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[互连技术]面向GaN功率放大器的电源解决方案

【导读】RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术,有时设计具有一定挑战性;但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文,了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。 RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术,有时设计具有一定挑战性;但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文,了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。 如今,电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面

[光电显示]设计一款具有过温管理功能的USB供电RF功率放大器

【导读】国际电信联盟(ITU)将433.92 MHz工业、科学和医学(ISM)频段分配给1区使用,该区域在地理上由欧洲、非洲、俄罗斯、蒙古和阿拉伯半岛组成。尽管最初旨在用于无线电通信之外的应用,但多年来无线技术和标准的进步使得ISM频段在短距离无线通信系统中颇受欢迎。 国际电信联盟(ITU)将433.92 MHz工业、科学和医学(ISM)频段分配给1区使用,该区域在地理上由欧洲、非洲、俄罗斯、蒙古和阿拉伯半岛组成。尽管最初旨在用于无线电通信之外的应用,但多年来无线技术和标准的进步使得ISM频段在短距离无线通信系统中颇受欢迎。 ITU1 区的运营商无需

[RF/微波]pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案

【导读】假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件,其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而,如果栅极和漏极偏置时序不正确,漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压,并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。 引言 图1显示了耗尽型pHEMPT RF放大器的简化框图。流经器件

[传感技术]OPA569 是轨到轨 I/O、2A 功率放大器

产品详情描述:OPA569 是一款低成本、高电流、运算放大器,专为在低压电源下工作时驱动各种负载而设计。它采用单电源或双电源供电以实现设计灵活性,并在输入和输出上具有轨到轨摆幅。典型输出摆幅在电源轨的 150mV 范围内,输出电流为 2A。更轻的负载可以实现更接近轨道的输出摆幅。OPA569 单位增益稳定,直流误差低,易于使用,并且不存在某些ADS7800KP功率放大器中存在的相位反转问题。在输出轨附近的电压摆幅下保持高性能。OPA569 提供精确的用户选择电流限制,该电流限制通过外部电阻器设置,或通过数模转换器

[传感技术]常见的声频数据功率放大器芯片是什么?

功率放大器芯片是指具有功率放大功能的芯片。NTP8835:最常用的功率放大器芯片之一,适用于单声道,不仅具有音色醇正功率大的优点,而且具有完整的保护电路。如果您想了解更多关于功率放大器芯片的信息,您可以查看与功率放大器芯片相关的产品datasheet,更多产品信息,如价格、样品等。现在电路离不开AD5262BRUZ20功率放大器,那么功率放大器芯片实际上是什么意思呢?功率放大器芯片是指具有功率放大功能的芯片。简单地说,它是电压或电流放大。功率放大器规定了一定的无损功率,通常在大信号条件下工作。因此,功率放

[传感技术]防破音立体声D类音频功率放大器

音频功率放大器是组成音频系统的核心器件,其功能为放大来自音源或前级放大器输出的弱信号,并驱动扬声器、发射换能器等播放设备发出声音。由于播放设备对播放效果有着较高的要求,音频功放必须具有效率高、保真度高、功耗低、可靠性高等特性。  由工采网代理的韩国NF-NTP8835防破音立体声D类音频功率放大器,支持32bit/192kHz的采样率;同时强大的DSP处理能力和专业级的算法,使DSP数字音频处理能力非常强大,无论是主动分频的全频段频点可选,三种分频类型最高可达48dB/Oct.的衰减斜率;

[传感技术]辽宁省检验检测认证中心购置恒温槽、热工仪表校验仪、高频功率放大器、罐容测量全站仪招标公告

一、项目基本情况 项目编号:JH22-210000-18817 项目名称:辽宁省检验检测认证中心购置恒温槽(微型恒温槽、带制冷微型恒温槽)、热工仪表校验仪、高频功率放大器、罐容测量全站仪 包组编号:001 预算金额(元):277,000.00 最高限价(元):277,000 采购需求:查看 合同履行期限:微型恒温槽及热工仪表校验仪合同生效后2个月货到安装完毕并验收合格,带制冷微型恒温槽合同生效后3个月货到安装完毕并验收合格 需落实的政府采购政策内容:小微企业(含监狱企业)、残疾人就业政府采

