反向恢复时间（trr）到期后才停止传导，肖特基二极管的反向恢复时间较短。 无论开关速度如何，硅二极管的0.7V正向压降都会导致低压电源的效率低下。这在10V电源中不是问题，在1V电源中，0.7V压降是输出的主要部分
[二极管]碳化硅肖特基二极管B2D10065Q推荐
在升压电源模块中，会用到肖特基二极管，但常规硅二极管一般耐压低、损耗大。要想实现更高的380V电压，硅二极管就不是很合适了。本文推荐国产厂家基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q。 升压原理的基本电路如下图所示，肖特基二极管应用位置已标注：B2D10065Q应用于28V升压到380V的升压电路中的主要特点如下： （1）耐压高 B2D10065Q的反向耐压650V，在380V的直流升压系统中有足够余量应对。 （2）损耗小 B2D10065Q的正向压降为1.29V，在380V时，损耗只有0.34%，进一步提高升压电源模块的效率。 （3）体积小 电源模块一般封装
[二极管]肖特基二极管整流器设计注意事项
肖特基二极管整流器具有许多优点，但在使用它们时，需要考虑许多设计注意事项。这些应该在正在进行的电路设计中得到承认。需要考虑的一些要点包括： 有限的反向电压：由于其结构，肖特基二极管整流器具有有限的反向电压能力。最大数字通常在 100 伏左右。如果器件的制造具有上述数字，则会发现正向电压将上升并等于或大于其等效的硅二极管，以实现合理的电流水平。 高反向漏电流：肖特基二极管整流器的反向漏电流比标准 PN?结硅二极管高得多。尽管这在某些设计中可能不是问题，但它可能会对其他设计产生影响。 有限的结温：肖特基
