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智能手表手环AMOLED显示屏电源芯片SGM38046


品慧电子讯随着电子信息产品屏幕显示技术的演进,AMOLED(Active-Matrix Organic LED)显示屏,即有源矩阵有机发光二极管显示屏,因具有色彩鲜艳、轻薄、主动发光(无需背光源)、视角宽、清晰度高、亮度高、响应快速、能耗低、使用温度范围广、抗震能力强、可实现柔软显示等特点,成为当今高端显示屏的热门选择。智能手环、智能手表等也已全面采用AMOLED显示屏。


SGM38046是一颗专门为智能手环、智能手表等小尺寸AMOLED显示屏提供AVDD、ELVDD、ELVSS的电源管理芯片,在对称电压ELVDD、ELVSS模式下效率优化。


小尺寸AMOLED显示屏电源芯片技术演变路线


影响AMOLED电源器件架构的因素:


● 综合尺寸(多电感、单电感、无电感);

● 输入电压范围;

● 输出电压配置(非对称电压、对称电压);

● 负载电流大小。


几种常见的单电感架构:


● 架构A:Boost + NVCP(负压电荷泵);

● 架构B:Boost/Bypass + LDO + NVCP;

● 架构C:Buck-Boost + LDO + NVCP;

● 架构D:类似SGM38042的SIMO(单电感多输出)架构。


无电感架构:


● SGM38045:无电感架构,且待下回分解。


电荷泵结构简介


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图1 几种常见的电荷泵结构示意图


电荷泵结构特点:


● 每使用一个飞电容,需要4个开关管,硅片开销大。

● 在接近整倍率电压下工作时,效率主要由开关组导通电阻决定。

● 小电流高电压场景对开关组导通电阻要求低,效率高,解决方案优势显著。


几种常见小尺寸电源架构的优缺点对比分析


架构A:Boost + NVCP(负压电荷泵)


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图2 架构A


优点:


● Boost架构相对简单;

● 外围仅需1L+6C。


缺点:


● 仅2路输出,无AVDD;

● 不适用于高压电池应用,连接充电器输出不稳;

● 需要复杂的负压电荷泵电路,11个开关管,外围器件多;

● 正压效率损失大;

● 不适用于对称电压。


架构B:Boost/Bypass + LDO + NVCP


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图3 架构B


优点:


● Boost/Bypass架构AVDD不再受限于输入电压范围;

● 配置相对灵活。


缺点:


● 对称电压应用,VIN高压时效率低下;

● 非对称电压应用,正压效率损失大;

● 不适用更高电压电池、更低输出电压的应用;

● 需要-0.5×CP,12个开关管,外围器件多;

● 外围需要1L+10C。


SGM38042架构:SIMO(单电感多输出)


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图4 SGM38042架构


优点:


● 专利电路,分时SIMO架构,电路框架简单;

● 无需负压电荷泵,仅需7个开关管;

● 正负电源纹波抑制,LDO损耗低;

● 输入电压范围宽;

● 外围仅需1L+6C。


缺点:


● AVDD由VIN经LDO输出,电压范围受限于VIN;

● SIMO架构输出正负压,需要采用高耐压器件来实现,效率提升困难。


SGM38046架构


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图5 SGM38046架构


优点:


● AVDD不再受限于输入电压范围;

● 适用于对称电压,效率相对较高;

● 适合高压电池应用。


缺点:


● Buck-Boost架构,需要Q1~Q4共4个大管;

● 外围需要1L+9C。


ELVDD/ELVSS为什么要采用对称电压?


对称电压下AMOLED屏的功耗更低:


● 非对称模式下ELVDD/ELVSS采用4.6V/-2.4V总压差7V供电;

● 对称模式下ELVDD/ELVSS采用3.3V/-3.3V总压差6.6V供电;

● 单从工作电压看,非对称情况下7V比对称电压6.6V效率低6.06%。


对称模式下电路架构更简单,如下图所示:


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图6 非对称及对称模式下电路示意图


● 非对称模式下负压电荷泵需要7~8个MOSFET;

● 对称模式下负压电荷泵仅需要4个MOSFET。


对称模式的电源拓扑架构比非对称模式更省电,如下图所示:


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图7 非对称及对称模式下电路架构


非对称模式下:


● ELVDD需由5.4V产生4.6V,损耗15%;

● AVDD需由5.4V产生3.3V,损耗39%;

● ELVSS需由-2.7V产生-2.4V,损耗11%。


对称模式下:


● ELVDD仅需由3.6V产生3.3V,损耗8.4%;

● AVDD仅需由3.6V产生3.3V,损耗8.4%;

● ELVSS仅需由-3.6V产生-3.3V,损耗8.4%。


两相比较,对称模式下各电源比非对称模式下省电:


● ELVDD省6.6%;

● AVDD省30.6%;

● ELVSS省2.6%。


补充说明:VDD-VSS不对称电压结构是从LCD采用的薄膜晶体管阵列(TFT Matrix)驱动沿袭过来的。演化的小尺寸TFT驱动结构是针对电源电压范围,TFT的开关特性,显示单元驱动要求和既有设计继承的设计综合优化的结果。TFT设计以及尽力降低它和OLED工作电压促成了可以采用对称方式供电;目前受限制于ITO透明引线的特性,在大尺寸应用中尚不能采用对称方式供电。


SGM38046是一颗以对称电压模式优化的小尺寸AMOLED电源芯片(同样支持非对称电压模式工作,但在该模式下性能与其它芯片类似)。


SGM38046主要特性


● 输入电压:2.7V~5.5V;

● AVDD输出电压:3.3V;

● OVDD输出电压:2.8V~4.6V(默认输出电压:3.3V ± 1%,0.1V步进);

● OVSS输出电压:-0.6V~-4.0V(默认输出电压:3.3V ± 1%,0.1V步进);

● OVDD & OVSS组合输出电流能力高达90mA;

● 优秀的线性和负载调整率;

● 低纹波和优秀的瞬态响应;

● 输出负载与输入分离;

● 欠压锁定、过流保护、短路保护、过压保护和过温保护功能;

● 轻载效率下节能(Power-Save)模式;

● 关断电流:低于1μA;

● WLCSP-2×2-16B绿色封装。


SGM38046封装及引脚分布


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图8 SGM38046封装图


SGM38046典型应用电路图


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图9 SGM38046典型应用电路


SGM38046效率曲线


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图10 SGM38046效率曲线


相关产品信息


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