[集成电路]缓冲电路的基本结构_缓冲电路工作原理
缓冲电路的概念缓冲电路（SnubberCircuit）又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件（如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的应用技术中，起着更重要的作用。 缓冲电路的基本结构缓冲电路的功能有抑制和吸收两个方面，因此图1（a）是这种电路的基本结构，串联的LS用于抑制di/dt的过量，并联的CS用于吸收器件上的过电压，即器件在关断时CS通过快速二极管DS充电，吸收器件上出现的过电压能量，由于电容电压不会跃变，限制了重加dv/dt。当器件开通时CS上的能量经RS泄放
[二极管]LM336-5.0基准二极管输出电压的调节
今天和大家分享的是一个基准二极管，输出电压可以调节。实物图： 这个管子输出4V-6V，一般输出5V场景较多使用，具有较低的温度系数，0.6欧姆的动态电阻，合理的温度稳定性，而且开通快，三引脚直插封装和SOIC-8表贴封装可选。LM336-5.0的工作温度在0到70度。 TO-92封装： 当输入电压时，输入和输出相应图形如下： 可以看出上图中下面输入部分（INPUT）是方波，二极管的输出稳定是有10us左右的延时才能稳定，这是25度情况下的测试。使用注意事项：? ? ? LM336-5.0这一系列的芯片，调节电压基准功能比普通二极管使用更为
[电源管理]如何在设计GTO逆变器时合理设计缓冲电路参数
品慧电子讯缓冲电路参数值直接影响GTO的关断性能及整个GTO逆变器的工作性能。因此如何在设计GTO逆变器时合理设计缓冲电路参数，便成为重要的问题。1 引言缓冲电路参数值直接影响GTO的关断性能及整个GTO逆变器的工作性能。因此如何在设计GTO逆变器时合理设计缓冲电路参数，便成为重要的问题。本文通过对GTO关断过程中阳极电流与阳极电压波形的分析，提出并论证了GTO阳极电流波形与缓冲电路参数无关、缓冲二极管的反向恢复过程与缓冲电路参数无关的论点。在此基础上，提出了一种简便
[互连技术]使用缓冲电路的晶闸管
品慧电子讯缓冲电路是吸收能量搞得电路，用于舒缓因电路电感造成的电压尖峰。有时候，因为过流，过压以及过热，元器件会出现损坏。而过流保护的电路我们有保险丝，过热有散热器或风扇。缓冲电路是吸收能量搞得电路，用于舒缓因电路电感造成的电压尖峰。有时候，因为过流，过压以及过热，元器件会出现损坏。而过流保护的电路我们有保险丝，过热有散热器或风扇。缓冲电路则用于限制电压或电流的改变速率（di/dt 或 dv/dt）以及电路开关时的过压。缓冲电路是电阻与电容的串联，然后与
[互连技术]采用去耦和不采用去耦缓冲电路差异
品慧电子讯会不会总是需要使用去耦电容器？它的作用到底是什么？要回答这个问题，需要考证在不使用去耦器件时会出现什么问题。图 1 为带去耦电容器和不带去耦电容器（C1 和C2）情况下用于驱动 R-C 负载的缓冲电路。我们注意到，在不使用去耦电容器的情况下，电路的输出信号包含高频 (3.8MHz) 振荡。图 1 为带去耦电容器和不带去耦电容器（C1 和C2）情况下用于驱动 R-C 负载的缓冲电路。我们注意到，在不使用去耦电容器的情况下，电路的输出信号包含高频 (3.8MHz) 振荡。对于没有去耦电容器的放大器而言，通常会出现稳定性低、瞬态响应
[集成电路]缓冲电路的基本结构_缓冲电路工作原理
缓冲电路的概念缓冲电路（SnubberCircuit）又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件（如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的应用技术中，起着更重要的作用。 缓冲电路的基本结构缓冲电路的功能有抑制和吸收两个方面，因此图1（a）是这种电路的基本结构，串联的LS用于抑制di/dt的过量，并联的CS用于吸收器件上的过电压，即器件在关断时CS通过快速二极管DS充电，吸收器件上出现的过电压能量，由于电容电压不会跃变，限制了重加dv/dt。当器件开通时CS上的能量经RS泄放
[电容器]电容效应于二极管的作用是什么？电容缓冲电路该如何设计？
什么是二极管的电容效应？二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。1．势垒电容CB（Cr）PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容“放电”，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容“充电”。这种现象可以用一个电容来模拟，称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处，在于它的
