[电源管理]纳微半导体3.3kV碳化硅MOSFETs如何变革并网储能方式
【导读】电网通过输电和配电网络从发电机向用户提供电能。在美国，由于储能成本高昂并且设计和运营经验有限，利用电力储存来支持和优化输配电一直受到限制。然而，最近储能和电力技术的改进，加上市场环境的变化，预示着电力储存领域的机遇将不断扩大的时代即将到来。 采用全碳化硅的逆变器将彻底改变电力传输、可再生能源和储能的集成方式 电网通过输电和配电网络从发电机向用户提供电能。在美国，由于储能成本高昂并且设计和运营经验有限，利用电力储存来支持和优化输配电一直受到限制。然而，最近储能和电力技术的改进，加上市场环境的
[电源管理]低损耗、高结温！基本半导体混合碳化硅分立器件性能优势介绍
【导读】IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管（FWD）构成，续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料，按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管（SBD）。材料与结构两两组合就形成了4种结果：硅PIN二极管、碳化硅 PIN二极管、硅肖特基二极管、碳化硅肖特基二极管。在本篇文章中我们将重点阐述碳化硅肖特基二极管作为续流二极管的混合碳化硅分立器件（后文简称为混管）的特性与优点。 目前市面上主流的IGBT产品其续流二极管为快恢复二极管（FRD），是上文提到的硅PIN二极管的一种，因此混管使用的碳化硅SBD与硅FRD在材料和结构上
[电源管理]一文读懂碳化硅设计中的热管理
【导读】随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案，碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料变得越来越流行，特别是在一些具有挑战性的应用领域，如汽车驱动系统、直流快速充电、储能电站、不间断电源和太阳能发电。 这些应用有一点非常相似，它们都需要逆变器（图 1）。它们还需要紧凑且高能效的轻量级解决方案。就汽车而言，轻量化是为了增加续航里程，而在太阳能应用中，这是为了限制太阳能设备在屋顶上的重量。 图 1.典型的 EV 动力总成，其中显示了逆变器 半导体损耗 决定逆变器效率的主要因素之一是所使用的半导体器件（IGBT / MOSFET）
[电源管理]满足市场对下一代碳化硅器件的需求
【导读】一些新出现的应用使地球的未来充满了激动人心的可能性，但同时也是人类所面临的最大技术挑战之一。例如，虽然太阳能可以提供无限的能源，但要想成功商业化，设计人员必须提供更高的功率和效率，同时不增加成本或尺寸。在汽车领域，目前电动汽车 (EV) 已经非常普及，但由于人们担心可用充电基础设施、充电所需时间和续航里程有限等问题，电动汽车的普及仍然受到了限制。在这种情况下，设计人员面临的挑战包括如何提高电气效率、优化动力总成的尺寸和重量，包括主驱逆变器和车载充电器 (OBC) 等元件，并不断降低成本。碳化硅器件的优
[电源管理]通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统
【导读】电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统(BESS)的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。 电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统(BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFE
[通用技术]有效测量碳化硅信号
【导读】碳化硅（SiC）技术已超越传统的硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）应用，因为它具有大功率系统的主要热和电气优势。这些优势包括更高的开关频率、更高的功率密度、更好的工作温度、更高的电流/电压能力以及整体更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的组件和模块，作为系统升级和系统设计的新选择。 碳化硅（SiC）技术已超越传统的硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）应用，因为它具有大功率系统的主要热和电气优势。这些优势包括更高的开关频率、更高的功率密度、更好的工作温度、更高的电流/电压能力以及整体更好的可靠性
[互连技术]集创北方耿俊成：硅基OLED显示接近4K PPI，是未来VR/MR最佳技术路线
