[传感技术]英搏尔率先采用英飞凌最新推出的 750 V车规级分立式IGBT EDT2器件
中国领先的车载逆变器供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司（FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY）最新推出的750 V车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本。除此之外，它们还能够为设计师提供更大的自由度，有助于实现系统集成。?本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202206/435046.htmEnpower英搏尔MCU技术总监刘宏鑫表示，“英搏尔坚定不移地遵循
[传感技术]英搏尔率先采用英飞凌最新推出的 750 V车规级分立式IGBT EDT2器件
【2022年6月10日，德国慕尼黑讯】中国领先的车载逆变器供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司（FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY）最新推出的750 V车规级IGBT?，包括AIKQ120N75CP2 和?AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本。除此之外，它们还能够为设计师提供更大的自由度，有助于实现系统集成。??Enpower?英搏尔MCU技术总监刘宏鑫表示，“
[电路保护]用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保护
品慧电子讯：当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功率应用中实施。实现这一壮举的方法是提高电子设备的功率密度。硅基MOSFET具有较低的开关速度和热效率；因此，如果不增加尺寸并因此影响功率密度，它们就不能用于高功率应用。这就是基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 用于制造高功率密度电子产品的地方，适用于各行各业的不同应用。 当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高
[电路保护]如何使用分立式 JFET 放大低噪声电路中的小信号？
品慧电子讯在低噪声电路中放大传感器产生的小信号是一个非常常见但困难的问题。鉴于其固有的低闪烁 （1/f） 和宽带噪声，设计人员通常会使用具有双极输入的运算放大器 （op amp） 来实现这种放大。在低噪声电路中放大传感器产生的小信号是一个非常常见但困难的问题。鉴于其固有的低闪烁 （1/f） 和宽带噪声，设计人员通常会使用具有双极输入的运算放大器 （op amp） 来实现这种放大。当感兴趣的小信号由具有高源阻抗的传感器产生而无法向放大器的输入端提供足够的电流时，双极运算放大器会带来另一个挑战。双极运算放大器具有纳安或更大范
[电源管理]为什么要在汽车PTC模块中用低侧驱动器IC替换分立式栅极驱动器？
品慧电子讯在混合动力汽车/电动汽车(HEV/EV)中，发动机并不会被用来运行加热和冷却系统，这与内燃机(ICE)汽车情况不同。我们使用两个关键系统来替代这一功能：使用BLDC电机驱动空调压缩机，使用正温度系数 (PTC) 加热器来加热冷却剂。PTC加热器依靠高压电池来运行，需要几千瓦的功率。图1显示了由低侧MOSFET/IGBT电源开关驱动的典型PTC加热器方框图。图1：汽车内部加热器模块的方框图过去，使用双极结型晶体管(BJT)图腾柱驱动低侧配置中的电源开关。但是，由于栅极驱动器IC的诸多优势及其附加特性，它日益取代了这些分立式解决方案
[RF/微波]建立FETching分立式放大器的一些提示
品慧电子讯用于光电二极管、压电以及其他仪器仪表应用的低噪声放大器所要求的电路参数一般是：极高的输入阻抗、低1/f噪声或亚皮安偏置电流等，而提供的集成产品无法满足这些要求。本文讨论使用分立元器件设计低噪声放大器的要求与挑战，并重点探讨了折合到输入的噪声以及失调电压调节。高输入增益拓扑的限制典型分立式放大器如图1所示，在高速运算放大器前使用匹配JFET器件实现的差分放大器，提供高输入阻抗和一定的初始增益。系统噪声主要由输入级产生，因此无需使用低噪声运算放大器。图1. 高速、低噪声仪表放大器不过，将输出
[RF/微波]集成压控振荡器的宽带锁相环能否取代分立式解决方案？
品慧电子讯传统上，一个简单的PLL将压控振荡器(VCO)输出频率分频，将其与一个参考信号进行比较，然后微调VCO控制电压以微调其输出频率。很多年来，PLL和VCO是两种单独的芯片——这就是分立解决方案。VCO产生实际输出信号；PLL监控输出信号并调谐VCO，以将其相对一个已知参考信号锁定。几乎每个RF和微波系统都需要频率合成器。频率合成器产生本振信号以驱动混频器、调制器、解调器及其他许多RF和微波器件。频率合成器常被视为系统的心跳，创建方法之一是使用锁相环(PLL)频率合成器。分立解决方案有多个优点： 可设计每
[RF/微波]为什么分立式JFET仍然活跃于模拟设计中？
