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[传感技术]全新一代混合信号LED照明驱动控制器

英飞凌AC-DC LED 驱动控制芯片,分为两大类别:数字控制器XDPL系列,针对高性能需求设计;混合信号控制器ICL系列,针对更高性价比需求场合。跟市场上其他方案相比,ICL88xx具明显优势:满足最新IEC61000-3-2谐波要求及欧盟ERP2019年后的新标准要求;动态响应快;满足智能照明要求的低功耗;支持应急照明设计;支持小型化高功率密度设计。ICL88xx全系列高度集成AC-DC LED驱动ICs,支持功率可达150W,非常适合中小功率LED驱动电源设计,以及其他需要高PF或低待机功耗的应用领域。一、ICL88xx功能描述1. ICL88xx系统概述

[传感技术]可穿戴设备的无线充电功能解决方案

  可穿戴设备正作为电子元件的一个重要市场领域而迅速兴起。 这类设备的一个关键要求就是便利性,不仅表现在能够访问移动物体上的数据方面,而且还能确保电池每天都有足以持续一整天的续航时间。  如果用户必须插入设备使其整夜充电,那么有些时候就很有可能忘记充电,睡醒后才发现设备在接下来的一天时间里将无法使用。 无线充电功能为电子设备带来一种更便捷的充电方式。 进行无线充电时只需将电子设放到充电垫上,无需在待充电设备中插入微型 USB或类似电缆,而且用户可以把充电垫放在容易够到的地方。 如果无

[传感技术]可穿戴设备的无线充电功能解决方案

  可穿戴设备正作为电子元件的一个重要市场领域而迅速兴起。 这类设备的一个关键要求就是便利性,不仅表现在能够访问移动物体上的数据方面,而且还能确保电池每天都有足以持续一整天的续航时间。  如果用户必须插入设备使其整夜充电,那么有些时候就很有可能忘记充电,睡醒后才发现设备在接下来的一天时间里将无法使用。 无线充电功能为电子设备带来一种更便捷的充电方式。 进行无线充电时只需将电子设放到充电垫上,无需在待充电设备中插入微型 USB或类似电缆,而且用户可以把充电垫放在容易够到的地方。 如果无

[传感技术]可穿戴设备的无线充电功能解决方案

  可穿戴设备正作为电子元件的一个重要市场领域而迅速兴起。 这类设备的一个关键要求就是便利性,不仅表现在能够访问移动物体上的数据方面,而且还能确保电池每天都有足以持续一整天的续航时间。  如果用户必须插入设备使其整夜充电,那么有些时候就很有可能忘记充电,睡醒后才发现设备在接下来的一天时间里将无法使用。 无线充电功能为电子设备带来一种更便捷的充电方式。 进行无线充电时只需将电子设放到充电垫上,无需在待充电设备中插入微型 USB或类似电缆,而且用户可以把充电垫放在容易够到的地方。 如果无

[互连技术]自适应负载调整和动态功率控制实现模拟输出的高效散热设计

品慧电子讯当今典型的可编程逻辑控制器(PLC)包含许多模拟和数字输出,用来控制和监视工业及生产过程。模块化被广泛采用,并且在输入和输出(I/O)方面,它涵盖了模拟I/O和数字I/O的基本功能。模拟输出提出了一个特殊的挑战(如图1所示),因为需要在众多不同负载条件下提供高精度的有源驱动设定值。有源驱动器级此时变得尤为重要;损耗应尽量小。需要考虑的因素如下:● 连接的负载● 允许的最高环境温度和内部模块温度● 通道数和模块尺寸● 电气隔离接口● 精度在过程自动化中,通常还需要在各个输出通道之间建立电气隔离。除此

[电路保护]Diodes推出负载开关 提供精准系统功率调整

近日,Diodes公司宣布推出负载开关AP22800,该负载开关具有可编程软启动功能及放电率的5V单通道。这款配备超低导通电阻的N通道开关可降低电压降和功耗,以及处理6.0A的连续电流,从而为超极笔记本和平板电脑加强系统功率控制。新负载开关易於编程,分别利用外部电容器及外部电阻器来设定启动功能和放电率。器件还具备开漏极电源良好输出的标志,因此当输出电压已达到目标值时会显示出来。AP22800提供从1.5V到5V的电压工作范围,能够灵活支持1.8V、2.5V、3.3V和5V系统电源轨。器件的静态电流低至21μA,非常适合注重电源节能保护的电池供电