【导读】2023第六届中国（国际）Micro LED显示技术和产业发展大会在江西新余开幕，集创北方副总裁耿俊成受邀出席大会并发表了“Mini LED驱动发展现状及Micro LED技术路线”的主题演讲，从产业链中的关键一环——驱动IC技术角度，集中阐释了公司在新型显示领域的技术积累和行业贡献。 10月26日，2023第六届中国（国际）Micro LED显示技术和产业发展大会在江西新余开幕，集创北方副总裁耿俊成受邀出席大会并发表了“Mini LED驱动发展现状及Micro LED技术路线”的主题演讲，从产业链中的关键一环——驱动IC技术角度，集中阐释了公司在新型显示
[互连技术]通过碳化硅 TOLL 封装开拓人工智能计算的前沿
【导读】近些年来，人工智能（AI）的蓬勃发展推动了芯片组技术的新进步。与传统 CPU 相比，现在的芯片组功能更强大，运行更高效，但功率消耗也更高。功率消耗的急剧攀升为系统设计人员带来了难题，他们正在努力设计既能在更小的空间内提供更大功率，又能保证效率和可靠性的电源。Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富，提供优异的散热，极大简化了热管理。近些年来，人工智能（AI）的蓬勃发展推动了芯片组技术的新进步。与传统 CPU 相比，现在的芯片组功能更强大，运行更高效，但功率消耗也更高。功率消耗的急剧攀升为系
[光电显示]国科光芯：专注氮化硅硅光技术，探索硅光产业发展新路径
【导读】访谈背景：国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）创立于2019年4月，总部位于浙江海宁，是一家集材料工艺、芯片设计、集成封装、光电子器件、应用算法、系统集成等综合能力为一体的国家高新技术企业。国科光芯以“为同行者掌灯”为使命，致力于成为全球领先硅光芯片技术及整体解决方案公司。 作为国内为数不多具备完整工艺能力的基于氮化硅（SiN）的硅光芯片企业，国科光芯以超低损耗氮化硅材料为基础，目前已成功开发出窄线宽和可调谐相干光源、FMCW激光雷达光引擎等芯片及应用产品，可广泛应用于激光雷达（LiDAR）
[RF/微波]硅基氮化镓在射频市场的应用日益广泛
【导读】氮化镓技术将继续在国防和电信市场提供高性能和高效率。射频应用目前主要是碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件。虽然硅基氮化镓（GaN-on-Si）目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位，但它的出现将影响供应链，并可能影响未来的电信技术。氮化镓技术将继续在国防和电信市场提供高性能和高效率。射频应用目前主要是碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件。虽然硅基氮化镓（GaN-on-Si）目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位，但它的出现将影响供应链，并可能影响未来的电信技术。1990年代，美国国防部认识到，与InP、GaAs HBT、GaAs
[电路保护]如何利用碳化硅打造下一代固态断路器
【导读】如今，碳化硅 (SiC) 器件在电动汽车 (EV) 和太阳能光伏 (PV) 应用中带来的性能优势已经得到了广泛认可。不过，SiC 的材料优势还可能用在其他应用中，其中包括电路保护领域。本文将回顾该领域的发展，同时比较机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器 (SSCB) 的优缺点。最后，本文还将讨论为什么 SiC 固态断路器日益受到人们青睐。 保护电力基础设施和设备 输配电系统以及灵敏设备都需要妥善的保护，以防因为长时间过载和瞬态短路情况而受到损坏。随着电力系统和电动汽车使用的电压越来越高，可能的最大故障电流也比以往任何
[电路保护]氮化镓取代碳化硅，从PI开始？
【导读】在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。 在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量
[电源管理]1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何应对持续挑战？
【导读】SiC 等宽禁带 (WBG) 器件对于当今汽车和可再生能源等应用至关重要。随着我们的世界逐渐转向使用可持续能源（主要是电力），能效比以往任何时候都更重要。提高开关模式能效的方法之一是降低铜损和开关损耗。然而，为了应对这一挑战，直流母线电压不断上升，半导体技术必须发展以跟上步伐。这些技术对企业实现碳减排承诺至关重要。在本文中，安森美(onsemi)将探讨下一代 SiC 器件如何演进以应对最新应用的挑战，本文还将阐释稳健的端到端供应链对于确保持续成功的重要性。 在众多应用领域，有诸多不同因素正在推动技术加速发展。以工