品慧电子讯虽然增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多，但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。增强型 MOSFET 器件需要能量来供电，而耗尽型器件需要能量“停止”供电，这是它们的主要区别。 虽然增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多，但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。增强型 MOSFET 器件需要能量来供电，而耗尽型器件需要能量“停止”供电，这是它们的主要区别。 目前市场上有6种不同类型的场效应管（FET），在两类主要的FET中，增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多。
[无线充电技术]设计攻略：低成本无线充电技术的设计方案
近年来越来越流行感应无线电力传输，许多手机制造商都采用感应电力传输的无线充电功能，而这项技术基本应用于便携设备中。本文详解了低成本分立式的无线充电器解决方案。基本理论基于感应电源的无线电力传输的基本理论非常简单。众所周知，交流电场将产生磁场，交流磁场也将产生电场。在发射机中，直流电源转换为交流电，并产生交流电场。在接收机处，线圈拾取来自交流磁场的电源，并将交流电转换成直流电作为输出负载。发射线圈和接收线圈彼此分离，泄漏电感大且耦合系数小。因此，传输效率非常低。为提高传输效率，必须采用一个补偿电路
[电路保护]飞兆半导体PSW添功率链分立式器件功率损耗和效率分析工具
飞兆半导体PSW增添功率链分立式器件功率损耗和效率分析工具，新模型提供分立式功率半导体、变压器和电感设计值的最佳组合。它们是简单易用、功能强大、可在一分钟内提供完整设计的在线模拟工具。飞兆半导体公司最近将Power Supply WebDesigner (PSW) - 一款在线设计和模拟工具，可在一分钟内提供完整的设计–进一步强化，引入传动系分立式（MOSFET/IGBT/整流器）器件功率损耗和效率分析工具。图1：飞兆半导体PSW增添功率链分立式器件功率损耗和效率分析工具这些新模型可根据输入和输出条件用于100 W至3 kW的设计，为设计人员提供功率因数校
[电路保护]应用于数码相机的分立式IGBT，切换时间缩短三分之二
品慧电子讯东芝推出一种分立式IGBT，具有快速切换能力，主要应用于数码相机闪光灯。图题 分立式IGBT东芝公司(Toshiba Corporation)为数码相机闪光灯推出了一种分立式IGBT，可将切换时间缩短为东芝现有产品的三分之一。新的IGBT "GT5G134" 是一种专为闪光灯强度控制和快速切换闪光灯应用而打造的专业解决方案。主要特性●快速切换：tf = 0.6μs (标准值) @IC=110A●低饱和电压：VCE(sat)=2.2V (标准值) @IC=110A●低门极驱动电压：VGE=4.0V (最小值) @IC=110A●集电极峰值电流：ICP=110A (最大值)●集电极－发射极电压：VCES=
[通用技术]德州仪器推出业界首款分立式,SuperSpeed,USB,3.0收发器
产品特性： 速度比 USB 2.0高10倍 可实现快如闪电的数据传输应用范围： 监控摄像机、多媒体手持终端、智能电话、数码相机、便携式媒体播放器、个人导航设备、音频接口盒 (audio dock)、视频 IP 电话、无线 IP 电话以及软件无线电日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款 SuperSpeed USB (USB 3.0) 收发器，与 USB 高速器件 (USB 2.0) 相比，可实现快如闪电的数据传输。TUSB1310的 PIPE3与 ULPI 接口具有比 USB 3.0规范要求高2倍的接收器敏感度，与集成型应用处理器数字内核配合使用时，支持 USB 3.0功能。速度高达每秒5 Gb 的 USB
[Vishay威世]NOMCA：Vishay AEC-Q200认证薄膜电阻网络精度比分立式更高
产品特性：比例容差为±0.05%具有自钝化的钽氮化物电阻膜具有低至±25ppm/℃的绝对TCR采用了结实耐用、节距50mil的注塑结构适用范围：适用于汽车、电信设备、工业设备、过程控制和医疗设备Vishay宣布推出新系列通过AEC-Q200认证的双路在线路薄膜电阻网络---NOMCA系列。NOMCA电阻网络的集成式结构实现了比分立式SMT芯片更高的精度，使器件成为精密分压器、运算放大器和电池管理应用的理想之选。典型终端产品包括汽车、电信设备、工业设备、过程控制和医疗设备。日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列通过AEC-Q200认证的双路在
[通用技术]飞兆新推出可替代分立式MOSFET方案的智能高侧开关
飞兆智能高侧开关的产品特性： 集成保护诊断功能以减少元件数量并简化印刷线路板设计 提供替代分立式MOSFET的解决方案，提高系统可靠性飞兆智能高侧开关的应用范围： 汽车车身电子在汽车应用中，为了实现把大电流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性负载，你是否不得不依赖分立式或机电式解决方案？如果你想要替代分立式MOSFET的解决方案，减少元件数量并简化印刷线路板设计，同时提高系统的可靠性，那么你一定要了解飞兆半导体新推出的智能高侧开关系列。请看以下详细报道。在现在的汽车应用中，设计人员需要把大电流可靠和安全