[电路保护]Littelfuse将于2014德国慕尼黑电子展推出 新电路保护、功率控制和传感技术

品慧电子讯Littelfuse宣布将于11月11日至14日在2014德国慕尼黑电子展上展示其最前沿的电路保护技术,包括半导体产品的一整套产品组合。(A6馆,250号展位;B1馆,235号展位)。Littelfuse公司将展示新技术、趋势和关键器件以及当前和未来行业在不同市场中的需求,这些市场包括电能、消费电子、汽车、商用车辆和工业设备。公司也在迅速向相邻市场中扩展,比如功率控制和传感平台、高负载商用车辆开关和用于汽车工业中的机电传感器。在B5馆的参展商论坛,Littelfuse公司将带来两场讲座:●Littelfuse公司全球技术总监Brian Johnson博士在11月

[电路保护]隔离式交流电线性功率控制

隔离式交流电使用有源器件(例如MOSFET)的线性区域进行功率控制并不是有效的解决方案。但如果功率控制被限制在控制范围的低位或高位部分,那么使用线性区域却是个不错的选择。使用有源器件(例如MOSFET)的线性区域进行功率控制并不是有效的解决方案。但如果功率控制被限制在控制范围的低位或高位部分,那么使用线性区域却是个不错的选择。例如,如果我们希望将45W电烙铁的功率控制在35W至45W之间,则一个有源器件将消耗约0.1W~4W的电量。图1中所显示的电路正是基于这一点开发出来的。图1:基于有源器件的线性区域进行功率控制。在这个电路当

[通用技术]意法半导体(ST)巩固在能效功率控制市场的领导地位

新闻事件: ST巩固在能效功率控制市场的领导地位事件影响: 是节能技术领域的一次巨大飞跃 减少封装尺寸,降低材料(BOM)成本横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上,对于以热量形式损耗电能的系统

[通用技术]先进功率控制助力耳机放大器延长播放时间

产品特性: 电源电压:2.3V至5.5V 全差分输入 电流和温度监控器适用范围: 手机 便携式导航设备 媒体和音乐播放器奥地利微电子的AS3560和AS3561立体声耳机放大器使用动态功率控制技术,使移动电话和媒体播放器等便携设备的播放时间更长。新型30mW耳机放大器可根据输入信号幅度连续调整对应的供电电压,与传统A/B类放大器相比,功耗显著降低。AS3560是一款G类放大器,而AS3561采用更高效的H类拓扑。AS3560 G类放大器可根据输入信号的幅度在3个供电电压之间进行自动切换,而H类放大器AS3561可将供电电压调整到驱动耳机输出

[生产测试]RF中稳定闭环自动功率控制设计

中心议题: 探究RF中稳定闭环自动功率控制设计解决方案: 利用一个VGA和一个对数检波器提供闭环自动功率控制 ADL5330 VGA可以用AD8368VGA代替电路功能与优势本文所述电路利用一个VGA(ADL5330)和一个对数检波器(AD8318)提供闭环自动功率控制。由于AD8318具有较高的温度稳定性,而且AD8318 RF检波器可确保ADL5330 VGA的输出端具有同样水平的温度稳定性,因此该电路在整个温度范围都能保持稳定。该电路还增加了对数放大器检波器,用来将ADL5330从开环可变增益放大器转换为闭环输出功率控制电路。AD8318与ADL5330一样,具有线性dB传递

[光电显示]意法半导体(ST)巩固在能效功率控制市场的领导地位

新闻事件:ST巩固在能效功率控制市场的领导地位事件影响: 是节能技术领域的一次巨大飞跃 减少封装尺寸,降低材料(BOM)成本横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率

[RF/微波]RF中稳定闭环自动功率控制设计

中心议题: 探究RF中稳定闭环自动功率控制设计解决方案: 利用一个VGA和一个对数检波器提供闭环自动功率控制 ADL5330 VGA可以用AD8368VGA代替电路功能与优势本文所述电路利用一个VGA(ADL5330)和一个对数检波器(AD8318)提供闭环自动功率控制。由于AD8318具有较高的温度稳定性,而且AD8318 RF检波器可确保ADL5330 VGA的输出端具有同样水平的温度稳定性,因此该电路在整个温度范围都能保持稳定。该电路还增加了对数放大器检波器,用来将ADL5330从开环可变增益放大器转换为闭环输出功率控制电路。AD8318与ADL5330一样,具有线性dB传递

[电源管理]意法半导体(ST)巩固在能效功率控制市场的领导地位

新闻事件: ST巩固在能效功率控制市场的领导地位事件影响: 是节能技术领域的一次巨大飞跃 减少封装尺寸,降低材料(BOM)成本横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上,对于以热量形式