[电源管理]碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率
【导读】全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%。太阳能将占到这 95% 中的一半以上。 如今，在远大的清洁能源目标和政府政策的驱动下，太阳能、电动汽车 (EV) 基础设施和储能领域不断加快采用可再生能源。可再生能源的逐渐普及也为在工业、商业和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。 SiC 相比传统基于 IGBT 的电源应用在可再生能源系统中的优势 SiC 电源开关和绝
[电源管理]具有更高效率与优势的碳化硅技术
【导读】碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的SiC电源解决方案。 大幅降低储能系统成本与提升效率的SiC技术 当前的SiC技术已经相当成熟，可以适用在从千瓦到兆瓦功率的工业应用范围中，影响了能源、工业和汽车等众多领域。由于SiC器件运作时的温度较低，及较小的磁性器件，因此
[互连技术]安森美与博格华纳扩大碳化硅战略合作， 协议总价值超10亿美元
【导读】智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方已在广泛的产品领域开展战略合作，其中即包括EliteSiC器件。博格华纳将集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模块中，用于主驱逆变器解决方案，以提高电动汽车的性能Viper 800V碳
[RF/微波]硅麦音频放大电路
【导读】昨天讨论并测试了对于英飞凌的模拟接口硅麦的放大电路，?并利用LTspice进行了仿真测试，?可以看到它能够比较好的满足对硅麦音频放大的需要。? 但昨天博文中的电路有两点缺陷，??一个就是当放大信号比较大的时候，单管放大电路会出现比较大的失真。?第二个就是昨天给出的电路图中存在一个小的BUG，?当时这个R1忘记在电路图中给绘制出来，?但在后面的仿真电路中是标明的。 01 硅麦音频放大 一、简介??昨天讨论并测试了对于英飞凌的模拟接口硅麦的放大电路，?并利用LTspice进行了仿真测试，?可以看到它能够比较好的满足对硅麦音频放
[电源管理]纬湃科技和安森美签署碳化硅长期供应协议，共同投资于碳化硅扩产
【导读】2023年6月1日 - 纬湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）今天宣布了一项价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅产品10年期供应协议，以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬湃科技是国际领先的现代驱动技术和电气化解决方案制造商，将向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的投资，用于采购碳化硅晶锭生长、晶圆生产和外延的新设备，以提前锁定碳化硅的产能。这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端到端的碳化硅供应链。
[传感技术]“芯片翻盘大师”，美国“硅仙人” 的传奇之路
“芯片翻盘大师”，美国“硅仙人” 的传奇之路 这位老哥，Jim Keller（吉姆·凯勒），芯片界的传说，太过传奇就成传说了图片来源：芯八哥看看，还有比这更牛的经历吗？这随便一条塞进我们的简历，我们都能横着走了，他究竟是怎样做到的呢？世界上本没有那么多出道即巅峰的爽文剧本，Jim Keller拿到的剧本也是。在硕士满地跑，博士一大堆的EE领域，只拿着宾夕法尼亚州立大学电子工程学士学位的Jim Keller 毕业后还是要老老实实搬砖。毕业后，Jim Keller
[传感技术]LamResearch推出SyndionGP深硅蚀刻技术使下一代功率器件成为可能
全球供应商在半导体行业创新晶圆制造设备和服务LamResearchCorporation最近宣布推出SyndionGP，这是一个新产品，允许芯片制造商蚀刻技术开发下一代电源设备和电源管理的新产品IC。对大功率设备的需求正在增加，包括汽车、工业、数据中心和能源行业。目前，功率器件必须满足高效率、高功率密度、低功耗和优良的热管理的严格要求。为了成功地应对这些挑战，在ADS7824PB芯片制造过程中需要比结构更高的跨晶圆均匀性。这些先进的设备结构可以通过使用非常精确和均匀的深硅蚀刻工艺来实现，而不影响所需的外观尺寸。芯片制
