[通用技术]SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因
品慧电子讯开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器件波形，为了得到正确的结论，获得精准的开关过程波形至关重要。 SiC MOSFET 相较于 Si MOS 和 IGBT 能够显著提高变换器的效率和功率密度，同时还能够降低系统成本，受到广大电源工程师的青睐，越来越多的功率变换器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 与 Si 开关器件的一个重要区别是它们的栅极耐压能力不同，Si 开关器件栅极耐
[互连技术]碳化硅功率晶体的设计发展及驱动电压限制
品慧电子讯当在音频范围内的频率下工作时，某些表面贴装电容器会表现出噪声。最近的设计使用10μF，35V X5R 1206陶瓷电容器，该电容器会产生明显的声音噪声。要使这样的板静音，可以使用Murata和Kemet等制造商的声学静音电容器。传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。但是采用超级结技术的高压功率晶体，其最大耐压都在 1000V 以下。如果要能够耐更高的
[贴片电容]碳化硅功率晶体的设计发展及驱动电压限制
作者：张家瑞、黄正斌、张哲睿，英飞凌科技应用工程师传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。但是采用超级结技术的高压功率晶体，其最大耐压都在1000V以下。如果要能够耐更高的电压，就必须采用碳化硅材料来制造功率晶体。以碳化硅为材料的功率晶体，在碳化硅的高临界电场强度之下，即使相同耐压条件之下，其磊晶层的厚度
[电路保护]IGBT模块的作用
中心议题： 探讨IGBT模块的作用解决方案： 对散热风扇应定期进行检查 在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器1 IGBT模块简介IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广