[传感技术]如何使用功率放大器模块来帮助未来的5G基础设施

使用功率放大器模块(PAM)解决这个问题。5G它是迄今为止无线通信市场行业最重要的强大技术之一。在这篇博文中,我们将讨论功率放大器和5G中的作用,及其Qorvo如何使用功率放大器模块来帮助应用未来的5G基础设施。许多射频设计师都是对的FranklinDouglass名言有同感:“没有斗争就没有进步。”要为5G尤其是在设计的时候。技术有望改变无线通信,但也会带来设计问题。使用功率放大器模块(PAM)解决这个问题。以下是你需要知道的一切。5G它是迄今为止无线通信市场行业最重要的强大技术之一。G相比,5G数据速率、延迟和容量

[传感技术]贸泽开售Qorvo QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器

提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo? QPA1724 Ku/K波段氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA)。该产品功率可达同类PA的两倍,并且能够提供出色的宽带线性功率、增益和功率附加效率 (PAE),具备非常出色的RF性能。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202209/438137.htm贸泽分销的Qorvo QPA1724是一款针对17.3GHz至21.2GHz (Ku/K) 卫星通信波段的高功率MIMIC放大器,其饱和输出功率为20W(约43dBm),小信号增益为25dB,功率附加效率为27%。

[传感技术]贸泽开售Qorvo QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器 为卫星通信提供优化解决方案

2022年9月13日 – 提供超丰富半导体和电子元器件?的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo? QPA1724 Ku/K波段氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA)。该产品功率可达同类PA的两倍,并且能够提供出色的宽带线性功率、增益和功率附加效率 (PAE),具备非常出色的RF性能。?贸泽分销的Qorvo QPA1724是一款针对17.3GHz至21.2GHz (Ku/K) 卫星通信波段的高功率MIMIC放大器,其饱和输出功率为20W(约43dBm),小信号增益为25dB,功率附加效率为

[传感技术]贸泽备货Qorvo QPA1314T 55 W GaN功率放大器

专注于引入新品并提供海量库存?的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo?的QPA1314T 功率放大器 (PA)。QPA1314T采用Qorvo的0.15um?碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 工艺 (QGaN15) 制造,并安装在高导热垫片上,是一款大功率MMIC放大器,非常适合商业和国防射频通信应用。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202209/438574.htm贸泽备货的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的扩展频率范围,并在13.75至14.5GHz的标准范围内实现55W的饱和输出功率。该器件在输入和输出端口上集成了隔

[传感技术]贸泽备货Qorvo QPA1314T 55 W GaN功率放大器 满足射频卫星通信需求

专注于引入新品并提供海量库存?的电子元器件分销商贸泽电子?(Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo?的QPA1314T?功率放大器 (PA)。QPA1314T采用Qorvo的0.15um?碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 工艺 (QGaN15)?制造,并安装在高导热垫片上,是一款大功率MMIC放大器,非常适合商业和国防射频通信应用。?贸泽备货的Qorvo QPA1314T?PA具有12.75至15.35GHz的扩展频率范围,并在13.75至14.5GHz的标准范围内实现55W的饱和输出功率。该器件在输入和输出端口上集成了隔直电容器,并

[传感技术]Diodes公司推出符合汽车规格的精密功率放大器,提供宽动态范围与低噪声作业

Diodes 公司?(Diodes)近日推出两款针对不同讯号频率状况的精密功率放大器?(op-amps),解决现代汽车设计中进阶讯号调节的需求。DIODES? AS2376Q?低讯噪比特性表示其在高频使用上已进行优化,例如车载充电器?(OBC)、DC-DC 转换器、电池管理系统?(BMS) 实作、泵、安全气囊、位置传感器及占用侦测系统。DIODES? AS2333Q?于?8 月发表,所表现出的最小静态电流使其非常适合解决车辆即使在非活动状态时仍继续执行的功能。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202210/439214.htm5.5MHz 带宽使?AS2376Q 功率放大器能够

[传感技术]KEYSIGHT是德科技N5181B信号发生器

是德科技keysight N5181B信号发生器深圳市捷威信电子仪器有限公司 联系人:刘小姐18124618938 V:18025446127QQ:399369291E-mail:liu18124618938@126.com地址:深圳宝安沙井广新生大厦N5181B MXG X 系列高性能射频模拟信号发生器经过精心设计,可覆盖 9 kHz 至 6 GHz 的频率范围,是研发中的“标准发射机”。卓越的硬件性能可以提升您的器件和设计性能,包括相位噪声和杂散特征拥有出色的输出功率,可以驱动功率放大器和表征非线性特性使用多功能发生

[电路保护]功率放大器电路中的三极管和MOS管,究竟有什么区别?

