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[贴片电容]东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。TLP5702H的峰值输出电流额定值
[MICROCHIP/微芯]东芝光耦TLP521-4价格反弹
基本信息：AC/DC输入模式固态延迟4个独立光耦单元集电极－发射极电压：55V电流传输比：50%（最小值）隔离电压：2500 Vrms正向电流：50mA(极限值)总功耗：150mW主要封装形式：DIP-16/SOP主要品牌：toshiba东芝TLP521-4是可控制的光电耦合器件，光电耦合器广泛用在电脑终端机，可控硅系统设备如工业控制、电气设备制造、机械设备制造、仪器仪表、通讯器械、工业器械、医疗器械、安全系统、起重设备、汽车制造、机车信号、照明设备等，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的