[电容器]基于IGBT的缓冲电路怎样选择电容？电容大小不同导线该如何选择？
不同的电容该如何选择导线？我们就来具体介绍一下。绝缘导线是指在导线外围均匀而密封地包裹一层不导电的材料，如：树脂、塑料、硅橡胶、PVC等，形成绝缘层，防止导电体与外界接触造成漏电、短路、触电等事故发生的电线叫绝缘导线。 导线根据其截面面积可分为2.5、4、6、10、16、25、35、50、70、95、120、150、185平方毫米等规格，不同截面的导线所能承受的电流值是不相同的，我们可以通过以下公式，来计算出电流值，再根据表1对照选择合适截面面积的导线。I=Q/1.732UI---电流 Q---电容容量 U---电压表1 不同规格绝缘BV线的
[EMI/EMC]开关电源抑制传导性电磁干扰的设计与仿真
本文根据开关电源在开关快速开关的过程中存在dvΠdt效应和传导性辐射的情况，提出一种开关电源抑制传导性电磁干扰的缓冲电路设计方法。仿真研究证明了这种缓冲电路在抑制传导性电磁干扰的有效性。1 引 言电磁干扰EMI就是电磁兼容不足,是破坏性电磁能从一个电子设备通过辐射或传导传到另一个电子设备的过程。传导性(conducted)EMI是EMI的一种重要形式，它是射频能量通过发射形成传播波，一般通过电线或内部连接电缆，以传播波形式传播。近年来,电子设备的EMI的抑制已成为人们关注的焦点，开关电源是当前市场上一种颇受欢迎的电源，具有体积
[电路保护]行家指点迷津：精准选择电动汽车的IGBT缓冲电路
电动汽车已经凭借方便快捷的优势进入了千家万户。但是电动汽车能源问题依旧没有解决。本文就由行家为我们指点迷津，精准选择电动汽车DC-DC变换器缓冲器，看看电动汽车变换器应该选择什么样的IGBT缓冲电路更合适。 首先必须明确的一点是，电动汽车的电路设计与传统的汽车电路设计有很大的差异。在实际的电动驱动型电路连线中，电路的输入回路至开关管IGBT的集电极和发射极之间的导线上存在一定的杂散电感，当开关管关断期间，电流将迅速减小至零，产生很大的di/dt，因此，在杂散电感上会产生很高的电压，这个电压加在IGBT的集电极和发射极上
[EMI/EMC]如何应用电压缓冲电路降低辐射干扰
品慧电子讯要降低辐射干扰，可以应用电压缓冲电路，如在开关管两端并联ROD缓冲电路，或电流缓冲电路，如在开关管的集电极上串联20～80μH的电感。开关管的集电极是一个强干扰源9开关管的散热片应接到集电极上，以确保集电极与散热片之间由于分布电容而产生的电流流入主电路中。为了减小散热片和机壳之间的分布电容，散热片应尽量远离机壳，如有条件的话可以采用有屏蔽措施的散热片。整流二极管应采用恢复电荷小，且反向恢复时间短的二极管，如肖特基二极管，最好是选用反向恢复为软特性的二极管。另外,在肖特基管两端套上磁珠和并联RC吸
[电源管理]利用实测GTO阳极电流波形设计逆变器缓冲电路
中心议题： 利用阳极电流波形对阳极电压波形仿真的前提条件 阳极电压波形仿真1 引言缓冲电路参数值直接影响GTO的关断性能及整个GTO逆变器的工作性能。因此如何在设计GTO逆变器时合理设计缓冲电路参数，便成为重要的问题。本文通过对GTO关断过程中阳极电流与阳极电压波形的分析，提出并论证了GTO阳极电流波形与缓冲电路参数无关、缓冲二极管的反向恢复过程与缓冲电路参数无关的论点。在此基础上，提出了一种简便、实用的缓冲电路参数优化设计方案。可根据对GTO装置性能的具体要求确定GTO缓冲电路元件最优参数。在对GTO关断过程中阳极
[电源管理]利用实测GTO阳极电流波形设计逆变器缓冲电路
中心议题： 利用阳极电流波形对阳极电压波形仿真的前提条件 阳极电压波形仿真1 引言缓冲电路参数值直接影响GTO的关断性能及整个GTO逆变器的工作性能。因此如何在设计GTO逆变器时合理设计缓冲电路参数，便成为重要的问题。本文通过对GTO关断过程中阳极电流与阳极电压波形的分析，提出并论证了GTO阳极电流波形与缓冲电路参数无关、缓冲二极管的反向恢复过程与缓冲电路参数无关的论点。在此基础上，提出了一种简便、实用的缓冲电路参数优化设计方案。可根据对GTO装置性能的具体要求确定GTO缓冲电路元件最优参数
[电源管理]开关电源中RC缓冲电路的设计
中心议题： RC缓冲电路设计 带RC缓冲的正激变换器主电路设计解决方案： 电容C限制了集电极电压的上升速度 电容C的大小不仅影响集电极电压的上升速度，而且决定了电阻R上的能量损耗在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰电压过高，就会损坏开关管。同时，振荡的存在也会使输出纹波增大。为了降低关断损耗和尖峰电压，需要在开关管