【导读】学习模拟电子技术基础,和电子技术相关领域的朋友,在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管(MOS管)了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢?在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢? 学习模拟电子技术基础,和电子技术相关领域的朋友,在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管(MOS管)了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢?在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢? 首先我们明确一下二者的概念 三极管:全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管

[传感技术]keysight N5181B/是德科技N5181B信号发生器

是德科技keysight N5181B信号发生器深圳市捷威信电子仪器有限公司联系人:刘小姐18124618938 V:18025446127QQ:399369291E-mail:liu18124618938@126.com地址:深圳宝安沙井广新生大厦N5181B MXG X 系列高性能射频模拟信号发生器经过精心设计,可覆盖 9 kHz 至 6 GHz 的频率范围,是研发中的“标准发射机”。卓越的硬件性能可以提升您的器件和设计性能,包括相位噪声和杂散特征拥有出色的输出功率,可以驱动功率放大器和表征非线性特性使用多功能发生器功能

[传感技术]是德科技keysight N5181B模拟信号发生器

是德科技keysight N5181B信号发生器深圳市捷威信电子仪器有限公司 联系人:刘小姐18124618938 V:18025446127QQ:399369291E-mail:liu18124618938@126.com地址:深圳宝安沙井广新生大厦N5181B MXG X 系列高性能射频模拟信号发生器经过精心设计,可覆盖 9 kHz 至 6 GHz 的频率范围,是研发中的“标准发射机”。卓越的硬件性能可以提升您的器件和设计性能,包括相位噪声和杂散特征拥有出色的输出功率,可以驱动功率放大器和表征非线性特性使用多功能发生

[传感技术]AMC7834是集成功率放大器监控系统

产品详细信息描述:AMC7834设备是一种高度集成的低功耗模拟监控解决方案,用于功率放大器(PA)偏置,能够进行温度、电流和电压监控。该设备集成了一个多通道、12位模数转换器(ADC);八个12位数模转换器(DAC);四个高侧电流感测放大器,其可以可选地设置为作为四个独立的闭环漏极电流控制器的一部分操作;一个精确的片上温度传感器和两个远程温度传感器二极管驱动器;四个可配置通用I/O端口(GPIO);以及准确的内部参考。高集成度显著减少了部件数量,简化了PA偏置系统设计。该器件的功能集成和广泛的工作温度

[传感技术]是德科技keysight N5181B信号发生器

是德科技keysight N5181B信号发生器深圳市捷威信电子仪器有限公司 联系人:刘小姐18124618938 V:18025446127QQ:399369291E-mail:liu18124618938@126.com地址:深圳宝安沙井广新生大厦N5181B MXG X 系列高性能射频模拟信号发生器经过精心设计,可覆盖 9 kHz 至 6 GHz 的频率范围,是研发中的“标准发射机”。卓越的硬件性能可以提升您的器件和设计性能,包括相位噪声和杂散特征拥有出色的输出功率,可以驱动功率放大器和表征非线性特性使用多功能发生

[传感技术]Qorvo 如何利用功率放大器模块来助力未来的5G基础设施的发展

选择AD1584ART-REEL7功率放大器模块(PAM)的解决方案Qorvo广泛使用PAM来应对这些挑战。PAM是一种电子元件,它将功率放大器中的分立元件和周围的电路集成到单独的封装解决方案中。例如,在5G基站的应用中,PAM可以将驱动放大器和最后一个放大器集成到单独的封装中,而不是作为分立电路模块。5G是迄今为止无线通信市场行业非常重要的强大技术之一。与4G相比,5G在数据速度、延迟和体积方面都有了明显的提高,有望成为领域乃至全球真正的变革性技术。但是,这些根本特征的改善也对于底层射频。(RF)硬体产生更大的压力,并